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电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT
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作者 封瑞泽 曹书睿 +4 位作者 冯识谕 周福贵 刘同 苏永波 金智 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期329-333,共5页
本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.... 本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为1265 mS/mm。即使在相对较小的VDS=0.7 V下,电流增益截止频率fT达到了441 GHz,最大振荡频率fmax达到了299 GHz。该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中。 展开更多
关键词 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMts) INGAAS/INALAS 电流增益截止频率(f_(t)) 最大振荡频率(f_(max)) 栅槽
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基于TS-DBN的地铁牵引系统可靠性分析
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作者 席欢 钟倩文 +2 位作者 柴晓冬 郑树彬 文静 《计算机与数字工程》 2024年第5期1310-1316,共7页
论文提出一种结合连续时间T-S动态故障树和贝叶斯网络(TS-DBN)的可靠性评估方法来模拟实际运营过程中牵引系统的动静态失效行为。首先,构建基于牵引系统单元结构的故障树模型;然后,通过应用T-S动态门的时序规则,给出T-S门的逻辑定义,进... 论文提出一种结合连续时间T-S动态故障树和贝叶斯网络(TS-DBN)的可靠性评估方法来模拟实际运营过程中牵引系统的动静态失效行为。首先,构建基于牵引系统单元结构的故障树模型;然后,通过应用T-S动态门的时序规则,给出T-S门的逻辑定义,进而计算子节点后验概率及重要度参数;将敏感节点进行排序,建立系统连续时间状态下的稳定度函数数学模型。该方法能够直观地反映牵引系统结构单元的敏感薄弱环节,可以为后续维修策略优化提供理论参考。 展开更多
关键词 轨道交通 牵引系统 t-S动态门 贝叶斯网络 可靠性分析
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急诊心肌梗死患者KV1.3-CaN-NFAT信号通路表达及预后观察 被引量:1
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作者 丁晓云 周文杰 罗正义 《中国急救复苏与灾害医学杂志》 2023年第2期141-144,共4页
目的研究急诊心肌梗死患者电压门控性钾离子通道1.3(KV1.3)-钙调神经磷酸酶(CaN)-活化T细胞核因子(NFAT)信号通路表达及预后。方法选取如皋市人民医院2019年4月—2021年4月急诊入院的148例心肌梗死患者纳入研究对象,随访1年根据预后情... 目的研究急诊心肌梗死患者电压门控性钾离子通道1.3(KV1.3)-钙调神经磷酸酶(CaN)-活化T细胞核因子(NFAT)信号通路表达及预后。方法选取如皋市人民医院2019年4月—2021年4月急诊入院的148例心肌梗死患者纳入研究对象,随访1年根据预后情况分为预后良好(n=121)和预后不良(n=27)两组。记录并比较两组患者性别、年龄、体质量指数(BMI)、既往病史(高血压、糖尿病、冠心病、高脂血症等)、吸烟史、饮酒史、住院时间、收缩压(SBP)、舒张压(DBP)、左心室射血分数(LVEF),采集外周空腹静脉血,密度梯度离心获得淋巴细胞,Western blotting检测KV1.3、CaN、NFAT的相对蛋白表达。通过ROC分析KV1.3、CaN、NFAT预测急诊心肌梗死患者预后不良的价值;急诊心肌梗死患者预后不良的危险因素采取多因素Logistic回归性分析明确。结果两组患者的性别、BMI、高血压史、糖尿病史、冠心病史、高脂血症史、吸烟史、饮酒史、住院时间、SBP、DBP比较差异无统计学意义(P>0.05),预后不良组年龄≥60岁、LVEF<50%占比及KV1.3、CaN、NFAT显著高于预后良好组(P<0.05);经ROC和Logistic分析,年龄≥60岁、LVEF<50%、KV1.3≥1.370、CaN≥1.378、NFAT≥1.260是急诊心肌梗死患者预后不良的危险因素(P<0.05)。结论KV1.3、CaN、NFAT会影响急诊心肌梗死患者的预后情况,急诊心肌梗死患者预后不良时KV1.3、CaN、NFAT表达会升高。 展开更多
关键词 急诊 心肌梗死 电压门控性钾离子通道 钙调神经磷酸酶 活化t细胞核因子 预后
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Realization of arbitrary two-qubit quantum gates based on chiral Majorana fermions
4
作者 Qing Yan Qing-Feng Sun 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第4期43-54,共12页
