Si──FEA冷发射微阴极阵列实验研究

对Ｓｉ—ＦＥＡ冷发射微阴极阵列的微电子工艺技术制各方案及其测试观察结果进行了技术报道。已经获得了２０×２０／１００×１００硅尖锥阵列和栅压在１００～４００ｖ之间５０μＡ冷发射阳极电流。

场发射显示技术

场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。

真空微电子学在微波和毫米波中的应用前景

真空微电子学是近年来发展的一门新学科，它将会引起微波管技术的重大革新。本文介绍了在冷阴极、微三极管、感应输出放大器、分布放大器等方面的发展情况，相信在近几年内这方面的应用研究会获得突破性进展。

1995年真空微电子学的进展评述

真空微电子学是９０年代国外迅速发展的一门新学科，本文综述了１９９５年的新进展。在场致发射阴极方面研究工作向深度和结合实际应用发展，研究工作十分活跃。Ｍｏ和Ｓｉ－ＦＥＡ都取得了新的进展。在微波管方面的应用，１０ＧＨｚ的速调四极管已在总装，技术上取得了突破性进展。美国和法国已建立数个ＦＥＤ的生产工厂，产品正走向市场。

场致发射阵列制作工艺的研究

研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2 绝缘层的去除方法 ,并对这两种方法进行了比较 ,给出了各自的优缺点。

碳场电子发射体的应用研究

本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VME/VNE)领域内获得成功的方面。研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(CFE)与平滑型碳场电子发射体(SCFE)的氖发光管,采用平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)、阵列硅场电子发射体(Si-FEA)的封离式全玻璃平板真空荧光光源管(FP-VFLT),采用寻址式碳纳米管(CNT)薄膜阵列场电子发射体(CNT-FEA)的封离式全玻璃平板摄像管(FCT)与平板显像管(FDT),采用碳纳米管(CNT)薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符管(FCT)。碳场电子发射体的应用研究工作也涉及到一种商用真空X射线管,及大面积碳纳米管(CNT)薄膜作为微波吸收材料的初步探讨。本文报导了这些研究工作达到的阶段成果。