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一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究
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作者 黄磊 李健根 +2 位作者 陆泽灼 俞齐声 陈文锁 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期277-281,共5页
薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Inj... 薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Injection Enhancement, IE)快速LIGBT新结构器件(F-IE-LIGBT),并对其工作机理进行了理论分析和模拟仿真验证。该新结构F-IE-LIGBT器件整体构建在薄顶层硅SOI衬底材料上,其集电极采用注入增强结构和电势控制结构设计。器件及电路联合模拟仿真说明:新结构F-IE-LIGBT器件在获得较小正向饱和电压的同时,减小了关断拖尾电流,实现了快速关断特性。新结构F-IE-LIGBT器件非常适用于SOI基高压功率集成电路。 展开更多
关键词 SOI 横向绝缘栅双极型晶体管 快速关断 拖尾电流 正向饱和电压
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肖特基结多数载流子积累新型绝缘栅双极晶体管
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作者 段宝兴 刘雨林 +1 位作者 唐春萍 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期325-332,共8页
绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析.... 绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析.当新型IGBT处于导通状态,栅极施加正向偏压,由于肖特基势垒二极管极低的正向导通压降,使得栅半导体层的电压几乎等于栅极电压,从而能够在漂移区中积累大量的多数载流子电子.除了现有的电子外,这些积累的电子增大了漂移区的电导率,从而显著降低了正向导通压降.因此,打破了传统IGBT正向导通压降受漂移区掺杂浓度的限制.轻掺杂的漂移区可以使新型IGBT具有较高的击穿电压,同时减小了关断过程中器件内部耗尽层电容,因此整体米勒电容减小,提升了关断速度,减小了关断时间和关断损耗.分析结果表明,600 V级别的击穿电压时,新型IGBT的正向导通压降,关断损耗和关断时间相比常规IGBT分别降低了46.2%,52.5%,30%,打破了IGBT中正向导通压降和关断损耗之间的矛盾.此外,新型IGBT具有更高的抗闩锁能力和更大的正偏安全工作区.新型结构的提出满足了未来IGBT器件性能的发展要求,对于功率半导体器件领域具有重大指导意义. 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 积累模式 正向导通压降 关断损耗
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IGBT结温与饱和压降耦合机理研究
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作者 厉孟 王俊炎 +1 位作者 杜会卿 梁帅 《船电技术》 2024年第3期23-26,共4页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温是影响变流器系统寿命、评估其可靠性的重要参数,而集-射极饱和压降是实现结温在线监测的关键热敏电参数。为深入研究IGBT结温与集-射极饱和压降间的耦合关系,本文从物理结构层面构建了IGBT饱和压降温度特... 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温是影响变流器系统寿命、评估其可靠性的重要参数,而集-射极饱和压降是实现结温在线监测的关键热敏电参数。为深入研究IGBT结温与集-射极饱和压降间的耦合关系,本文从物理结构层面构建了IGBT饱和压降温度特性模型,分析了不同电流面密度下饱和压降与结温的关系机理,通过搭建IGBT静态特性测试平台,进一步探究了饱和压降与结温之间存在近似线性关系,进而基于动态特性测试平台,验证了理论分析的正确性。实验结果表明,在一定集电极电流条件下,IGBT饱和压降与结温呈现近似线性关系。在此基础上,对IGBT结温在线监测方法提出了建议。 展开更多
关键词 IGBT 饱和压降 结温 特性测试
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Enhanced AC Fault Ride-through Control for MMC-integrated System Based on Active PCC Voltage Drop
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作者 Haihan Ye Wu Chen +3 位作者 Heng Wu Wu Cao Guoqing He Guanghui Li 《Journal of Modern Power Systems and Clean Energy》 SCIE EI CSCD 2023年第4期1316-1330,共15页