Quantum computers are in hot-spot with the potential to handle more complex problems than classical computers can.Realizing the quantum computation requires the universal quantum gate set {T,H,CNOT} so as to perform a... Quantum computers are in hot-spot with the potential to handle more complex problems than classical computers can.Realizing the quantum computation requires the universal quantum gate set {T,H,CNOT} so as to perform any unitary transformation with arbitrary accuracy.Here we first briefly review the Majorana fermions and then propose the realization of arbitrary two-qubit quantum gates based on chiral Majorana fermions.Elementary cells consist of a quantum anomalous Hall insulator surrounded by a topological superconductor with electric gates and quantum-dot structures,which enable the braiding operation and the partial exchange operation.After defining a qubit by four chiral Majorana fermions,the singlequbit T and H quantum gates are realized via one partial exchange operation and three braiding operations,respectively.The entangled CNOT quantum gate is performed by braiding six chiral Majorana fermions.Besides,we design a powerful device with which arbitrary two-qubit quantum gates can be realized and take the quantum Fourier transform as an example to show that several quantum operations can be performed with this space-limited device.Thus,our proposal could inspire further utilization of mobile chiral Majorana edge states for faster quantum computation. 展开更多
关键词 quantum computation t gate CNOt gate BRAIDING chiral Majorana fermions
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Lightweight and highly robust memristor-based hybrid neural networks for electroencephalogram signal processing
5
作者 童霈文 徐晖 +5 位作者 孙毅 汪泳州 彭杰 廖岑 王伟 李清江 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第7期582-590,共9页
Memristor-based neuromorphic computing shows great potential for high-speed and high-throughput signal processing applications,such as electroencephalogram(EEG)signal processing.Nonetheless,the size of one-transistor ... Memristor-based neuromorphic computing shows great potential for high-speed and high-throughput signal processing applications,such as electroencephalogram(EEG)signal processing.Nonetheless,the size of one-transistor one-resistor(1T1R)memristor arrays is limited by the non-ideality of the devices,which prevents the hardware implementation of large and complex networks.In this work,we propose the depthwise separable convolution and bidirectional gate recurrent unit(DSC-BiGRU)network,a lightweight