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Fabrication and field emission performance of arrays of vacuum microdiodes containing CuO nanowire emitters grown directly on glass without a catalyst 被引量:1
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作者 SHAO PengRui DENG ShaoZhi CHEN Jun XU NingSheng 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2011年第9期906-911,共6页
真空 microelectronic 来源的数组用含铜的氧化物(CuO ) 在玻璃底层上被制作 nanowire emitters。电子来源的数组拥有 microdiode 结构,它能有效地导致域排放并且在三极管类型设备操作控制射出的电子的交货到阳极。为没有使用催化剂并... 真空 microelectronic 来源的数组用含铜的氧化物(CuO ) 在玻璃底层上被制作 nanowire emitters。电子来源的数组拥有 microdiode 结构,它能有效地导致域排放并且在三极管类型设备操作控制射出的电子的交货到阳极。为没有使用催化剂并且在象 400 潩?敦摥慢正瀠牡浡瑥牥甠楳杮琠敨猠瑡汥楬整猭湥敳?潎浲污穩摥?晩敦敲据?敖敧慴楴湯?摮硥?一样低的温度,精确在一个数组在 microcavities 的中心种 CuO nanowires 的一种技术???湡?扯敳癲摥琠浥数慲畴敲?潦?桴?数楲摯ㄠ?有????污?敳獡湯?瘠来瑥瑡潩?硥牥獴愠洠'?瑳潲杮牥映牯楣杮漠??慭?桴湡漠??業?愠摮琠畨?慨???獢慴瑮慩?晥敦瑣漠?桴?楤牵慮?整灭牥瑡牵?慲杮??剔?癯牥?楨慮?楓湧晩捩湡?潰楳楴敶映敥'N捡獫漠??慭?湡?桴?呄?耶喌嚊?牡慥?景?楨慮眠瑩?桴? 展开更多
关键词 真空微电子器件 场发射性能 纳米线 氧化铜 催化剂 阵列 排放 玻璃
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Photo-enhanced field electron emission of cadmium sulfide nanowires
2
作者 ZHANG JinLing LV YingHua +3 位作者 LIU Ning LI YanQing GAO Peng BAI XueDong 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2011年第11期1963-1966,共4页
The response of field electron emission of cadmium sulfide (CdS) nanowires (NWs) to visible light has been investigated.It is found that,upon light illumination,the turn-on voltage drops,emission current increases obv... The response of field electron emission of cadmium sulfide (CdS) nanowires (NWs) to visible light has been investigated.It is found that,upon light illumination,the turn-on voltage drops,emission current increases obviously,and the Fowler-Nordheim behavior deviates from a straight line.A process of field emission coupled with semiconducting properties of CdS NWs is proposed.Photon-excited electron transition from the valence band to the conductance band of CdS nanowires increases the quantity of emitting electrons,and the photoemission decreases the effective work function of CdS emitters,which largely enhances the field emission performance.The response of field emission of CdS NWs to light illumination suggests an approach for tuning field emission of semiconductor emitters. 展开更多
关键词 场电子发射 纳米线 硫化镉 场发射性能 半导体性质 发射电子 电压下降 发射过程
原文传递
钼尖场致发射阵列阴极的性能研究 被引量:10
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作者 冯进军 丁明清 +4 位作者 张甫权 李兴辉 白国栋 彭自安 廖复疆 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期39-43,共5页
利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究 ,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试 ,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、... 利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究 ,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试 ,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流 ,测量了阴极阵列的发射稳定性和发射噪声。对发射的失效机理进行了实验研究和分析 ,认为发射失效的主要原因在于栅极和基底之间的漏电 ,尖锥和栅极孔间的暗电流 ,电极间的放电和放气 ,以及环境真空度和尖锥的不均匀性等。 展开更多
