Fowler－Nordheim公式用于实际场发射体的修正

Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式是一个在理想条件下推导的计算场致发射电流的公式。对场发射体的实验测量表明：实测结果往往比根据Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式计算的结果大很多，说明这一理想化了的公式应用于实际场发射体时，必须给予修正。本文讨论了产生这一问题的原因，并提出了合理的定量修正方法。

碳纳米管场发射特性研究

从Fowler Nordheims理论出发 ,对实验中测得的碳管场发射中ln(I/V2 )～ 1/V并不是严格的线性关系进行了分析 ,认为主要是碳管吸附态 (主要是水蒸气 )的改变引起有效功函数改变 ,同时随着发射电流的增大 ,个别较长碳管表面的突起在残余气体离子轰击下变得平滑甚至缩短 ,热熔化也可能造成碳管缩短 .另一方面 ,随着电场强度的增大 ,较短碳管的场发射对总发射电流的贡献也相对提升 这些因素都会造成场发射中F

场致发射体的局域功函数研究

实际场致发射体表面不可能绝对光滑 ,而具有原子尺度的微小凸起会导致发射电流大大增加。基于发射电流主要来自于原子尺度微小凸起的假设 ,提出了局域半球镜像电荷模型 ,研究了场致发射功函数的降低 ,发现微小凸起处场致发射的局域功函数会降低而场增强因子将增大。将它代入F N公式计算了一个典型的单尖Spindt阴极的发射电流 ,所得结果与实验符合。在只考虑Nottingham效应的情况下 。

用有限元方法计算X光源场发射阴极电流

针对场致发射阵列建立了有效的三维有限元模型来分析单个尖锥的发射电流。考虑到场致发射阵列的周期性和尖锥的轴对称性,仅对一个尖锥单元的1/4进行分析。对模型的表面施加电压边界条件,计算得到尖锥表面电场强度分布,电场强度在尖锥顶点最强,场发射电流在此处也最强。由Fowler Nordheim函数可得到尖锥表面的场致发射电流密度分布,对整个尖锥表面进行积分后得到了单个尖锥的场致发射电流约为7μA。计算了在100V门电压下不同顶端半径的场致发射电流。结果显示,场发射对顶端半径有很强的依赖性。计算了100个顶端半径为8nm的尖锥在不同门电压下的总场致发射电流,发射电流与开启电压与实际测量值符合得很好。

用Fowler-Nordheim公式测定ITO功函数的研究

通过制备双边注入型单载流子器件ITO/TPD(NPB)/Cu,运用Fowler-Nordheim(F-N)公式变换,消除了载流子有效质量和器件厚度因素的影响,提高了测量的精度,简单准确地测定了ITO的功函数。实验测得值分别为4.85eV、4.88eV,与ITO的文献报道值接近。该方法操作简便,可以用来测定半导体和金属电极特别是合金电极的功函数。

场发射显示器阴极结构的发展

场发射显示器(FED)集传统的阴极射线管显示器(CRT)与液晶显示器(LCD)的优点于一身,具有很大的发展潜力,有望成为数字电视时代显示器件的主流。文章详细论述了电子场发射的原理,从F-N公式出发探讨了FED阴极材料的选取和阴极结构设计的原则,最后论述了FED阴极结构的发展。

Adsorption of Gold on Iridium

The work described in this paper is a study of gold adsorption on the whole tip surface of iridium field emitter. The study has been carried out using field emission microscope. Changes in electron work function of the iridium substrate which are produced by vapor of deposition of submonolayers of gold in ultra high vacuum have been measured by noting the changes in the slope of Fowler-Nordheim plots. The same procedure for studying the adsorption of copper on iridium?[1] was followed to study the adsorption of gold on iridium. Adsorption of gold was examined on the iridium surface containing the (100) ring which could not be removed thermally.