Flash移动存储器的购买和使用

引导系统的工作完全可以用带有引导程序的光盘来完成。由此可见，软驱是购机时的两难选择，往往只是因为以备不时之需而考虑花上100元的“冤枉钱”，而最让人不放心的还是在使用软驱时，经常会出现数据丢失和损坏的经历，真是拿它没办法。这时，利用新一代的存储工具——闪存存储器便进入了我的视线之中。

精选细选 正确使用——Flash移动存储器采购指南

Flash移动存储器厂商在技术上积极革新,在不断推出新品的同时,也使得产品的成本得到了有效的控制。众多厂商的Flash移动存储器价格纷纷下调,Flash移动存储器逐渐得到了广大普通用户的认同,本期“采购指导”就和大家一起聊一聊Flash移动存储器的采购。

移动存储市场中的宠儿——USB FLASH移动存储器采购专集

小巧、轻便、功能强大的USB FLASH移动存储器已成为移动存储市场中的新宠。您想了解近期市场中主流USBFLASH移动存储器的情况吗?敬请关注本期“采购专集”的详细报道。

基于FPGA的FLASH存储器三温功能测试系统设计

由于大容量FLASH存储器全地址功能测试时间较长,在自动化测试设备(ATE)上进行高低温测试时,长时间使用热流罩会导致测试设备运行异常。为把存储器测试过程中耗时最长的全地址功能测试部分从ATE机台上分离出来,设计一个基于FPGA的驱动板卡,结合MSCAN和Checkerboard算法实现了对被测芯片激励信号的施加;然后,设计一个12工位的驱动板卡,实现了在三温条件下的多芯片同步测试;接着,设计一个基于Qt的上位机软件,实现了对测试结果的实时显示与存储;最后,对2 GB大容量FLASH存储器进行测试验证。测试结果表明,与传统的ATE测试相比,基于驱动板和工位板的测试系统可实现对大容量FLASH的全地址功能的高低温测试,且工位板具有的高可扩展性可实现多芯片的同步测试,大幅提高了测试效率。

内嵌Flash存储器可靠性评估方法的分析及应用

介绍了存储器分类及Flash存储器的基本结构,分析了非易失性存储器(NVM)可靠性试验标准的特点。从试验项目、试验条件、样品数量和数据图形等方面比较了JEDEC和AEC发布的NVM可靠性试验的标准和方法。以2款存储容量分别为64 kB和128 kB的MCU芯片为试验对象,依据JEDEC和AEC发布的试验标准和方法,设计了针对MCU芯片内嵌Flash存储器可靠性的评估试验,为Flash存储器的设计和验证工作提供参考。

面向FLASH存储器应用的电压自举电荷泵电路设计

基于SMIC 0.18μm 1P6M工艺,设计出一款面向FLASH存储器应用需求的开环电荷泵升压电路。该电路主要由振荡电路、分频电路、非交叠时序电路、电荷泵和高压选择电路组成。为实现电荷泵电压的自举,本设计采用高电压选择电路和开环无反馈结构电荷泵,通过调整电容比值,满足不同的输出升压需求。仿真结果表明,在电源电压为1.8 V、内部开关时钟频率为50 kHz、带载为5 mA的条件下,电荷泵的输出电压为3.3 V,纹波仅为10 mV,升压效率高达96%。与其他电荷泵相比,本设计提高了输出效率,可满足不同输出升压的需求。

适用于FPGA与Nand flash阵列星载固态存储器的坏块管理方法

随着遥感、雷达、通信技术的快速发展,卫星有效载荷速率爆发式增长,星载固态存储器需要存储的数据量越来越大,存储速率越来越高,存储读写次数越来越多。作为当前星载固存的主流产品,基于FPGA和Nand flash的星载固态存储器所需的Nand flash数量越来越多,单片容量越来越大。受限于Nand flash的工艺特性,基于FPGA和Nand flash的固态存储器在其生命周期内会产生更多的坏块,从而影响记录载荷数据的正确性。针对星载固态存储器使用过程中产生再生坏块问题,提出了一种基于实时坏块检测、标注和坏块数据自主搬移、坏块自主回收的固态存储器坏块管理方案,有效地消除了再生坏块对载荷数据正确性的影响,降低了再生超级坏块数据的错误扩散和重复错误概率。方案已经过测试验证并已具有多个型号飞行经历,是一种简单、高效、可靠的星载固态存储器坏块管理方法。

基于Flash混合存储的数据迁移技术研究

混合存储系统内的数据结构较为混乱,为提高数据迁移效率,减少其响应时间,设计基于Flash混合存储的数据迁移技术。综合比较Flash存储器、固态硬盘存储器以及磁盘存储器的存储效果,对存储介质进行缓存分层,整理其在同层结构与分层结构中的读写顺序;计算文件的时间长度值,获取文件读写频率以及单位时间内的文件访问量,计算文件预期价值,并得到相应的约束条件,由此建立数据价值评定模型,设计数据迁移算法。实验结果表明,在邮件负载条件下效果更好,在不同时段内,响应时间均不超过3 s,因此该数据迁移技术的响应时间较短,性能较好。

