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G1J50M合金磁性能退化预报模型与微观机理 被引量:1
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作者 王军锋 宫灯 +1 位作者 王晓光 姜龙涛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期67-70,76,共5页
为丰富可靠性工程的基础研究,针对温度加速试验的G1J50M软磁合金进行显微组织与磁性能演化规律分析。G1J50M合金在加速贮存期间饱和磁化强度发生不可逆退化。加速贮存破坏了G1J50M合金畴壁附近磁矩的排列,磁畴形状改变,畴宽分布范围增大... 为丰富可靠性工程的基础研究,针对温度加速试验的G1J50M软磁合金进行显微组织与磁性能演化规律分析。G1J50M合金在加速贮存期间饱和磁化强度发生不可逆退化。加速贮存破坏了G1J50M合金畴壁附近磁矩的排列,磁畴形状改变,畴宽分布范围增大,从而使自发磁化场强度逐渐减弱。G1J50M合金饱和磁化强度值在贮存当量20年内退化约4.82%。基于磁畴宽度的磁性能退化预报模型将有助于指导并优化稳定化贮存工艺。 展开更多
关键词 g1j50m合金 饱和磁化强度 磁畴 退化模型 可靠性
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