关键词 平板显示 钼尖场致发射阵列阴极 发射稳定性 失效机理 射频器件 显示器件
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Fowler-Nordheim公式用于实际场发射体的修正 被引量:2
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作者 罗恩泽 刘云鹏 +2 位作者 刘卫东 陈陆君 郑茂盛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期5-9,共5页
Fowler-Nordheim公式是一个在理想条件下推导的计算场致发射电流的公式。对场发射体的实验测量表明:实测结果往往比根据Fowler-Nordheim公式计算的结果大很多,说明这一理想化了的公式应用于实际场发射... Fowler-Nordheim公式是一个在理想条件下推导的计算场致发射电流的公式。对场发射体的实验测量表明:实测结果往往比根据Fowler-Nordheim公式计算的结果大很多,说明这一理想化了的公式应用于实际场发射体时,必须给予修正。本文讨论了产生这一问题的原因,并提出了合理的定量修正方法。 展开更多
关键词 场致发射 场发射体 场致发射电流 公式 计算
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Fowler-Nordheim公式应用于实际场发射体的修正 被引量:4
5
作者 罗恩泽 刘云鹏 +2 位作者 刘卫东 陈陆君 郑茂盛 《电子器件》 CAS 1994年第3期1-7,共7页
Fowler-Nordbeim公式是一个在理想条件下推导的计算场致发射电流的公式。对场发射体的实验测量表明:实验结果往往比根据Fowler-Nordheim公式计算的结果大得很多,说明这一理想化了的公式应用于实际场发... Fowler-Nordbeim公式是一个在理想条件下推导的计算场致发射电流的公式。对场发射体的实验测量表明:实验结果往往比根据Fowler-Nordheim公式计算的结果大得很多,说明这一理想化了的公式应用于实际场发射体时,必需得到修正。本文讨论了产生这一问题的原因,并提出了合理的定量修正方法。 展开更多
关键词 场致发射 场发射体 金属场 电流 公式 修正
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平板显示用场发射冷阴极材料 被引量:3
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作者 段新超 王小平 +2 位作者 王丽军 王隆洋 张雷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期8-12,共5页
简要介绍了场致发射显示器件的结构和原理,全面总结了人们正在研究的各种场发射冷阴极材料,其中主要包括金属场致发射阵列、硅场致发射阵列、金刚石及其相关薄膜、碳纳米管和纳米纤维、一维纳米材料、碳化物、氮化物薄膜等。并展望了场... 简要介绍了场致发射显示器件的结构和原理,全面总结了人们正在研究的各种场发射冷阴极材料,其中主要包括金属场致发射阵列、硅场致发射阵列、金刚石及其相关薄膜、碳纳米管和纳米纤维、一维纳米材料、碳化物、氮化物薄膜等。并展望了场致发射显示器件的发展前景。 展开更多
关键词 场致发射 冷阴极 场致发射阵列 金刚石薄膜 碳纳米管
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场致电子发射技术分析 被引量:6
7
作者 张连俊 赵立芳 罗恩泽 《电子器件》 CAS 2000年第3期210-213,共4页
本文介绍了场致发射的机理及场致发射的几种不同类型的阴极 ,叙述了类金刚石薄膜作为场致发射阴极的优点 ,最后对场致发射的应用进行了分析。
关键词 场致发射 阴极 类金刚石薄膜 场致发射器件
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公路隧道考虑多车型的CO海拔高度系数研究 被引量:7
8
作者 严涛 王明年 +2 位作者 郭春 殷杰 谢文强 《现代隧道技术》 EI CSCD 北大核心 2015年第3期8-13,54,共7页
现行公路隧道通风设计中考虑CO的海拔高度系数取值主要是针对低海拔隧道,而海拔超过2 200 m的取值均按照线性延伸处理。随着汽车技术水平的不断进步以及西部高海拔公路隧道的不断涌现,考虑CO的海拔高度系数规范取值正确与否值得商榷。... 现行公路隧道通风设计中考虑CO的海拔高度系数取值主要是针对低海拔隧道,而海拔超过2 200 m的取值均按照线性延伸处理。随着汽车技术水平的不断进步以及西部高海拔公路隧道的不断涌现,考虑CO的海拔高度系数规范取值正确与否值得商榷。文章通过对汽油车各车型CO排放量的现场实测,推导了一种考虑多车型的CO海拔高度系数的计算公式,提供了一种较为准确地计算隧道需风量的可行方法。依托某隧道工程实例,分别采用规范中考虑CO的海拔高度系数值以及考虑多车型CO海拔高度系数修正值来计算该隧道需风量及风机功率。通过对比分析,采用考虑多车型CO海拔高度系数修正值计算的风机功率将显著降低。 展开更多
关键词 高海拔公路隧道 考虑多车型CO海拔高度系数值 现场测试 公式推导 计算实例
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碳纳米管场发射特性的研究 被引量:2
9
作者 彭自安 朱宝华 +5 位作者 陈其略 冯进军 李兴辉 朱洁 毛东军 曹安源 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第6期411-415,共5页