应用于Flash存储器的一种高效低纹波电荷泵设计

针对交叉耦合型电荷泵电荷回流的问题,本文提出了一种新型六相位电荷泵结构,电荷泵的主体由3个NMOS管和3个泵电容组成。考虑到时钟驱动能力对电荷泵性能的影响,设计通过增加额外的时钟驱动模块实现四相位到六相位的时钟转换,从而减小电荷泵的上升时间并改善输出电压。此外,电路采用并联双支路结构减小输出电容的充放电时间间隔,以减小输出纹波。基于0.13μm工艺的仿真结果表明,在时钟频率为20MHz,负载电容为50pF,负载电流为300μA的条件下,该电路可以实现3.3V到15V的电压转换,效率可达到67.7%,输出纹波仅为38.5mV。

可变容量的高可靠Flash型FPGA配置存储器设计

采用0.18μm 2P6M Flash工艺设计了一款FPGA配置存储器,为SRAM型FPGA提供了串行和并行的码流加载方式,最高工作频率为50 MHz,具有存储容量可变、可靠性高的优点。通过设计地址侦测电路实现了该FPGA配置芯片的存储容量可变,从而提高了该配置芯片的适用范围;通过设计双模的复位电路,使芯片更适应复杂的电源环境,提高了上电复位的可靠性;通过设计存储器内建自测试(MBIST)电路,实现了对Flash全地址存储空间的自测试和对电路的高效筛选,减少了芯片的测试时间,同时提高了配置芯片存储空间的可靠性。

3D NAND flash存储器总剂量效应研究

针对大容量NAND flash在空间环境应用时容易由总剂量诱发故障的问题,设计相关实验对3D NAND flash存储器样片进行辐照测试,研究其总剂量效应的发生规律。采用钴60γ射线源作为辐照源,以10 krad(Si)~80 krad(Si)条件进行辐照实验,找到3D NAND flash存储器的编程功能以及擦除功能开始出现故障时对应的总剂量程度,以及读取功能仍然正常的总剂量条件。研究重点关注位于上下边缘的层对总剂量的敏感度,以及由其导致的不同层之间的错误比特数“U”型曲线。围绕试验结果,对不同的辐照场景下主控芯片的设计及应用情况做了详细讨论。

Flash存储器技术与发展

Flash存储器是在 2 0世纪 80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器 ,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点 ,是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对 Flash存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨。

亚迅Flash Memory移动存储器

自从USB出现至今只短短的几年时间,便以其连接方便,传输速度决等优点逐渐成为了电恼中的标准接口,基于USB接口的各种设备也在不断增加。而由于软驱的容量小,易损坏等缺点,采用USB接口的移动存储设备便纷纷出现,而各种采用FlashMemory的闪盘以其机身小,容量大,安装方便等优点受到了广大用户的青睐。

基于大容量FLASH存储器的FPGA重构系统的设计与实现

随着FPGA在各种工业应用越来越广泛,FPGA重构技术在快速的FPGA自动测试中应用越来越广泛。传统的基于JTAG方式和基于配置芯片的FPGA重构方案由于存储配置时间长,配置芯片成本高等原因越来越满足不了快速的多重配置需求。提出了一种基于大容量FLASH存储器的FPGA重构技术,方案采用FPGA作为主控制器,大容量FLASH芯片用于存储目标FPGA的配置数据,可以实现绝大部分不同型号的FPGA器件的快速多重重构,从而满足FPGA芯片快速自动测试需求,提高了整体程序开发和测试效率,节约了芯片的测试成本。

FLASH存储器的在系统编程及其在DSP系统中的应用

FLASH存储器的在系统编程技术及其基本命令,并结合TMS320C3X系列DSP的上电系统自动引导功能,介绍了利用该技术将用户程序代码烧写到FLASH存储器中的方法。该方法能够实现DSP系统上电后的用户程序自动引导。

空间光学遥感器中Flash存储器的辐射效应与加固

从电路结构入手，分析了工作在某空间光学遥感器中的Flash存储器在空间环境下由电离辐射（总剂量）效应造成器件失效的机理。认为电离作用使晶体管的阈值电压漂移，引起Flash的控制电路与存储单元失效，且相对于浮栅结构的存储单元，控制电路对辐射更敏感；陷阱电荷的积累使器件的静态电流、动态电流增大。对器件进行了60Co7射线总剂量辐射实验，得出器件的失效阈值在15～20krad（Si），并验证了上述分析结果。提出了N模冗余、校验码、冷备份等抗辐射加固方法。

基于Flash存储器的抗高过载电子记录器关键技术研究

在高达数万g的爆炸抛撒过载和数万g的穿甲过载的恶劣环境下,提高电子记录器的抗过载能力是获取数据的前提,针对这一需求在大量试验的基础上,根据工程实际设计了以Flash存储器为存储介质,以FPGA为主控制器,高速多通道ADC实现模数转换器的电子记录器。提出了可靠启动技术、时钟技术、Flash存储器防误擦除技术、防护技术等关键技术,通过了炮击钢靶实验,验证了根据这些关键技术所研制的电子记录器具有强抗过载能力和高可靠性。