曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.

FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应研究

用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 ,在 10 0kHz～ 40MHz范围内研究了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场强度Ha 施加在薄膜的长方向时 ,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加 ,在某一磁场下达到最大值 ,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为 3 2MHz时 ,在磁场强度Ha=2 40 0A/m时巨磁阻抗变化率达到最大值 13 5 0 % ;在磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率为 - 9 2 0 %。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外 ,当磁场施加在薄膜的短方向时 ,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应 ,在频率为 3 2MHz,磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率可达 - 12 5 0 %

弯曲形FeSiB/Cu/FeSiB多层膜的应力阻抗效应

用磁控溅射法制备弯曲形FeSiB／Cu／FeSiB多层膜，在1～40MHz范围内研究FeSiB膜和Cu膜厚度对多层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明：多层膜的应力阻抗效应随着其形变位移的增加近似线性增加，在自由端变形1mm、电流频率5MHz时，应力阻抗效应达-17.3％，在新型力敏传感器方面具有广阔的应用前景。

FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究

软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 。

La_(0.67)Ca_(0.33)MO_3/YBa_2Cu_3O_(7-δ)三明治结构薄膜的表面与界面微结构

用磁控溅射方法生长三明治结构的YBa2Cu3O7-δ/La0.67Ca0.33MnO3/YBa2Cu3O7-δ(YBCO/LCMO/YBCO)薄膜。该薄膜为完全(001)取向。掠入射X射线反射结果表明,YBCO/LCMO的界面有互扩散,其扩散长度为几个纳米。表层与界面的方均粗糙度(rms)随着YBCO层的厚度而变化,这与原子力显微镜的测量结果一致;进一步研究表明方均粗糙度与薄膜的失配应变弛豫相关。

基于软磁多层膜交流阻抗效应的新型力敏传感器研究

研究内容：应力阻抗效应是指软磁材料的交流阻抗在外力的作用下发生显著变化的现象，利用应力阻抗效应可制作各种高灵敏度、响应速度快的新型力敏传感器，如压力传感器、加速度传感器等，在自动控制、汽车电子、航空航天和机器人技术等领域中有巨大的应用前景。本项目采用磁控溅射制备了软磁FeSiB薄膜和FeCuNbCrSiB薄膜，研究了薄膜的制备工艺和退火工艺对薄膜的微结构、磁性的影响；

薄膜厚度对多层膜巨磁阻抗效应的影响研究

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FesiB/cu/FesiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FesiB薄膜厚度对FesiB/Cu/FesiB多层膜巨磁阻抗效应的影响。当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。当FesiB薄膜的厚度为1.8μm时,在频率3.2MHz、磁场2.4kA/m时,多层膜巨磁阻抗效应达最大值13.5％;在磁场为9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-9.2％。然而,当FesiB薄膜的厚度为1μm时,多层膜的巨磁阻抗效应在频率40MHz、磁场1.6kA/m时达最大值5.8％。另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应。对于膜厚为1.8μm的FeSiB薄膜,在频率5.2MHz、磁场9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-12％。可见巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及FeSiB薄膜的厚度有关。