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题名一种面向Flash存算阵列的可调电荷泵
被引量:1
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作者
刘泊志
虞致国
顾晓峰
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机构
江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2023年第5期861-868,共8页
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基金
江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(BE2023019-3)
长三角科技创新共同体联合攻关项目(2022CSJGG0402)
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文摘
Flash存算阵列在工作模式下需要用到不同内部驱动电压,因此基于当前各类Dickson型电荷泵,设计了一种针对Flash存算阵列的可调电荷泵。采用一种新型输出级的交叉耦合设计,解决了传统电荷泵最后一级阈值电压导致的低泵送效率的问题,并通过辅助MOS管增强了传统电荷泵中体源二极管对反向漏电流的抑制能力。55 nm CMOS工艺下的仿真结果表明,与改进前的电荷泵相比,在电源电压1.8 V和300μA的工作电流下,中间级反向漏电流减少了17.5%,输出级反向漏电流减少了73.1%。无反馈调节时,主电荷泵最高输出电压为9.56 V,电压效率达88.51%。PFM可调制模式下,可重构电荷泵能实现输出电压切换。
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关键词
flash存算器件
电荷泵
体源二极管
交叉耦合
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Keywords
flash memory device
charge pump
body-source diode
cross-coupled
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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