FlipChip焊点振动疲劳寿命预测模型

应用超单元技术并结合局部 /整体三维有限元模型 ,以 Flip Chip封装体系为例 ,对 FlipChip焊点的振动疲劳可靠性问题进行研究 .基于三带技术和高周疲劳关系式 ,提出了 Flip Chip典型焊点的随机振动环境中的振动疲劳寿命预测模型 ,并把预测得到的振动疲劳寿命和热疲劳寿命进行比较 ,证实了振动疲劳对 Flip Chip焊点寿命影响的重要性 .利用应力 /应变分析结果 。

FlipChip International宣布与中芯国际达成300mm战略合作关系

覆晶凸块植球（flip—chip bumping）与晶圆级封装领域的全球技术领先者FlipChip International，LLC （FCI）3月16日宣布，该公司已经与中国规模最大、技术最先进的半导体代工企业中芯国际集成电路制造有限公司（简称“中芯国际”）就300mm覆晶凸块植球与晶圆级封装达成了一项合作关系。

先进芯片封装技术

微电子技术的飞速发展也推动了新型芯片封装技术的研究和开发。本文主要介绍了几种新型芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析。

微电子封装技术的发展趋势

微电子封装技术是当今电子元器件发展技术中最主要的技术之一 ,它始终伴随着电子元器件技术的发展而发展 ,本文综述了微电子封装技术从片式元器件到COB和FlipChip芯片封装技术以及多芯片封装的技术发展过程。并对今后电子元器件封装技术的发展趋势进行了探讨。

以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究

详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀镍与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明，两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于10MPa。同时对这两钟方法的特点与适用范围进行概述。

中科院EDA中心1053个管脚FCBGA封装顺利通过测试

由中科院EDA中心为中科院计算所互连交换芯片D5K Switch开发的1053个管脚Flipchip—BGA封装日前顺利通过测试，该芯片用于863计划重大专项支持的曙光5000A高效能计算机。封装好的D5K Switch芯片已于09年4月16日在计算所通过DSP测试，正在进行的功能测试表明该芯片工作正常。

倒装芯片衬底粘接材料对大功率LED热特性的影响

针对倒装芯片(Flipchip)大功率发光二极管器件,描述了大功率LED器件的热阻特性,建立了Flipchip衬底粘接材料的厚度和热导系数与粘接材料热阻的关系曲线,以三类典型粘接材料为例计算了不同厚度下的热阻,得出了Flipchip衬底粘接材料选择的不同对大功率LED的热阻存在较大影响的结论。

助焊剂残留对底部填充粘接强度的影响

随着封装工艺的不断发展,芯片I/O数越来越多,高密度芯片封装必须采用倒装焊的形式。底部填充作为芯片倒装焊封装后的加固工艺,填充胶与倒装焊使用的助焊剂的兼容性对于研究倒装焊电路的长期可靠性至关重要。分析了底部填充胶与助焊剂的兼容性,以及助焊剂的残留对底部填充胶加固效果的影响。若助焊剂清洗不干净,会导致底部填充胶的粘接力下降,影响器件的质量。

应用于红外焦平面铟柱互连的封装技术

焦平面技术在红外侦察系统和红外成像导弹系统等军事领域都已经进入实际应用阶段,同时还将扩展到诸如工业监控测温、医疗卫生、海上救援、车辆和舰船的驾驶员夜视增强观察仪等广阔的民用领域。红外焦平面阵列是红外成像的核心部件,对于红外焦平面铟柱的连结方式目前主要是通过倒装焊的封装方式,通过涂敷助焊剂并通过红外回流将其重要组成部分的探测器和读出电路互连起来。文章主要介绍了应用于红外焦平面铟柱互连的倒装焊封装技术及其可靠性的影响。

大尺寸高铅凸点倒扣焊芯片的焊接过程控制

新一代航天工程、战略武器装备对电子系统提出了高性能、智能化、小型化、轻质化和高可靠的迫切需求,推动了系统级封装(SiP)的快速发展。微组装技术方面,在传统基于裸芯片堆叠、引线键合组装技术的基础上,基于TSV硅转接板的芯片级微凸点倒扣焊技术得到快速发展,该技术大大增加了输入/输出端的数目,可提供更短的引线、更小的电感、更高的频率、更好的噪声控制、更高的互连密度、更小的器件外形以及更低的器件安装高度。针对芯片级倒扣焊的工艺方法和可靠性研究已成为高性能SiP模块发展的重点研究方向。结合一款航天SiP模块实际应用需求,针对大尺寸高铅凸点倒扣焊芯片与SnAg凸台TSV硅基板结构,通过不同倒扣焊方式过程控制及可靠性影响进行分析研究,为高性能航天电子产品的倒扣焊技术研究提供思路。