(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜的制备及半导体性能

为提高SnO2的半导体性能,以分析纯SnCl2.2H2O和NiCl2.6H2O为主要原料,控制不同n(Ni2+)/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜及半导体元件。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了(Sn1-x,Ni2x)O2元件的半导体性能。结果表明,(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜表面椭球形颗粒排列致密,尺寸约30 nm,(Sn1-x,Ni2x)O2为金红石型结构,但Ni2+代替了SnO2晶格中的部分Sn4+,使其晶胞参数a轴长平均减小0.000 4 nm,c轴长平均减小0.000 3 nm;随n(Ni2+)/n(Sn2+)由0.006增大到0.03,(Sn1-x,Ni2x)O2的晶粒尺寸由约45 nm减小至约18 nm;随温度由30℃上升至150℃,n型(Sn1-x,Ni2x)O2半导体元件的电阻约减小至其10%,而纯净SnO2元件的电阻仅约减小至其15%;随n(Ni2+)/n(Sn2+)的增大,离子化杂质散射增强,(Sn1-x,Ni2x)O2内部载流子迁移率下降,元件在150℃左右的电阻也由4.8 kΩ增大至12.1 MΩ,提高了元件的半导体性能。

NiCo-Ag纳米颗粒膜输运性质的研究

采用离子束溅射技术制备了一系列不同含量x的(Ni0.8Co0.2)x Ag1-x颗粒膜样品,并对样品的各向异性磁电阻和巨磁电阻效应进行了研究,在x=0.4的样品中,GMR值达最大值,为-3%,而AMR值在x=0.75时为0.8%。随着NiCo质量分数x的增加,电子输运行为有着一个从GMRAMR的转变。考察其输运性质,试图来更深入地理解各向异性磁电阻和巨磁电阻效应的物理本质。

M-I型纳米颗粒膜逾渗阈值的测量及验证

采用磁控溅射法 ,在玻璃基片上制备了一系列不同Ni79Fe2 1含量的 (Ni79Fe2 1) x(Al2 O3 ) 1-xM I型纳米颗粒膜。测量并分析了电阻率与体积分数的关系 ,得出该颗粒膜的体积分数逾渗阈值大约为 0 .5 1。分别用 4种方法验证了M I型纳米颗粒膜的逾渗阈值。

Fe-Ag颗粒膜的光学与磁光尺寸效应

采用离子束共溅射的方法分别制备了一系列FexAg1 -x(x=18,4 5 ,81)颗粒膜样品 ,经 1h真空退火 ,通过X射线衍射和光学及磁光测量 ,研究了它们在不同退火温度下的结构和磁光性质 .结果表明其磁光效应与颗粒尺寸密切相关 .