and highly robust hybrid neural network based on 1T1R arrays that enables efficient processing of EEG signals in the temporal,frequency and spatial domains by hybridizing DSC and BiGRU blocks.The network size is reduced and the network robustness is improved while ensuring the network classification accuracy.In the simulation,the measured non-idealities of the 1T1R array are brought into the network through statistical analysis.Compared with traditional convolutional networks,the network parameters are reduced by 95%and the network classification accuracy is improved by 21%at a 95%array yield rate and 5%tolerable error.This work demonstrates that lightweight and highly robust networks based on memristor arrays hold great promise for applications that rely on low consumption and high efficiency. 展开更多
关键词 MEMRIStOR LIGHtWEIGHt ROBUSt hybrid neural networks depthwise separable convolution bidirectional gate recurrent unit(BiGRU) one-transistor one-resistor(1t1R)arrays
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基于TSNE-BiGRU模型短期电力负荷预测 被引量:4
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作者 蒲贞洪 朱元富 《电工技术》 2023年第3期52-57,共6页
短期电力负荷预测是电力系统合理调度与安全稳定运行的基础。为提高电力负荷预测精度,提出一种基于t分布邻域嵌入(t-SNE)算法和双向门控循环单元(Bi-GRU)网络的短期电力负荷预测方法。该方法首先通过多标签处理将电力负荷时序数据转换... 短期电力负荷预测是电力系统合理调度与安全稳定运行的基础。为提高电力负荷预测精度,提出一种基于t分布邻域嵌入(t-SNE)算法和双向门控循环单元(Bi-GRU)网络的短期电力负荷预测方法。该方法首先通过多标签处理将电力负荷时序数据转换成高维时间戳数据,进而在维持数据信息完整性的前提下通过t-SNE算法对其降维,并结合实时电价数据,基于Bi-GRU网络学习时间戳数据、实时电价数据及实时负荷数据之间的非线性特性,最后经全连接输出层聚合相关信息给出预测结果。基于新加坡地区电力基准数据集进行试验,对比分析所建模型TSNE-BiGRU与基准模型Bi-GRU及GRU的预测性能。试验结果表明所建模型TSNE-BiGRU具有良好的鲁棒性,能有效提高短期电力负荷的预测精度。其平均百分比误差值为0.49%,相较Bi-GRU与GRU,分别降低了23.44%与32.88%;其平均绝对误差值为30.58,相较两基准模型分别降低了22.19%与32.84%;其均方根误差值为39.40,相较两基准模型分别降低了17.16%与27.88%。 展开更多
关键词 短期电力负荷预测 t分布邻域嵌入算法 双向门控循环单元网络 预测误差
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T-S模糊故障树重要度分析方法 被引量:41
7
作者 姚成玉 张荧驿 +1 位作者 王旭峰 陈东宁 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1261-1268,共8页
传统部件重要度分析方法建立在布尔逻辑门的基础上,需要精确已知部件之间的联系,并且不能全面考虑部件所有状态及部件之间的联系对多状态系统可靠性的影响。针对上述问题,首先通过给出传统二态、多态逻辑门的T-S门规则形式,验证了T-S模... 传统部件重要度分析方法建立在布尔逻辑门的基础上,需要精确已知部件之间的联系,并且不能全面考虑部件所有状态及部件之间的联系对多状态系统可靠性的影响。针对上述问题,首先通过给出传统二态、多态逻辑门的T-S门规则形式,验证了T-S模糊故障树分析方法的可行性,进而将传统二态和多态部件重要度分析方法推广到T-S模糊故障树中,提出了T-S重要度概念及其计算方法,包括T-S结构、概率及关键重要度。然后,与传统部件重要度分析方法进行算例对比与分析,验证方法的可行性。最后,给出了液压系统T-S模糊故障树分析及其重要度计算实例。 展开更多
关键词 故障树 重要度 t-S模型 逻辑门
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PLG-CD_4法测定HIV感染者CD_4 T细胞 被引量:7
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作者 彭虹 徐建青 +2 位作者 陈刚 洪坤学 邵一鸣 《中国艾滋病性病》 CAS 2006年第2期97-100,共4页
