离散谱折射率法分析深刻蚀、单模GaAs/GaAlAs脊形光波导

本文采用离散谱折射率法对深蚀刻、Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导模式特性进行了具体分析和设计 ,获得了较大截面、低损耗的单模脊形光波导 .利用这种横向具有最大折射率差的深蚀刻脊形光波导不但可以提高多模干涉 (MMI)型器件的性能 ,而且在设计和制作弯曲波导、分支结构时 ,具有结构紧凑。

基于GaAs/GaAlAs条形光波导的定向耦合器分析

运用基于级数展开法 (SEM)的三维光束传播法 (3D SEM BPM)分析了由GaAs/GaAlAs条形光波导构成的定向耦合器 .获得了这种定向耦合器所承载的偶模及奇模电场分布 ,其耦合长度随波导间距的增加近似指数增长 .模拟了光波在器件中的传输演变情况 ,用条形光波导的基模在给定定向耦合器的左通道激励 ,传输 2 6 2mm之后模场转移至右通道 ,获得了交叉态 (CrossState) .另外 ,3D SEM BPM最终将BPM基本方程归结为一阶常微分方程组 ,方法简单 ;导出矩阵小 ,计算效率高 .处理边界条件时 ,引入正切函数变换将无限平面映射成单位平面 。

完全 MBE 生长的内含吸收型光栅 GaAlAs／GaAs 多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器

我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ．器件在至少０℃到８０℃的范围内始终保持单纵模激射．作为初步结果，条宽为５～６μｍ的氧化物条形结构器件的脉冲工作阈值电流约为７００ｍＡ．

GaAlAs,InGaAs,Nd∶YAG三种激光热凝固效应的比较

目的比较GaAlAs和InGaAs半导体激光与Nd∶YAG激光热凝固效应。方法GaAlAS、InGaAs、Nd∶YAG激光以石英光纤输出,照射鸡蛋蛋清,每种激光照射10点,测量蛋白凝固团的直径和高度。光纤输出端功率10W,芯径1mm光斑、直径2mm,照射时间30s。结果三种波长的激光照射活性蛋白形成凝固的体积大小差异明显,其中InGaAs激光热凝固最强,Nd∶YAG激光次之,GaAlAs激光最弱。结论三种激光的热凝固效应有差异。

GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器

本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３．０×１０９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３．０×１０９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，当偏压为２Ｖ时，该探测器的响应切换到８～１２μｍ波段，峰值响应波长为９．０μｍ，８５Ｋ温度下的黑体探测率为１．０×１０９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ．

多功能2×2 GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关分析

提出了一种基于深刻蚀脊形光波导带模斑转换器的多功能 2× 2GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关 ,并用变量变换级数展开法及三维有限差分束传播法对其进行了模拟分析与优化设计 .结果表明 ,通过控制多模波导中央的两段Schottky电极 ,器件可实现交叉态、直通态及 3dB耦合器功能 ,并有较大的制作容差、较宽的工作带宽 ,只须一个多模波导 ,器件结构紧凑 .采用深刻蚀脊形光波导能够满足多模干涉型器件的精确自镜像要求 ,并使输入 /输出光波导在单模工作下有较大的横截面 ,较低的弯曲损耗及较小的耦合串扰 .通道末端引入的模斑转换器可方便地与单模光纤连接耦合 .

GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制

制作并研究了GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。用2V电压幅度可以得到15dB的开关比。光电导谱的测量表明,偏压从+0.5V变到-7V时吸收边的红移为600A,即量子阱中室温激子的共振吸收峰移动了96meV。单阱高场条件下首次观察到了导带第二能级电子和价带第一能级空穴间激子的共振吸收线的出现,增强和移动。

GaAlAs超发光二极管

本文报导在 GaAlAs 双异质结激光器腔面上,蒸镀 ZrO_2减反射涂层,制成了 GaAlAs 超发光二极管。室温连续输出最大功率为9.1mW,光谱带宽为155 。

GaAs／GaAlAs双异质结光波导开关内带隙的注入载流子感生变化

本文研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结光波导开关内波导层带隙的载流子注入感生变化．给出了带隙变化值随注入载流子浓度变化的关系曲线，并与带填充理论和带隙收缩理论的计算结果进行了对比分析．