When a renewable energy station(RES)connects to the rectifier station(RS)of a modular multilevel converterbased high-voltage direct current(MMC-HVDC)system,the voltage at the point of common coupling(PCC)is determined... When a renewable energy station(RES)connects to the rectifier station(RS)of a modular multilevel converterbased high-voltage direct current(MMC-HVDC)system,the voltage at the point of common coupling(PCC)is determined by RS control methods.For example,RS control may become saturated under fault,and causes the RS to change from an equivalent voltage source to an equivalent current source,making fault analysis more complicated.In addition,the grid code of the fault ride-through(FRT)requires the RES to output current according to its terminal voltage.This changes the fault point voltage and leads to RES voltage regulation and current redistribution,resulting in fault response interactions.To address these issues,this study describes how an MMC-integrated system has five operation modes and three common characteristics under the duration of the fault.The study also reveals several instances of RS performance degradation such as AC voltage loop saturation,and shows that RS power reversal can be significantly improved.An enhanced AC FRT control method is proposed to achieve controllable PCC voltage and continuous power transmission by actively reducing the PCC voltage amplitude.The robustness of the method is theoretically proven under parameter variation and operation mode switching.Finally,the feasibility of the proposed method is verified through MATLAB/Simulink results. 展开更多
关键词 Modular multilevel converter-based high-voltage direct current(MMC-HVDC)system fault ride-through(FRT) voltage loop saturation continuous power transmission point of common coupling(PCC) active voltage drop control
原文传递
基于导通饱和压降的IGBT器件结温在线提取方法 被引量:2
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作者 王泽群 田小宇 +1 位作者 宋致儒 宋文胜 《机车电传动》 北大核心 2023年第5期170-176,共7页
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块的结温与工作性能、寿命及其可靠性密切相关,实现IGBT结温在线监测对电力电子系统可靠性提升与服役寿命的延长有着重要意义。文章基于IGBT的导通压降,分别构建了小电流... 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块的结温与工作性能、寿命及其可靠性密切相关,实现IGBT结温在线监测对电力电子系统可靠性提升与服役寿命的延长有着重要意义。文章基于IGBT的导通压降,分别构建了小电流和大电流饱和压降法结温监测模型和测量电路,实现IGBT结温的精确在线监测。首先,结合IGBT的工作原理,推导了导通压降的表达式;然后,根据小电流和大电流饱和压降的特点,分别建立了其结温监测模型;最后,设计了小电流恒流源电路和导通压降采样电路,并进行试验验证。试验结果表明:小电流饱和压降与IGBT结温呈线性关系,大电流饱和压降与结温呈非线性关系,并且二者实现结温监测的误差分别为1.29%和4.91%。 展开更多
关键词 IGBT模块 导通压降 结温测量 小电流下的饱和压降法 大电流下的饱和压降法
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低导通压降MOS控制晶闸管的研制
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作者 刘中梦雪 黄伟 +4 位作者 刘垚 张海峰 段懿晨 丁继洪 赵建强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期476-481,487,共7页
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行... 基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1600 V,脉冲峰值阳极电流为3640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。 展开更多
关键词 MOS控制晶闸管(MCT) 导通压降 正向阻断电压 p基区 静态特性
