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FinFET技术专利分析
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作者 蒋煜婧 张莉 《通讯世界》 2021年第10期170-172,共3页
本文对FinFET技术领域的全球和国内专利申请进行梳理和统计分析,通过数据全面系统地分析该领域国内外专利布局情况和重点专利,有利于相关企业和研究院所有效地规划专利布局,避免产生专利纠纷,降低研发过程中的专利侵权风险。
关键词 finfet技术 专利申请 专利分析
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14nm路线图加速客户使用FinFET技术
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作者 丛秋波 《电子设计技术 EDN CHINA》 2012年第12期24-24,共1页
为帮助无晶圆厂客户快速开发新一代智能移动设备,GLOBALFOUND对ES推出用于下一代移动设备的优化的FinFET晶体管架构,向客户展示GLOBALFOUNDRIES14nm—XM技术三维“FinFET”晶体管的性能和功耗优势。
关键词 14nm finfet技术 晶体管 GLOBALFOUNDRIES
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Review of advanced CMOS technology for post-Moore era 被引量:4
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作者 LI Ming 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第12期2316-2325,共10页
The continuous downsizing of device has sustained Moore's law in the past 40 years.As the power dissipation becomes more and more serious,a lot of emerging technologies have been adopted in the past decade to solv... The continuous downsizing of device has sustained Moore's law in the past 40 years.As the power dissipation becomes more and more serious,a lot of emerging technologies have been adopted in the past decade to solve the short channel effect,leakage and performance degradation problems.In this paper,the emerging scaling technologies and device innovations,including high-k/metal gate,strain,ultra-shallow junction,tri-gate FinFET,extremely thin SOI and silicon nanowire FET will be reviewed and discussed in terms of the potential and challenge for post-Moore era. 展开更多
关键词 Moore's law power dissipation performance gain VARIABILITY HK/MG STRAIN novel device architecture
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