目的对美国Beckman-Coulter公司研发的测定艾滋病病毒(HIV)感染者CD4T细胞的PLG-CD4检测方法进行了测试,以验证该方法在检测新鲜血样及储存不同时间血样CD4T细胞所获的数据的准确性、稳定性和可靠性。方法对现场采集的血样室温放置,连续... 目的对美国Beckman-Coulter公司研发的测定艾滋病病毒(HIV)感染者CD4T细胞的PLG-CD4检测方法进行了测试,以验证该方法在检测新鲜血样及储存不同时间血样CD4T细胞所获的数据的准确性、稳定性和可靠性。方法对现场采集的血样室温放置,连续5天应用PLG-CD4法进行检测,其中第1天新鲜血样检测结果作为对照,并将结果进行平均值(Mean)、标准差(SD)和变异系数(CV)的统计计算。结果同一样品不同时间点检测的数据差异<20%为可接受范围。39份血液中有28份的5次重复测定值的CV值<10%,占72%。进一步分层显示:在CD4T细胞绝对计数<100时,易出现偏差(CV值为13%),而>100时,CV值均<10%。结论PLG-CD4技术简便易行,结果准确,重复性好,具有可检测陈旧血样CD4T细胞绝对计数的独到优势。 展开更多
关键词 艾滋病病毒 CD4 t细胞 绝对计数 PLG-CD4 泛白细胞设门
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CD4^+T淋巴细胞Kv1.3通道在大鼠动脉粥样硬化中的作用 被引量:4
9
作者 李枚娟 巩燕 +2 位作者 肖国胜 李桂阳 王焱 《中国病理生理杂志》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1695-1699,共5页
目的:探讨大鼠动脉粥样硬化(AS)模型中CD4+T淋巴细胞电压门控钾通道(Kv)Kv1.3的表达、功能及其在AS中的作用。方法:采用高脂饮食法建立大鼠动脉粥样硬化模型,流式细胞术分析淋巴细胞的比例,采用免疫磁珠法分离CD4+T淋巴细胞,研究脾组织C... 目的:探讨大鼠动脉粥样硬化(AS)模型中CD4+T淋巴细胞电压门控钾通道(Kv)Kv1.3的表达、功能及其在AS中的作用。方法:采用高脂饮食法建立大鼠动脉粥样硬化模型,流式细胞术分析淋巴细胞的比例,采用免疫磁珠法分离CD4+T淋巴细胞,研究脾组织CD4+T淋巴细胞Kv1.3mRNA表达、细胞内钙离子浓度及细胞因子分泌的变化。结果:(1)AS组脾组织CD4+T淋巴细胞占总T淋巴细胞比例较对照组明显升高(74.93%±2.15%vs67.80%±2.54%,P<0.05)。(2)经刀豆蛋白A(ConA)刺激,AS组T淋巴细胞增殖程度明显高于对照组(1.1321±0.1750vs0.7971±0.0955,P<0.05)。(3)AS组脾组织CD4+T淋巴细胞在ConA刺激状态下胞内钙离子浓度明显高于对照组(H=82,P<0.05)。(4)AS组脾组织CD4+T淋巴细胞在刺激48h后较刺激24h后细胞因子(IL-2,TNF-α)分泌显著增加。(5)AS组脾组织CD4+T淋巴细胞Kv1.3mRNA表达明显高于对照组(3.670±1.579vs1)。结论:AS组脾组织CD4+T淋巴细胞比例高于对照组,CD4+T淋巴细胞Kv1.3mRNA表达增多,提示高表达Kv1.3的CD4+T淋巴细胞可能在AS的发生发展中发挥重要的作用。 展开更多
关键词 动脉粥样硬化 t淋巴细胞 钾通道 电压门控
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一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法 被引量:7
10
作者 石华芬 张海英 +3 位作者 刘训春 陈宝钦 刘明 王云翔 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期411-415,共5页
提出了一种新的 PMMA/ PMGI/ PMMA三层胶复合结构 ,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在 In PPHEMT材料上制作出高成品率的 T型纳米栅 .在曝光显影条件变化 2 0 %的情况下 ,In P HEMT成品率达到 80 %以上 ;跨导变化范围在 5 90~ 6 10... 提出了一种新的 PMMA/ PMGI/ PMMA三层胶复合结构 ,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在 In PPHEMT材料上制作出高成品率的 T型纳米栅 .在曝光显影条件变化 2 0 %的情况下 ,In P HEMT成品率达到 80 %以上 ;跨导变化范围在 5 90~ 6 10 m S/ mm,夹断电压为 - 1.0~ - 1.2 V,器件的栅长分布均匀 .这种新的结构工艺步骤少 ,工艺宽容度大 ,重复性好 。 展开更多
关键词 InP 制作方法 三层胶复合结构 PHEMt 电子束曝光 t型纳米栅 磷化铟 电子迁移率晶体管
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用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅 被引量:3
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作者 孙加兴 叶甜春 +2 位作者 陈大鹏 谢常青 伊福庭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期358-360,共3页
采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 .