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交流励磁发电机励磁电源管压降引起的谐波及其消除方法的研究 被引量:14
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作者 廖勇 姚骏 杨顺昌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第4期151-156,共6页
交流励磁发电机由于能够实现有功、无功和转速的独立调节,在改善超高压电力系统的稳定性以及变速恒频发电等领域有着广泛的应用前景。交-直-交电压源变频器以其优良的输出特性可用作这类发电机的励磁电源。交流励磁发电机励磁电压较低,... 交流励磁发电机由于能够实现有功、无功和转速的独立调节,在改善超高压电力系统的稳定性以及变速恒频发电等领域有着广泛的应用前景。交-直-交电压源变频器以其优良的输出特性可用作这类发电机的励磁电源。交流励磁发电机励磁电压较低,因励磁主回路器件(如 IGBT)自身特性的影响,使得这类变频器在低压输出时,输出电压波形发生严重畸变,导致交流励磁发电机的转子电流谐波增大,定子输出电压、电流谐波增加。该文详细分析了由器件特性引起的谐波增大的机理,提出了管压降补偿的方法。仿真与实验结果均说明分析是正确的,提出的补偿方法是有效的。 展开更多
关键词 交流励磁发电机 励磁电源 管压降 谐波 电力系统 稳定性 变频器
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IGBT集电极电压高精度测量方法研究 被引量:6
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作者 胡亮灯 赵治华 +1 位作者 孙驰 任强 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第6期96-106,共11页
IGBT导通和截止电压相差较大,传统的检测电路无法实现其宽范围、高精确度的测量。首先,本文提出了一种IGBT导通和截止电压集成的测量电路,实现了IGBT导通和截止电压的准确测量。进而给出了具有高动态性能的IGBT截止和导通电压分立测量电... IGBT导通和截止电压相差较大,传统的检测电路无法实现其宽范围、高精确度的测量。首先,本文提出了一种IGBT导通和截止电压集成的测量电路,实现了IGBT导通和截止电压的准确测量。进而给出了具有高动态性能的IGBT截止和导通电压分立测量电路,前者通过电阻分压、电容补偿实现了IGBT开关暂态集电极电压的高带宽测量;后者利用电流源给二极管注入微小电流实现IGBT导通饱和压降的精确测量,并实验验证了IGBT导通和截止集电极电压测量电路的高带宽和高精确度性能,测量精确度分别为5m V和10V。最后,对IGBT导通饱和压降-结温-集电极电流三者间存在的线性关系进行实验验证,并结合IGBT输出特性形成的分段线性函数,形成了更简单、实用的IGBT结温在线估计方法。 展开更多
关键词 IGBT 集电极电压 饱和压降 测量
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模块化多电平变换器的系统状态方程及等效模型 被引量:19
9
作者 陈耀军 陈柏超 +1 位作者 田翠华 袁佳歆 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第1期167-176,共10页
模块化多电平变换器(modular multilevel converter,MMC)由于其模块及变量数量众多,造成其仿真及分析的困难。在忽略系统高频分量及假定模块电容电压均等的前提下,引入正负桥臂电容电压之和及差作为新的变量,并和环流及输出电流一起建... 模块化多电平变换器(modular multilevel converter,MMC)由于其模块及变量数量众多,造成其仿真及分析的困难。在忽略系统高频分量及假定模块电容电压均等的前提下,引入正负桥臂电容电压之和及差作为新的变量,并和环流及输出电流一起建立了系统的状态方程。以该方程为基础,提出了系统的一种等效模型。该模型以简单的电容和逆变器模型为基础,从而使得系统分析变得十分直观和简单。为提高模型的精确性,该文分析了死区及IGBT饱和压降对系统的影响,给出了修改后的等效模型及其s域模型,该模型可以替换实际的MMC系统用于仿真研究,而不必考虑仿真速度的问题。最后,通过仿真和实验证实了所提模型的正确性。 展开更多
关键词 模块化多电平变换器 状态方程 等效模型 死区 IGBT饱和压降
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电网电压跌落时风机变流器功率平衡控制策略 被引量:20
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作者 李少林 李庆 +2 位作者 谭理华 邵文昌 王瑞明 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2011年第6期149-154,共6页
风机变流器是风电机组实现低电压穿越的关键部件,其控制性能的提升有利于提高风电机组的低电压穿越能力。基于变流器功率平衡控制思想,提出了网侧变流器改进型负载前馈控制策略,提升了网侧变流器的稳压与能量转移能力,缓和了电网故障期... 风机变流器是风电机组实现低电压穿越的关键部件,其控制性能的提升有利于提高风电机组的低电压穿越能力。基于变流器功率平衡控制思想,提出了网侧变流器改进型负载前馈控制策略,提升了网侧变流器的稳压与能量转移能力,缓和了电网故障期间的系统能量失衡,改善了风机变流器及风电机组的低电压穿越能力。控制系统的小信号模型分析结果表明,上述控制策略的稳压与能量转移能力优于传统控制策略。永磁同步风力发电机组系统仿真进一步证明了上述理论分析的正确性。 展开更多
关键词 电压跌落 低电压穿越 风机变流器 功率平衡控制 负载前馈控制 网侧变流器
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激光二极管正向电特性的精确检测 被引量:6
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作者 丛红侠 冯列峰 +4 位作者 王军 朱传云 王存达 谢雪松 吕长志 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期105-109,共5页
