期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
6
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Si──FEA冷发射微阴极阵列实验研究
被引量:
1
1
作者
肖兵
杨谟华
杨中海
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第6期614-616,共3页
对Si—FEA冷发射微阴极阵列的微电子工艺技术制各方案及其测试观察结果进行了技术报道。已经获得了20×20/100×100硅尖锥阵列和栅压在100~400v之间50μA冷发射阳极电流。
关键词
微阴极阵列
硅尖锥
栅孔
场致发射
下载PDF
职称材料
场发射显示技术
被引量:
7
2
作者
柯春和
彭自安
《真空电子技术》
北大核心
1996年第6期52-60,共9页
场发射显示器件(FED)正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍FED的发展历史,列举出FED与CRT及LCD相比的优点。介绍FED的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了FED制作中的一些重要问题。
关键词
真空微电子学
场发射显示器件
场发射阵列
下载PDF
职称材料
真空微电子学在微波和毫米波中的应用前景
被引量:
4
3
作者
彭自安
冯进军
《真空电子技术》
北大核心
1995年第5期25-29,共5页
真空微电子学是近年来发展的一门新学科,它将会引起微波管技术的重大革新。本文介绍了在冷阴极、微三极管、感应输出放大器、分布放大器等方面的发展情况,相信在近几年内这方面的应用研究会获得突破性进展。
关键词
场致发射阵列
真空微电子学
微波
毫米波
下载PDF
职称材料
1995年真空微电子学的进展评述
被引量:
1
4
作者
彭自安
冯进军
《真空电子技术》
北大核心
1996年第1期33-37,共5页
真空微电子学是90年代国外迅速发展的一门新学科,本文综述了1995年的新进展。在场致发射阴极方面研究工作向深度和结合实际应用发展,研究工作十分活跃。Mo和Si-FEA都取得了新的进展。在微波管方面的应用,10GHz的...
真空微电子学是90年代国外迅速发展的一门新学科,本文综述了1995年的新进展。在场致发射阴极方面研究工作向深度和结合实际应用发展,研究工作十分活跃。Mo和Si-FEA都取得了新的进展。在微波管方面的应用,10GHz的速调四极管已在总装,技术上取得了突破性进展。美国和法国已建立数个FED的生产工厂,产品正走向市场。
展开更多
关键词
真空微电子学
场发射阵列
微波管
场发射显示器
下载PDF
职称材料
场致发射阵列制作工艺的研究
被引量:
1
5
作者
周洪军
尉伟
+5 位作者
洪义麟
徐向东
陶晓明
霍同林
付绍军
裴元吉
《微细加工技术》
2001年第3期14-17,共4页
研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2 绝缘层的去除方法 ,并对这两种方法进行了比较 ,给出了各自的优缺点。
关键词
场致发射阵列
制作工艺
反应离子刻蚀
化学腐蚀
半导体工艺
下载PDF
职称材料
碳场电子发射体的应用研究
6
作者
刘光诒
李宏彦
+5 位作者
夏善红
吕永积
王建英
吕庆年
王德安
丁耀根
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期88-92,共5页
本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VME/VNE)领域内获得成功的方面。研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(C...
本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VME/VNE)领域内获得成功的方面。研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(CFE)与平滑型碳场电子发射体(SCFE)的氖发光管,采用平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)、阵列硅场电子发射体(Si-FEA)的封离式全玻璃平板真空荧光光源管(FP-VFLT),采用寻址式碳纳米管(CNT)薄膜阵列场电子发射体(CNT-FEA)的封离式全玻璃平板摄像管(FCT)与平板显像管(FDT),采用碳纳米管(CNT)薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符管(FCT)。碳场电子发射体的应用研究工作也涉及到一种商用真空X射线管,及大面积碳纳米管(CNT)薄膜作为微波吸收材料的初步探讨。本文报导了这些研究工作达到的阶段成果。
展开更多
关键词
耐高温碳场电子发射体(CFE)
平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)
阵列硅场电子发射体(Si-
fea
)
碳纳米管薄膜场发射体(CNT)
寻址式碳纳米管阵列场发射体(CNT-
fea
)
下载PDF
职称材料
题名
Si──FEA冷发射微阴极阵列实验研究
被引量:
1
1
作者
肖兵
杨谟华
杨中海
机构
电子科技大学微电子科学与工程系
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第6期614-616,共3页
基金
国防科工委预研基金
文摘
对Si—FEA冷发射微阴极阵列的微电子工艺技术制各方案及其测试观察结果进行了技术报道。已经获得了20×20/100×100硅尖锥阵列和栅压在100~400v之间50μA冷发射阳极电流。
关键词
微阴极阵列
硅尖锥
栅孔
场致发射
Keywords
fea
Si tips
gate hole
field
emitter
s
分类号
TN103 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
场发射显示技术
被引量:
7
2
作者
柯春和
彭自安
机构
北京真空电子技术研究所
出处
《真空电子技术》
北大核心
1996年第6期52-60,共9页
文摘
场发射显示器件(FED)正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍FED的发展历史,列举出FED与CRT及LCD相比的优点。介绍FED的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了FED制作中的一些重要问题。
关键词
真空微电子学
场发射显示器件
场发射阵列
Keywords
Vacuum microelectronics, FED,
field
emission
array
(
fea
),Microtip
emitter
