用Fowler-Nordheim公式测定ITO功函数的研究

通过制备双边注入型单载流子器件ITO/TPD(NPB)/Cu,运用Fowler-Nordheim(F-N)公式变换,消除了载流子有效质量和器件厚度因素的影响,提高了测量的精度,简单准确地测定了ITO的功函数。实验测得值分别为4.85eV、4.88eV,与ITO的文献报道值接近。该方法操作简便,可以用来测定半导体和金属电极特别是合金电极的功函数。

AU/(SI/SIO_2)/P-SI薄膜中电流及电致发光机制的分析

用射频磁控溅射法制备了具有AU/(SI/SIO2)/P-SI结构的样品,利用I-V特性曲线和电致发光(EL)谱对载流子的输运及复合发光过程进行了研究,用位形坐标理论模型分析的结果表明,在SIO2薄膜中存在2个由于缺陷而形成的发光中心,AU膜中的电子和P型SI中的空穴在较高的电场下以FOWL-ER-NORDHEIM(F-N)隧穿方式进入SIO2薄膜,并通过其中的缺陷中心复合而发光。