FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜巨磁阻抗效应研究

研究了非晶FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜在100kHz～40MHz范围内的巨磁阻抗效应。当磁场和交流电流沿薄膜的纵向时,磁阻抗比随磁场的增大而增强,在磁场约1600A/m下达到最大值,然后随磁场的增大而下降到负值。在频率3MHz、磁场1600A/m时磁阻抗比达到最大值17.2%。磁阻抗比的最大值及负的磁阻抗比与夹心薄膜中磁各向异性轴的取向有关。另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的磁阻抗效应,在频率3MHz、磁场5600A/m时,磁阻抗比达-13.4%。

FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应研究

用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 ,在 10 0kHz～ 40MHz范围内研究了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场强度Ha 施加在薄膜的长方向时 ,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加 ,在某一磁场下达到最大值 ,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为 3 2MHz时 ,在磁场强度Ha=2 40 0A/m时巨磁阻抗变化率达到最大值 13 5 0 % ;在磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率为 - 9 2 0 %。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外 ,当磁场施加在薄膜的短方向时 ,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应 ,在频率为 3 2MHz,磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率可达 - 12 5 0 %

薄膜厚度对多层膜巨磁阻抗效应的影响研究

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FesiB/cu/FesiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FesiB薄膜厚度对FesiB/Cu/FesiB多层膜巨磁阻抗效应的影响。当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。当FesiB薄膜的厚度为1.8μm时,在频率3.2MHz、磁场2.4kA/m时,多层膜巨磁阻抗效应达最大值13.5％;在磁场为9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-9.2％。然而,当FesiB薄膜的厚度为1μm时,多层膜的巨磁阻抗效应在频率40MHz、磁场1.6kA/m时达最大值5.8％。另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应。对于膜厚为1.8μm的FeSiB薄膜,在频率5.2MHz、磁场9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-12％。可见巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及FeSiB薄膜的厚度有关。