Finnis-Sinclair多体势的发展及其在金属中的应用

综述了F inn is-S inc lair多体势的发展,给出了F inn is-S inc lair多体势的各种势函数形式及几种纯金属及合金的F-S多体势参数;阐述了各种形式势函数的适用范围及其存在的问题;讨论了F inn is-S in-c lair多体势在纯金属、二元合金及三元合金中的应用情况;在此基础上,通过晶格常数a0、结合能E及体弹性模量B拟合了FeA l合金的F inn is-S inc lair多体势,并计算了B2型FeA l有序合金的缺陷性能,计算结果与实验结果一致.

二体碰撞有效力程与散射长度

对于库仑势加Yamaguchi势,提出一种简洁的离壳T矩阵的解析形式,藉此推导出散射振幅,继而推导出散射长度与有效力程解析式并计算出结果,与实验数据进行比较和讨论。

SiC多型体几何结构与电子结构研究

采用平面波超软赝势法和范数不变赝势法对几种SiC多型体的几何结构、能带结构等进行了系统的研究 .结果表明 :6HSiC导带最低点在 ML线上U点 ,用平面波超软赝势法计算时U点 在 (0 0 0 0 ,0 5 0 0 ,0 176 )点附近 ;而用范数不变赝势法计算时在导带最低点附近能带呈现不连续点 ,不连续点出现在 (0 0 0 0 ,0 5 0 0 ,0 178)点附近 .两种赝势法计算结果相比 ,用平面波超软赝势法得到的导带最低点位置更靠近布里渊区 M(0 ,0 5 ,0 )点 .在平面波超软赝势下 ,随着六角度的增加 ,c p ,c pa增大的趋势较为明显 ,能隙和价带宽度变宽的趋势也较为明显 .在计算极限内 ,绝对零度下 4HSiC系统能量最低、最稳定 ,而Ewald能量显示 3CSiC最稳定 .