, Gate, Phosphor, Matrix addressing
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
TN103.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
真空微电子学在微波和毫米波中的应用前景
被引量:
4
3
作者
彭自安
冯进军
机构
北京真空电子技术研究所
出处
《真空电子技术》
北大核心
1995年第5期25-29,共5页
文摘
真空微电子学是近年来发展的一门新学科,它将会引起微波管技术的重大革新。本文介绍了在冷阴极、微三极管、感应输出放大器、分布放大器等方面的发展情况,相信在近几年内这方面的应用研究会获得突破性进展。
关键词
场致发射阵列
真空微电子学
微波
毫米波
Keywords
field
emitter
array
(
fea
),Vacuum microelectronics,Inductive output amplifier(IOA),Distributed amplifier
分类号
TN015 [电子电信—物理电子学]
TN101 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
1995年真空微电子学的进展评述
被引量:
1
4
作者
彭自安
冯进军
机构
北京真空电子技术研究所
出处
《真空电子技术》
北大核心
1996年第1期33-37,共5页
文摘
真空微电子学是90年代国外迅速发展的一门新学科,本文综述了1995年的新进展。在场致发射阴极方面研究工作向深度和结合实际应用发展,研究工作十分活跃。Mo和Si-FEA都取得了新的进展。在微波管方面的应用,10GHz的速调四极管已在总装,技术上取得了突破性进展。美国和法国已建立数个FED的生产工厂,产品正走向市场。
关键词
真空微电子学
场发射阵列
微波管
场发射显示器
Keywords
Vacuum microelecrtonics,
fea
-
field
emitter
array
,Microwave tube,FED-filed emission display
分类号
TN120.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
场致发射阵列制作工艺的研究
被引量:
1
5
作者
周洪军
尉伟
洪义麟
徐向东
陶晓明
霍同林
付绍军
裴元吉
机构
中国科学技术大学国家同步辐射实验室
出处
《微细加工技术》
2001年第3期14-17,共4页
文摘
研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2 绝缘层的去除方法 ,并对这两种方法进行了比较 ,给出了各自的优缺点。
关键词
场致发射阵列
制作工艺
反应离子刻蚀
化学腐蚀
半导体工艺
Keywords
field
emitter
array
(
fea
)
Reactive Ion Etching(RIE)
Wet Etching
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
碳场电子发射体的应用研究
6
作者
刘光诒
李宏彦
夏善红
吕永积
王建英
吕庆年
王德安
丁耀根
机构
中国科学院电子学研究所
京东方电子材料事业部
中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室
广播科学研究院光电研究所
北京瑞琦伟业技术开发有限公司
中国科学院电子学研究所微波器件中心
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期88-92,共5页
基金
Research sponsored bythe Chinese NNSFC(No.69871029
No.69971011)
文摘
本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VME/VNE)领域内获得成功的方面。研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(CFE)与平滑型碳场电子发射体(SCFE)的氖发光管,采用平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)、阵列硅场电子发射体(Si-FEA)的封离式全玻璃平板真空荧光光源管(FP-VFLT),采用寻址式碳纳米管(CNT)薄膜阵列场电子发射体(CNT-FEA)的封离式全玻璃平板摄像管(FCT)与平板显像管(FDT),采用碳纳米管(CNT)薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符管(FCT)。碳场电子发射体的应用研究工作也涉及到一种商用真空X射线管,及大面积碳纳米管(CNT)薄膜作为微波吸收材料的初步探讨。本文报导了这些研究工作达到的阶段成果。
关键词
耐高温碳场电子发射体(CFE)
平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)
阵列硅场电子发射体(Si-
fea
)
碳纳米管薄膜场发射体(CNT)
寻址式碳纳米管阵列场发射体(CNT-
fea
)
Keywords
Carbon
field
electron
emitter
(CFE)
Smooth high temperature resistant carbon
field
emitter
(SCFE)
Silicon
field
emitter
array
(Si-
fea
)
Carbon nanotubes film
emitter
(CNT)
Addressed carbon nanotubes film
field
emitter
(CNT-
fea
)
分类号
O462.4 [理学—电子物理学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si──FEA冷发射微阴极阵列实验研究
肖兵
杨谟华
杨中海
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
1
下载PDF
职称材料
2
场发射显示技术
柯春和
彭自安
《真空电子技术》
北大核心
1996
7
下载PDF
职称材料
3
真空微电子学在微波和毫米波中的应用前景
彭自安
冯进军
《真空电子技术》
北大核心
1995
4
下载PDF
职称材料
4
1995年真空微电子学的进展评述
彭自安
冯进军
《真空电子技术》
北大核心
1996
1
下载PDF
职称材料
5
场致发射阵列制作工艺的研究
周洪军
尉伟
洪义麟
徐向东
陶晓明
霍同林
付绍军
裴元吉
《微细加工技术》
2001
1
下载PDF
职称材料
6
碳场电子发射体的应用研究
刘光诒
李宏彦
夏善红
吕永积
王建英
吕庆年
王德安
丁耀根
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部