将CVD方法制成的碳纳米管沉积在钼针尖上 ,测试了这种材料的场发射特性。结果表明这种材料可作为一种新型高效的场发射体。
关键词 碳纳米管 场发射特性 场发射体
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场致发射体的局域功函数研究 被引量:10
10
作者 曾葆青 杨中海 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第3期201-206,共6页
实际场致发射体表面不可能绝对光滑 ,而具有原子尺度的微小凸起会导致发射电流大大增加。基于发射电流主要来自于原子尺度微小凸起的假设 ,提出了局域半球镜像电荷模型 ,研究了场致发射功函数的降低 ,发现微小凸起处场致发射的局域功函... 实际场致发射体表面不可能绝对光滑 ,而具有原子尺度的微小凸起会导致发射电流大大增加。基于发射电流主要来自于原子尺度微小凸起的假设 ,提出了局域半球镜像电荷模型 ,研究了场致发射功函数的降低 ,发现微小凸起处场致发射的局域功函数会降低而场增强因子将增大。将它代入F N公式计算了一个典型的单尖Spindt阴极的发射电流 ,所得结果与实验符合。在只考虑Nottingham效应的情况下 。 展开更多
关键词 场致发射体 功函数 阴极电子学 F-N公式
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功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响 被引量:1
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作者 刘新福 李琼 +4 位作者 徐静芳 范忠 陈春辉 柳襄怀 杨根庆 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期51-55,共5页
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列(FEA)覆盖材料,我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜,薄膜淀积采用离子束辅助淀积(IBAD)以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I-V特性,测量结果表明除Au和M... 为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列(FEA)覆盖材料,我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜,薄膜淀积采用离子束辅助淀积(IBAD)以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I-V特性,测量结果表明除Au和Mo外,其它覆盖材料都对FEA电子发射性能有改进,经TaN覆盖的FEA发射电流最大。由F-N曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积,从而说明以上所得的实验结果。 展开更多
关键词 覆盖膜 场发射阵列 电子发射 真空微电子器件
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场发射显示技术 被引量:7
12
作者 柯春和 彭自安 《真空电子技术》 北大核心 1996年第6期52-60,共9页
场发射显示器件(FED)正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍FED的发展历史,列举出FED与CRT及LCD相比的优点。介绍FED的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了FED制作中的一些重要问题。
关键词 真空微电子学 场发射显示器件 场发射阵列
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冷阴极微波电子枪初步研究 被引量:1
13
作者 李相坤 黎明 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第B05期129-132,共4页
基于场发射的冷阴极微波电子枪兼具光阴极微波电子枪和热阴极微波电子枪的优点,可望提供低发射度、低能散以及较高流强的电子束,应用于自由电子激光等领域。介绍了这种电子枪的特点,以及在中国工程物理研究院应用电子学研究所的研究进... 基于场发射的冷阴极微波电子枪兼具光阴极微波电子枪和热阴极微波电子枪的优点,可望提供低发射度、低能散以及较高流强的电子束,应用于自由电子激光等领域。介绍了这种电子枪的特点,以及在中国工程物理研究院应用电子学研究所的研究进展。场发射通常要求非常高的电场强度,通过对金刚石薄膜进行掺杂,可以降低其有效功函数,从而在相对低的场强下获得足够高的发射电流。结合场发射的特点,从腔型、反轰、加速效率以及束流孔径等方面对冷阴极微波电子枪进行了设计,并给出了初步的设计结果。利用粒子模拟程序对该电子枪的场发射情况进行了模拟,结果表明有望获得发射度很低的电子束团。 展开更多
关键词 场发射 微波电子枪 低发射度 高流强 粒子模拟
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场发射显示器研究现状 被引量:9
14
作者 邓江 林祖伦 张义德 《现代显示》 2005年第4期8-11,共4页
目前,场发射显示阴极仍以Spindt型为主。碳纳米管由于其独特的性质,也成为了各国研究的热点问题之一。本文概述了Spindt-FED和CNT-FED各自所具有的特点,并且对目前存在的问题及国内外的发展动态进行了综述。
关键词 场发射显示 Spindt型阴极 碳纳米管
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热场发射公式在1000K以下时的数值分析 被引量:1
15
作者 李海雁 谢涛 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期344-346,共3页
