光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究

对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射.

晶体管PN结缺陷形成的G-R噪声研究

本文对大量晶体管g-r噪声测量结果表明,常温下g-r噪声具有很宽的时间常数分布及可能有很大的幅度.现有的文献已无法解释这些实验结果,为此本文提出了pn结区缺陷引起的g-r噪声机理,给出了g-r噪声幅度及时间常数计算公式,可以对晶体管pn结缺陷形成的g-r噪声的形式及特点作出满意的解释.

利用高阶累积量判断晶体管的g-r噪声

在论证了晶体管低频噪声中的 g r噪声服从非高斯分布之后 ,提出了一种通过计算晶体管低频噪声的高阶累积量来判断是否含有 g r噪声的新方法 ,并通过实验验证了该方法的正确性。

镍铬薄膜电阻器噪声特性研究

薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征,与其结构和工艺密切相关。通过溅射工艺生产的阻值为1.5k?镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1000h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理论探讨了器件中各种噪声成分的来源及产生机制并给出该镍铬薄膜电阻生产线降低噪声的工艺手段。并讨论了电迁移损伤对1/f噪声特征的影响,指出噪声的异常波动对电迁移损伤具有明确的指示作用。

双极晶体管g－r噪声模型与深能级分析

本文根据发射结空间电荷区深能级缺陷诱生ｇ－ｒ噪声机构，建立了双极晶体管ｇ－ｒ噪声定量分析模型，从而对实验上观察到的双极晶体管ｇ－ｒ噪声的偏置特性作出了合理的解释．基于该模型，提出了一种利用ｇ－ｒ噪声测量确定双极型器件深能级参数的新方法．

数字超大规模集成电路中的噪声分析与研究

指出了半导体器件中存在的噪声及其特点 ,并针对当今数字 VLSI(VeryLarge Scale Integrated—超大规模集成 )电路的特点 ,通过计算 ,分析和讨论了各种噪声对数字 VLSI电路造成的影响 .特别指出了随着现代数字 VLSI电路的元器件几何尺寸进一步缩小 ,其内部噪声的影响趋于显著 .

PbS红外探测器的低频噪声特性研究

PbS红外探测器的研究开始较早,由于其室温的优越性,至今应用仍很广泛。然而噪声严重影响了其性能,因此其噪声的研究目前很受重视。首先阐述了光导探测器的低频噪声理论;其次给出一简便而实用的PbS红外探测器低频噪声测量系统;最后在PbS红外探测器低频噪声实际测量和分析的基础上,分析了其低频噪声产生机理、偏压特性与温度特性,从而为改善器件质量提供了理论依据。

低偏置电流下大功率半导体激光器低频电噪声特性

测量了大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器在五十分之一阈值电流下的电压低频噪声功率谱密度。实验结果显示,激光器的低频电噪声呈现1/f噪声,在不同的偏置电流范围内,1/f噪声幅度随电流的变化关系不同,整体上随偏置电流的增大而减小,实验中并未发现g-r噪声。结合低偏置电流时激光器动态电阻的大小,给出了1/f噪声的模型,分析了在低偏置电流下的1/f噪声主要来自有源区和漏电电阻,其幅度的大小及其随偏置电流的变化趋势与激光器的可靠性有密切的关系。

PbS红外探测器低频噪声物理模型及缺陷表征研究

为了表征PbS薄膜光导红外探测器的材料缺陷,详细推导了1/f和产生-复合(g-r)噪声物理模型,并由实验数据验证了模型的准确性.利用1/f噪声与表面缺陷关系,计算了不同偏压下表面陷阱密度.得到该值随偏压升高而增加,由此得出1/f噪声与所加偏压成正比变化,与实验测试结果相一致.在此模型基础上,研究了g-r噪声与深能级缺陷特征参量的关系,提出由低频噪声表征缺陷激活能、简并因子、俘获截面等缺陷参数的方法.