采用正向交流特性结合I-V特性的方法,检测了激光二极管的串联电阻、理想因子、结电压和结电容与外加电压或电流的关系.首次发现,激光二极管的结电压、串联电阻、理想因子和结电容在阈值附近同时出现了明显的阶跃,之后结电压呈现饱和.此... 采用正向交流特性结合I-V特性的方法,检测了激光二极管的串联电阻、理想因子、结电压和结电容与外加电压或电流的关系.首次发现,激光二极管的结电压、串联电阻、理想因子和结电容在阈值附近同时出现了明显的阶跃,之后结电压呈现饱和.此外还观察到,在较低的测试频率和较大的正向电压下,激光二极管的结电容具有负值. 展开更多
关键词 正向交流特性 激光二极管 激光阈值 阶跃 结电压饱和 负电容
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风电变流器IGBT模块工作结温估算研究 被引量:7
12
作者 姚芳 胡洋 +2 位作者 唐圣学 曹博 李志刚 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第8期26-33,共8页
针对风电变流器中的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)工作结温估算精度低、难度大的问题,分析了IGBT模块的伏安特性和温敏特性,进而建立了一种基于饱和压降的结温估算物理模型;通过IGBT模块的伏安特性和温敏特性试验,获取了IGBT模块在不同集电... 针对风电变流器中的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)工作结温估算精度低、难度大的问题,分析了IGBT模块的伏安特性和温敏特性,进而建立了一种基于饱和压降的结温估算物理模型;通过IGBT模块的伏安特性和温敏特性试验,获取了IGBT模块在不同集电极电流下的饱和压降温敏特性曲线,进而基于饱和压降提出了一种结温估算数学模型。研究结果表明,物理模型相比数学模型精度较高,但需获取器件各物理参数准确值,建模过程较复杂;数学模型无需了解器件物理机理,但精度相对较低。实际风电工况中可根据精度需要选择物理模型或数学模型,这为IGBT模块和风电机组的状态监测和安全评估提供了一种新思路。 展开更多
关键词 IGBT模块 工作结温估算 饱和压降 通态伏安特性 温敏特性
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6000伏晶闸管正向压降的计算机模拟 被引量:4
13
作者 陈治明 赵旭东 +1 位作者 高勇 王正鸣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第5期368-374,共7页
介绍用数值分析方法对6000V特大功率晶闸管的正向压降进行计算机模拟,对降低正向压降的途径进行计算机辅助分析的一些基本考虑和主要结果。在强调重掺杂与大注入效应的时候,提出了一种修正的少数载流子寿命模型。根据模拟结果对决定正... 介绍用数值分析方法对6000V特大功率晶闸管的正向压降进行计算机模拟,对降低正向压降的途径进行计算机辅助分析的一些基本考虑和主要结果。在强调重掺杂与大注入效应的时候,提出了一种修正的少数载流子寿命模型。根据模拟结果对决定正向压降的物理因素和工艺因素进行了讨论。 展开更多
关键词 晶闸管 正向降压 计算机模拟
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电压型PWM逆变器输出误差分析及其补偿 被引量:23
14
作者 陈硕 薛昭武 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第2期51-55,共5页
由于死区时间和电力电子器件IGBT非理想特性的影响 ,PWM逆变器存在输出误差 ,使得众多的调速方案在低速运行时性能不佳或无法实现调速。本文详细分析死区时间和IGBT非理想特性对输出电压的影响 ,提出测量IGBT非理想特性方法和输出误差... 由于死区时间和电力电子器件IGBT非理想特性的影响 ,PWM逆变器存在输出误差 ,使得众多的调速方案在低速运行时性能不佳或无法实现调速。本文详细分析死区时间和IGBT非理想特性对输出电压的影响 ,提出测量IGBT非理想特性方法和输出误差补偿法 ,并通过实验验证了误差补偿法的有效性。 展开更多
关键词 电压型PWM逆变器 IGBT 误差分析 误差补偿
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阳极氧化铝基板封装LED的结温与热阻的研究 被引量:7
15
作者 钟前刚 方亮 +2 位作者 何建 艾超 魏文侯 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期842-845,共4页
采用阳极氧化法制备了氧化铝薄膜铝基板,并将3种功率(1W、3W、5W)的3种颜色(红、蓝、绿)的9种LED分别封装在所制备的铝基板和深圳光恒光电公司的铝基板上,利用正向压降法测试了其结温和热阻,发现:在LED颜色和功率相同的情况下,自制阳极... 采用阳极氧化法制备了氧化铝薄膜铝基板,并将3种功率(1W、3W、5W)的3种颜色(红、蓝、绿)的9种LED分别封装在所制备的铝基板和深圳光恒光电公司的铝基板上,利用正向压降法测试了其结温和热阻,发现:在LED颜色和功率相同的情况下,自制阳极氧化铝基板封装的LED的结温比封装在光恒铝基板上的低2.8~19.4℃,热阻低1.8~9.0K/W,表明自制铝基板的散热性能更优。 展开更多
关键词 LED 结温 热阻 散热 铝基板 阳极氧化 正向压降法
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新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计 被引量:10
16
作者 高勇 陈波涛 杨媛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期735-740,共6页
