FeSeTe超导带材接头的制备及性能研究

目前,由于制作工艺的限制,FeSeTe涂层导体的最大长度普遍处于米级,不能满足实际应用需求,针对FeSeTe带材接头技术的研究具有重要意义。本文一方面以载流性能及电阻为双目标优化搭接接头结构,另一方面以接头电阻为标准优化FeSeTe涂层导体的封装方式。结果显示:焊接接头处存在Cu缓冲层能有效避免超导电性的衰减;利用镀铜封装的FeSeTe涂层导体制备搭接接头能有效降低磁场下的接头电阻。