硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长

采用火焰水解法在Si片上快速淀积SiO2 厚膜材料 ,材料膜厚达到 4 0 μm以上 ,生长速率达8μm/min .然后将该材料分别在真空中 /空气气氛中高温致密化处理 ,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料 ,包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2 厚膜材料 .并利用XRD、电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行了测试分析 .

二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理

采用火焰水解法 ( FHD)在 Si片上快速淀积出 Si O2 厚膜材料 ,材料膜厚 40 μm以上 ,生长速率 8μm/ min.将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理 ,获得各种形态的二氧化硅厚膜材料 .利用 XRD,SEM,电子显微镜等仪器对 Si O2

等离子体化学气相沉积法合成石英玻璃(英文)

用高频等离子体作为热源,采用化学气相沉积法合成了石英玻璃样品。实验分别使用O2和空气作为等离子体电离气体和冷却保护气体,改变等离子体电离工作气体种类时,等离子体火焰长度和石英玻璃沉积温度变化较大,而灯具冷却保护气体的改变对等离子火焰长度和石英玻璃沉积温度的影响不大。当等离子体电离气体和灯具保护气体均为O2时,等离子体火焰长度为12cm,石英基体温度为1300℃,当等离子体电离气体和灯具保护气体均为空气时,等离子体火焰长度可达24cm,石英基体温度升高到1840℃,可确保气相沉积过程进行,合成的石英玻璃在波长190nm处光透过率达84%,羟基含量3.5×10–6,可达到全光谱透过的要求。

火焰水解法制作SiO_2平面波导材料

采用火焰水解法在Si基上淀积SiO2 /GeO2 :SiO2 预制材料 ,然后在真空中 /空气气氛中高温处理 ( 1380℃ )后 ,制得玻璃化的SiO2 /GeO2 :SiO2 膜材料。该材料膜厚适中 ( 10～ 30μm)、平整度好、光滑透明和适合制作单模、多模列阵平面波导光栅。利用XRD ,SEM和台阶仪等仪器对SiO2

Si基片上掺Ge SiO_2的火焰水解法制备

用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2 (GeO2 SiO2 )粉末 ,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃 .用光学显微镜观察了样品表面形貌 ,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响 .用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成 ,并用棱镜耦合法测量了样品的折射率和厚度 .结果表明 ,用适宜的工艺条件制备出的掺Ge的SiO2 具有表面平整光滑 ,折射率和厚度可调等优点 ,适合用作Si基SiO2 波导器件的芯层 .

波导材料二氧化硅厚膜的快速生长

采用火焰水解法 (FHD)在Si片 (4 .5cm )上快速淀积疏松多孔的SiO2 厚膜材料 ,淀积速率达 8μm/min。然后将该材料分别在真空 /空气气氛中高温致密化处理 ,获得了各种形态的二氧化硅厚膜。其中包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2 厚膜 ,该膜厚度达到 4 0 μm以上 ,完全适合制作平面光波导器件。最后 ,利用XRD、SEM、光学显微镜等仪器对SiO2 膜的表面和膜厚进行了测试分析 ,并讨论了影响致密化SiO2

火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究

用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O3的SiO2光波导材料。用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响。结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2 SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降温,析晶过程受到很大抑制,但仍有析晶。在此GeO2 SiO2材料中掺入适量的B2O3后,得到了完全非晶态的GeO2 B2O3 SiO2材料,但B2O3掺入量过多时,又会导致析晶。

锗掺杂二氧化硅膜的紫外光致折变

研究了用火焰水解法制备的掺锗二氧化硅膜在KrF紫外激光下曝光后的结构和光学性质的变化。经过10 m in的照射后,在1550 nm处的折射率变化大约为3.41×10-3。采用原子力显微镜分析了曝光过程及膜的表面形貌。结果表明:随着曝光时间的延长,膜的致密性增加,表面粗糙度下降,折射率增大。

在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究

用火焰水解和高温烧结的方法在单晶硅基片上制备了厚SiO2 和B2 O3 P2 O5 SiO2 光波导包层材料。并用扫描电镜 (SEM)和X射线粉末衍射 (XRD)方法对其微观形貌和物相结构进行了观察和检测。重点对硅基片上沉积厚SiO2 时的龟裂和析晶问题进行了深入研究。从扫描电镜照片可以看出 ,火焰水解法形成的SiO2 粉末呈多孔的蜂窝状结构。这种粉末具有很高的比表面积 ,因而很容易烧结成玻璃。X射线衍射图谱表明 ,这种粉末是完全非晶态的。经过烧结以后 ,从扫描电镜照片可以明显看出硅基片上的SiO2 薄膜出现龟裂。同时 ,X射线衍射测试结果表明有少量SiO2 析晶。而通过在SiO2 中掺入B2 O3 、P2 O5,上述龟裂和析晶完全消失。用这种工艺制备的SiO2 波导包层材料厚度达到 2 0 μm以上 ,表面光滑、没有龟裂 ,而且是完全玻璃态的 ,可以用于制备性能优良的各种硅基二氧化硅波导器件。

硅基平面波导材料的制作

采用火焰水解法 (FHD)在Si基上淀积SiO2 预制材料 ,然后在真空中 空气气氛中高温处理 (1 380℃ ) ,制得玻璃化的SiO2 膜材料 ;该材料膜厚适中 (1 0 30 μm)、平整度好、光滑透明 ,适合制作单模、多模列阵平面波导光栅。并利用XRD、SEM、台阶仪等仪器对SiO2 膜进行了测试分析。

厚二氧化硅光波导薄膜的制备

随着光通信的飞速发展,Si基SiO2平面光波导集成器件的应用更加重要和广泛。在Si基上制备高质量的厚SiO2 薄膜,是制作SiO2光波导及其集成器件的基础。本文介绍了Si基厚SiO2薄膜的几种制备方法。