高密度垂直磁存储FePt颗粒薄膜媒质的研究

本文采用磁控溅射法在硅基片上生长FePt颗粒薄膜。FePt膜层下面为MgO籽层,以此引发薄膜的L10相fct织构。在FePt薄膜中掺入C可减小其颗粒尺寸。采用X射线衍射仪(XRD)、超导量子干涉仪(SQUID)和透射电镜(TEM)对FePt颗粒进行表征,结果表明制备的样品具有优良的L10相结构,其磁滞曲线表明方形度很好,而且垂直矫顽力能有26 kOe,颗粒大小为8.3 nm。高分辨透射电镜表征表明其优良的fct超晶格结构。该磁性薄膜有望应用于下一代高密度磁存储媒质。

FePtAg-C纳米颗粒薄膜的制备及表征

采用磁控溅射法在硅基片上生长Fe Pt纳米颗粒薄膜。在硅片表面生长Mg O籽层用来引发Fe Pt合金薄膜的fct织构,加入C来减小其颗粒尺寸,加入Ag来增强其L10有序度。采用X射线衍射仪(XRD)、超导量子干涉仪(SQUID)和高分辨率透射电镜(TEM)对Fe Pt薄膜进行表征。结果表明制备的薄膜样品具有优良的L10相结构,其M-H曲线表明方形度很好,垂直矫顽力HC有2 467 k A/m,颗粒大小为10.4 nm。该薄膜非常适合用做下一代高密度磁存储媒质,可有效提高信息存储密度。

FePt-SiO2纳米颗粒薄膜的制备和表征

采用磁控溅射法在硅基片上生长FePt纳米颗粒薄膜。利用MgO籽层来引发FePt合金薄膜的fct织构,在薄膜中掺入氧化硅来减小其颗粒尺寸。采用X射线衍射仪(XRD)、超导量子干涉仪(SQUID)和透射电镜(TEM)对FePt纳米颗粒进行表征,结果表明制备的样品具有优良的L10相结构,磁滞曲线测量结果表明材料的方形度很好,而且垂直矫顽力高达21 kOe,颗粒大小为8.8 nm。该磁性薄膜非常适合用做下一代高密度磁存储媒质,能大幅度提高磁存储密度。

FePt-C颗粒薄膜的制备和表征

本文采用磁控溅射法在热氧化硅基片上生长FePt颗粒薄膜。利用MgO籽层来引发FePt合金薄膜的fct织构,采取加入C的方法来减小其颗粒尺寸。采用X射线衍射仪(XRD)、超导量子干涉仪(SQUID)和透射电镜(TEM)对FePt颗粒进行表征,结果表明制备的样品具有优良的L10相结构,其磁滞曲线表明方形度很好,而且垂直矫顽力能有12 kOe,颗粒大小为8 nm。该磁性薄膜非常适合用做下一代高密度磁存储媒质,能大幅度提高磁存储密度。