GaAlAs／GaAs多量子阶增益耦合型DFB激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件

我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源．为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构．本文从理论上分析了该新型器件的可行性，优化设计了器件结构．在此基础上，采用金属有机化合物化学汽相外延技术（ＭＯＣＶＤ）在国际上首次研制成功了该种增益耦合型ＤＦＢ激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件．器件阈值电流为３５ｍＡ，在—５Ｖ调制电压下消光比达５ｄＢ．静态调制过程中，激射波长与阈值没有变化．

电解液电反射法研究GaAs/GaAlAs多层结构材料

在研究GaAs和GaAlAs电解液电反射谱的基础上,把电解液电反射方法与电化学可控阳极溶解技术结合起来,对GaAs/GaAlAs多层结构材料进行深度剖面分析。根据阳极溶解过程中电反射谱的变化,研究了多层结构材料的界面性质、p-n结位置和纵向铝组分分布。

GaAlAs半导体激光治疗牙本质过敏症的研究进展

GaAlAs半导体激光是由铝(Al)、镓(Ga)、砷(As)等元素组成的低功率激光,特点是发射能量低、温度上升幅度小、刺激循环和细胞活性、安全性强、操作简便。牙本质过敏症是口腔临床的常见症状,发病机制尚未完全明确,临床常用脱敏手段疗效不佳。目前,GaAlAs半导体激光已广泛应用于口腔治疗,特别是波长为780~980nm的GaAlAs半导体激光在牙本质过敏症治疗中的应用最为广泛。GaAlAs半导体激光主要通过介导与神经传导抑制有关的镇痛作用、光动力生物调控效应以及热效应发挥脱敏功效,不同参数的设定以及是否与脱敏剂联用均会影响脱敏效果,合理使用GaAlAs半导体激光有助于其发挥最大效能,并避免牙髓损伤。

GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器

采用反应离子刻蚀GaAs/GaAlAs双异质结构激光器的一个腔面,已经获得室温下连续激射的效果,其阈电流比解理腔面高18％左右,量子效率低14％左右.

新型GaAs/GaAlAs非对称量子阱红外光电导探测器

提出一种新型 Ga As/ Ga Al As子带间光吸收的红外光电导探测机理 ,利用 MOCVD系统进行器件材料的生长 ,研制了 2 0 0μm× 2 0 0μm的台面形式单管 ,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象 ,对器件的性能测试结果表明 ,器件的光电流响应和信噪比随着阱数增加而增加 ,器件噪声比常规 Ga As/ Ga Al

高功率单模GaAlAs/GaAs激光器

本文报告了隐埋双脊衬底大光腔结构GaAlAs/GaAs激光器的制备和特性,获得CW光输出的最高功率可达80mW。

GaAs/GaAlAs 单量子阱双区共腔激光器双稳特性与开关效应

ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单量子阱双区共腔激光器双稳特性与开关效应李长英张长信郭韵赵鹏涛（西北大学物理系激光教研室西安７１００６９）单量子阱光双稳激光器（Ｓｉｎｇｌｅｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌａｓｅｒｄｅｖｉｃｅ）是一种兼有双稳、开关、存储整形与放大的多功能...

GaAlAs膜反射谱的注入载流子感生变化实验研究

实验研究了GaAlAs膜反射谱的注入载流子感生变化,给出不同浓度载流子注入后膜反射谱变化曲线及其与注入载流子浓度的关系曲线。

GaAs/GaAlAs激光放大器的双稳态特性研究

我们实验研究了Gn_xAl_(1-x)As法珀型激光放大器在失谐状态下的双穗态特性并给出了理论分析。双稳态特性是由入射光的折射率改变所致。实验结果与理论分析结果基本一致。最小临界触发功率约为30μW。

沟道SI－GaAs衬底上正装GaAlAs／GaAs BH激光器的制作

介绍了宽沟道ＳＩ－ＧａＡｓ衬底上的ＢＨ激光器的制作，全部结构由两次外延形成，阈值电流为５５ｍＡ。在Ｉ＝２Ｉｔｈ时，Ｐ－Ｉ曲线仍保持良好的线性关系。

GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析

Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极的分辨力是第３ 代微光像增强器的重要参数之一。从简化的二维扩散方程推导了 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式阴极的调制传递函数（ Ｆｍ ，ｔ） ，计算了２ μｍ 厚 Ｇａ Ａｓ 阴极层的 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射阴极的理论分辨力特性曲线，并讨论了它与若干参数的关系。据此得出在设计 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极时应主要考虑最大量子效率，分辨力的损失并不限制系统的性能。