对热场发射公式在 10 0 0K温度以下进行了数值计算 ,发现计算结果与一些文献推导的、用于计算温度在 10 0 0K以下的近似公式计算结果出现偏差 ,而且随着阴极材料的不同 (逸出功不同 ) ,偏差也不同 ;文中给出了几种常用阴极材料的计算结... 对热场发射公式在 10 0 0K温度以下进行了数值计算 ,发现计算结果与一些文献推导的、用于计算温度在 10 0 0K以下的近似公式计算结果出现偏差 ,而且随着阴极材料的不同 (逸出功不同 ) ,偏差也不同 ;文中给出了几种常用阴极材料的计算结果 。 展开更多
关键词 热场发射 数值计算 近似公式 发射温度 阴极材料
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硅场发射二极管阵列的实验研究 被引量:1
16
作者 刘卫东 罗恩泽 《真空电子技术》 北大核心 1994年第2期27-30,共4页
介绍了P型硅场发射二极管阵列的工艺与实验研究,并讨论了硅发射体表面薄氧化层对其伏安特性的影响。
关键词 硅发射体 场发射 真空微电子学
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1995年真空微电子学的进展评述 被引量:1
17
作者 彭自安 冯进军 《真空电子技术》 北大核心 1996年第1期33-37,共5页
真空微电子学是90年代国外迅速发展的一门新学科,本文综述了1995年的新进展。在场致发射阴极方面研究工作向深度和结合实际应用发展,研究工作十分活跃。Mo和Si-FEA都取得了新的进展。在微波管方面的应用,10GHz的... 真空微电子学是90年代国外迅速发展的一门新学科,本文综述了1995年的新进展。在场致发射阴极方面研究工作向深度和结合实际应用发展,研究工作十分活跃。Mo和Si-FEA都取得了新的进展。在微波管方面的应用,10GHz的速调四极管已在总装,技术上取得了突破性进展。美国和法国已建立数个FED的生产工厂,产品正走向市场。 展开更多
关键词 真空微电子学 场发射阵列 微波管 场发射显示器
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四针状氧化锌/碳纳米管复合阴极的制备及其场发射性能研究 被引量:2
18
作者 林金堂 《光电子技术》 CAS 北大核心 2013年第4期255-259,共5页
采用丝网印刷技术制备四针状氧化锌(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,TZnO)场发射阴极,通过向T-ZnO阴极表面电泳沉积碳纳米管(carbon nanotube,CNT)薄膜制备了T-ZnO/CNT复合阴极。扫描电子显微镜观察表明:与T-ZnO阴极相比,T-ZnO/... 采用丝网印刷技术制备四针状氧化锌(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,TZnO)场发射阴极,通过向T-ZnO阴极表面电泳沉积碳纳米管(carbon nanotube,CNT)薄膜制备了T-ZnO/CNT复合阴极。扫描电子显微镜观察表明:与T-ZnO阴极相比,T-ZnO/CNT复合阴极与衬底电极之间具有较大的有效接触面积。采用二极场发射器件结构研究T-ZnO和T-ZnO/CNT的场发射特性,实验表明:相对于T-ZnO阴极,T-ZnO/CNT复合阴极发射电流密度大、开启场强与阈值场强低、发射点密度高,且具有良好的工作稳定性。 展开更多
关键词 四针状氧化锌 碳纳米管 复合阴极 场致电子发射
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四针状氧化锌/还原氧化石墨烯复合阴极的场发射性能研究 被引量:1
19
作者 林金堂 《光电子技术》 CAS 北大核心 2019年第1期16-20,共5页
通过丝网印刷将四针状纳米氧化锌(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,T-ZnO)转移到电极表面,采用旋涂的方法在T-ZnO阵列上方形成连续的、悬浮结构的还原石墨烯(reduced graphene oxide, rGO)层薄膜,制备出以T-ZnO为支撑层的T-ZnO/... 通过丝网印刷将四针状纳米氧化锌(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,T-ZnO)转移到电极表面,采用旋涂的方法在T-ZnO阵列上方形成连续的、悬浮结构的还原石墨烯(reduced graphene oxide, rGO)层薄膜,制备出以T-ZnO为支撑层的T-ZnO/rGO复合薄膜冷阴极。实验表明:相对于T-ZnO阴极,T-ZnO/rGO薄膜阴极发射电流密度提高、开启场强与阈值场强降低,其开启场强为2.5 V/μm (电流密度10μA/cm^2),阈值电场为3.8 V/μm (电流密度为1 mA/cm^2),具有良好的场发射性能。 展开更多
关键词 还原氧化石墨烯 四针状氧化锌 复合阴极 场致电子发射
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金属楔形发射体电子场发射理论研究
20
作者 刘卫东 朱长纯 +1 位作者 罗恩泽 刘云鹏 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期130-134,共5页
提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例。该理论以单原子发射点假设为基础,用经典电动力学方法计算出楔形发射体的隧道势垒,然后用Numerov方法计算其透射比,最后得到楔形发射体的场发射伏安特性,还分析了几何结构参数对楔... 提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例。该理论以单原子发射点假设为基础,用经典电动力学方法计算出楔形发射体的隧道势垒,然后用Numerov方法计算其透射比,最后得到楔形发射体的场发射伏安特性,还分析了几何结构参数对楔形发射体场发射特性的影响。 展开更多
关键词 楔形发射体 场发射 真空微电子学
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