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对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进 被引量：2
1
作者 穆甫臣 李志国 +3 位作者 张万荣 郭伟玲 孙英华 严永鑫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期250-253,共4页
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大 ,从漏 -源电阻与 X( X为栅势垒内建电势、夹断电压和栅 -源... 本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大 ,从漏 -源电阻与 X( X为栅势垒内建电势、夹断电压和栅 -源电压的函数 ) 展开更多
关键词 MESFET 半导体器件 fukui法 栅极串联电阻
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