关键词 X射线光刻 PHEMt t型栅 三层胶工艺
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0.1μmT型栅PHEMT器件 被引量:5
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作者 郑英奎 刘明 +1 位作者 和致经 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期476-480,共5页
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良... 通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良好的器件性能 (ft=93.97GHz;gm=6 90 m S/mm ) . 展开更多
关键词 二维电子气 电子束光刻 混合曝光 PHEMt t型栅 异质结晶体管
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应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术 被引量:3
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作者 谢常青 陈大鹏 +1 位作者 李兵 叶甜春 《微纳电子技术》 CAS 2002年第7期39-42,共4页
PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被... PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被用于制作PHEMT器件,因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米T形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、X射线光刻技术进行了比较分析。对于光学光刻技术,通常需要采用移相和光学邻近效应校正技术,它的制作成本低,但是很难用于制作深亚微米T形栅;对于电子束光刻技术,通常需要采用高灵敏度和低灵敏度的多层胶技术,虽然它的栅长可以制作到非常小,但是它的生产成本非常高,而且它的生产效率非常低;对于X射线光刻技术,它不仅可以用于制作深亚微米T形栅,而且它的生产效率非常高,T形栅的形状可以非常容易控制。 展开更多
关键词 PHEMt器件 光刻技术 t形栅 光学光刻 电子束光刻 X射线 集成电路
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MCML/TG混合结构与三值T门和三值D-latch电路设计 被引量:2
14
作者 章专 连明超 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2012年第5期531-534,共4页
在深入分析MCML和TG的电路特点后,提出将2种结构结合起来进行数字电路设计的思路.该混合结构主要由MCML和TG共同构成,MCML结构产生控制信号,TG进行信号的传输.并以三值T门和三值D锁存器电路为例,验证了这种设计思路的可行性.通过Hspice... 在深入分析MCML和TG的电路特点后,提出将2种结构结合起来进行数字电路设计的思路.该混合结构主要由MCML和TG共同构成,MCML结构产生控制信号,TG进行信号的传输.并以三值T门和三值D锁存器电路为例,验证了这种设计思路的可行性.通过Hspice软件,采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,供电电压1.8V,对所设计的电路进行仿真,分析结果表明:电路逻辑功能正确;输入输出高低电平一致,具有较好的电压兼容性;功耗保持MCML结构的优势,基本与频率无关;与传统的CMOS电路相比,取得了较大的延迟优化. 展开更多
关键词 MOS电流模逻辑 MCML CMOS传输门 三值t
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多介质工艺X射线光刻制作T形栅 被引量:1
15
作者 孙加兴 叶甜春 +2 位作者 谢常青 申云琴 刘刚 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期239-241,共3页
半导体器件日益向高频、高速方向发展 ,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速。在PHEMT的制作工艺中 ,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的。采用X射线多介质工艺制作T形栅 ,其形貌清晰 ,线条基本可... 半导体器件日益向高频、高速方向发展 ,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速。在PHEMT的制作工艺中 ,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的。采用X射线多介质工艺制作T形栅 ,其形貌清晰 ,线条基本可控 。 展开更多
关键词 光刻 X射线 赝质吉高电子迁移率晶体管 t形栅 多介质工艺 半导体器件
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混合控制变量序的三值T门网络化简方法 被引量:1
16
作者 刘观生 沈继忠 陈偕雄 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2002年第5期500-505,共6页
为获得 T门网络的最佳控制变量顺序 ,对于 n个变量的函数 ,用传统的方法需作 n!次搜索 ,如果考虑混合控制方式 ,则搜索的次数更多 .为了减少搜索次数 ,并尽可能得到更为简单的 T门网络 ,本文通过对真值表分割法的分析 ,并结合 T门网络... 为获得 T门网络的最佳控制变量顺序 ,对于 n个变量的函数 ,用传统的方法需作 n!次搜索 ,如果考虑混合控制方式 ,则搜索的次数更多 .为了减少搜索次数 ,并尽可能得到更为简单的 T门网络 ,本文通过对真值表分割法的分析 ,并结合 T门网络的特点 ,提出了一种用 T门实现三值逻辑函数的真值表分割法的改进算法 .该算法可实现混合控制变量序的 T门网络的最简或接近最简实现 ,且易于编程和上机操作 .最后还对几种 T门网络化简方法的优劣进行了比较 . 展开更多
关键词 混合控制变量序 化简方法 多值逻辑 t门网络 逻辑设计 三值逻辑函数 真值表分割法
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Direct Tunneling Currents Through Gate Dielectrics in Deep Submicron MOSFETs 被引量:2