将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进 ,提出了新型SiGe/Si异质结p i n开关功率二极管结构 ,在分析器件结构机理的基础上 ,用Medici模拟了该器件的特性并进行了优化设计 .结果表明 ,该功率二极管具有低的正向压降 ,较少的存贮电荷 ... 将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进 ,提出了新型SiGe/Si异质结p i n开关功率二极管结构 ,在分析器件结构机理的基础上 ,用Medici模拟了该器件的特性并进行了优化设计 .结果表明 ,该功率二极管具有低的正向压降 ,较少的存贮电荷 ,其性能远远超过Si的同类型结构 .这种性能的改进无需采用少子寿命控制技术 ,因而很容易集成于功率IC中 . 展开更多
关键词 开关功率二极管 SIGE/SI异质结 功率损耗 通态压降 存贮电荷
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基于IGBT模块饱和压降温度特性的结温探测研究 被引量:5
17
作者 姚芳 王少杰 李志刚 《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第2期291-295,共5页
实验室条件下,IGBT模块的结温探测是瞬态热阻抗测试的关键。首先分别在热稳态和热瞬态下证明了饱和压降温度特性只与芯片有关,然后建立了IGBT模块结温探测模型,利用饱和压降值和集电极电流值来计算结温值,并将用模型计算出的结温与光纤... 实验室条件下,IGBT模块的结温探测是瞬态热阻抗测试的关键。首先分别在热稳态和热瞬态下证明了饱和压降温度特性只与芯片有关,然后建立了IGBT模块结温探测模型,利用饱和压降值和集电极电流值来计算结温值,并将用模型计算出的结温与光纤实测的结温相比较,吻合性良好,证明了模型计算法能够准确探测结温。该方法可以用于恒流加热过程中瞬态热阻抗的测量,比起热敏参数法中冷却过程测量瞬态热阻抗相比,更具有实际意义。 展开更多
关键词 IGBT 结温探测 温度特性 饱和压降
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铂扩散工艺对硅快恢复二极管特性的影响 被引量:5
18
作者 曾祥斌 孙树梅 +1 位作者 袁德成 蒋陆金 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期73-76,共4页
采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片,采取铂扩散的方法引入复合中心,从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间.通过大量实验研究了铂扩散二极管的特性,表明在扩散时间一定的条件下,随着铂扩散温度的升高,反向恢复时间TR... 采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片,采取铂扩散的方法引入复合中心,从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间.通过大量实验研究了铂扩散二极管的特性,表明在扩散时间一定的条件下,随着铂扩散温度的升高,反向恢复时间TRR呈线性下降趋势;并且相同扩散温度条件下,电阻率越小的样品TRR值越小.随着铂扩散时间的增加,TRR值逐渐减小.分析了TRR以及正向压降VF的温度特性,表明随着工作温度的升高,TRR呈上升趋势,而VF随温度的升高而下降. 展开更多
关键词 铂扩散 反向恢复时间 正向压降 漏电流
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直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究 被引量:2
19
作者 周涛 陆晓东 +1 位作者 吴元庆 夏婷婷 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第2期73-78,共6页
集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCAD半导体器件仿真软件完成了一款基于三... 集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCAD半导体器件仿真软件完成了一款基于三重扩散工艺的双极型高反压大功率开关晶体管的结构设计,然后全面系统地分析了高阻单晶硅电阻率和器件集电区厚度对I_(CM)、V_(CEO)、P_(CM)及V_(SB)影响。仿真结果表明:由器件仿真得到的电学性能满足大功率晶体管电参数指标要求,器件结构参数的选择及工艺条件的设计较合理。增大单晶硅电阻率,虽然有利于提高集-射击穿电压和器件抗二次击穿能力,但不利于集电极峰值电流和最大耗散功率的提高。增大器件集电区厚度只对集-射击穿电压的提高有利,而对集电极峰值电流、最大耗散功率及抗二次击穿能力均产生不利的影响。 展开更多
关键词 大功率 晶体管 集电极峰值电流 饱和压降 击穿电压 二次击穿
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局域寿命控制NPT-IGBTs稳态模型 被引量:1
20
作者 方健 蒋华平 +2 位作者 乔明 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期857-863,共7页
提出了局域寿命控制下的NPT-IGBT稳态模型.通过与二维器件数值仿真比较,表明模型结果和仿真结果能较好地吻合.基于该模型,详细地分析了局域寿命区的参数对器件正向特性的影响.通过对基区空穴浓度的分析,澄清了长期以来对于最优局域低寿... 提出了局域寿命控制下的NPT-IGBT稳态模型.通过与二维器件数值仿真比较,表明模型结果和仿真结果能较好地吻合.基于该模型,详细地分析了局域寿命区的参数对器件正向特性的影响.通过对基区空穴浓度的分析,澄清了长期以来对于最优局域低寿命区位置的不同看法,将各种结论统一起来. 展开更多
关键词 局域寿命控制 NPT-IGBT正向压降 电导调制
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