17
作者 侯永田 李名复 金鹰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期449-454,共6页
A direct tunneling model through gate dielectric s in CMOS devices in the frame of WKB approximation is reported.In the model,an im proved one-band effective mass approximation is used for the hole quantization, wher... A direct tunneling model through gate dielectric s in CMOS devices in the frame of WKB approximation is reported.In the model,an im proved one-band effective mass approximation is used for the hole quantization, where valence band mixing is taken into account.By comparing to the experiments, the model is demonstrated to be applicable to both electron and hole tunneling c urrents in CMOS devices.The effect of the dispersion in oxide energy gap on the tunneling current is also studied.This model can be further extended to study th e direct tunneling current in future high-k materials. 展开更多
关键词 MOSFEt direct tunneling current quantum effec t gate dielectrics
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三值逻辑函数RDSOP形式的代数理论和T门实现 被引量:7
18
作者 姜恩华 姜文彬 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第7期1132-1137,共6页
三值逻辑函数简化的不相交SOP(RDSOP)形式是一种很有用的代数形式,研究表明,它在T门网络的设计和化简方面有重要应用.利用三值格代数的基本运算和主要性质,讨论了三值函数RDSOP形式的代数理论和算法,并给出了应用实例.利用以三值T门... 三值逻辑函数简化的不相交SOP(RDSOP)形式是一种很有用的代数形式,研究表明,它在T门网络的设计和化简方面有重要应用.利用三值格代数的基本运算和主要性质,讨论了三值函数RDSOP形式的代数理论和算法,并给出了应用实例.利用以三值T门网络可以实现任意三值逻辑函数的原理,提出了基于RDSOP形式的三值T门网络最小化设计的一种方法,并给出了实例.从给出的实例可以看出,该方法是有效且可行的. 展开更多
关键词 多值逻辑 t门网络 RDSOP形式 最小化 逻辑设计 计算机辅助设计
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电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件 被引量:1
19
作者 曾建平 安宁 +4 位作者 李志强 李倩 唐海林 刘海涛 梁毅 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2018年第1期17-20,37,共5页
为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅... 为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅极。In Al As/In Ga As异质结Ga As-m HEMT器件的直流特性和高频特性分别通过Agilent B1500半导体参数分析仪和Agilent 360 B矢量网络分析仪测试。直流测试结果显示,210 nm栅长In Al As/In Ga As沟道Ga As-m HEMT单指器件的最大有效输出跨导(gm:max)为195 m S/mm,器件最大沟道电流160 m A/mm。射频测试结果显示,电流增益截至频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为46 GHz和115 GHz。同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征,其中栅极最大饱和漏电流密度小于1×10-8 A/μm。 展开更多
关键词 t型栅 应变高电子迁移率晶体管 电流增益截至频率 最高振荡频率
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90nm T型栅工艺在高频GaAs PHEMT MMIC中的应用 被引量:2
20
作者 孙希国 刘如青 +2 位作者 刘永强 崔玉兴 付兴昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期611-615,共5页
采用PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构。通过优化蒸发功率、蒸发时间及各层金属厚度,解决了栅掉帽的... 采用PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构。通过优化蒸发功率、蒸发时间及各层金属厚度,解决了栅掉帽的问题。开发了90 nm自对准双凹槽T型栅电子束三层胶光刻工艺技术。应用90 nmT型栅工艺制作了W波段GaAs PHEMT功率放大器及V波段Ga As PHEMT低噪声放大器。测试结果表明,在频率为90~96 GHz、源漏电压5 V、栅源电压-0.3 V、输入功率13 dBm时,功率放大器电路输出功率为20.8 dBm,功率增益为7.8 dB;在频率为57~64 GHz、源漏电压2.5 V、漏极电流55 m A时,低噪声放大器增益大于24 dB,带内噪声系数小于3.5 dB,验证了该工艺技术的可行性和可应用性。 展开更多
关键词 90 nm t型栅 电子束直写 双凹槽结构 三层胶结构 GAAS PHEMt
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