H_2对航天用GaAs器件可靠性的影响

分析了H2对GaAs器件可靠性的影响,在此基础上通过理论计算提出为满足航天及其它特殊应用领域,密封GaAs器件长期贮存和长寿命工作不失效对H2含量的控制要求,最后给出了控制H2含量可行的方法和工艺。

电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用

介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩模版精确互套的方法、干法刻蚀等工艺过程做了必要的阐述。

GaAs器件中载流子非稳态输运的蒙特卡罗模拟

本文用多粒子蒙特卡罗方法对GaAs器件中的载流子非稳态输运过程进行了模拟,解释了载流子速度过冲效应对亚微米器件性能的影响。给出了一种由P集电区、P^+缓变基区和AlGaAs/GaAs异质发射结组成的N^+P^+PN新结构,预计将对缩短基区-集电区渡越时间有明显的作用。

GaAs器件的离子注入新技术研究

本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF^+对Si^+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。

10大GaAs器件制造商新近出炉

砷化镓（GaAS）器件设计与制造最初被视为欧洲组件厂商力压日本和美国竞争对手的一个良机。日本和美国组件制造商一直在CMOS器件领域保持领先地位。但据市场调研公司Strategy Analytics，在10大GaAs器件制造商中，没有一家欧洲厂商。随着Filtronic可能跻身10大厂商排名榜，上述情况今年也许会发生变化。

2007全球GaAs器件市场增长17％

据市场调研公司Strategy Analytics的数据显示，2007年砷化镓（GaAs）器件市场达到36亿美元，比2006年增长17％。Strategy Analytics表示，最大的三家GaAs芯片供应商——RF Micro Devices Inc（RFMD）、Skyworks Solutions Inc．和TriQuInt Semiconductor Inc．，2007年占总体市场的50％。

0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用

对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管。研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键。

GaAs霍尔器件γ和β射线辐照研究

用γ和β射线分别对GaAs霍尔器件进行不同时间的辐照,测定了辐照前后器件的输入电阻、输出电阻、霍尔灵敏度等电磁参数。结果表明:γ和β射线辐照使器件的输入、输出电阻增加,但霍尔灵敏度可能增加也可能减小,其与射线种类、辐照时间密切相关。具体分析认为,射线辐照使材料表面及内部结构改变,进而引起载流子浓度、迁移率等的变化,最终导致器件的宏观电磁参数发生变化。

辐射对GaAs霍尔器件电磁参数的影响

为了深入揭示γ和β射线辐照对GaAs霍尔器件的影响规律,在无源、无磁场作用时的辐照研究基础上,又用低剂量率γ和β射线对恒流激励、无磁场和有确定磁场作用的器件进行非永久辐照,考察了输入端电阻及霍尔输出电压的变化。结果表明,无磁场作用时,γ和β射线辐照均导致器件输入端电阻增加,而且与辐照时间近似成正比;有确定磁场作用时,输入端电阻与霍尔输出电压也因辐照发生变化,但与辐照时间没有确定关系,而且变化量较小。所有变化均不因辐照停止而消失,反应了常温退火过程对辐射损伤的不可恢复性。上述结果不仅从一定程度上证实了辐射损伤理论,而且对相应的辐射防护研究具有重要的参考价值。

面向GAA器件的自对准侧墙转移技术

纳米尺度的图形化以及先进刻蚀技术是先进围栅(gate-all-around, GAA)器件面临的重要挑战之一。通过自对准侧墙转移技术设计和实现了纳米尺度的鳍和栅。同时采用剪裁氮化硅硬掩膜的方案设计实现了鳍剪裁,高效率地形成均匀的鳍阵列(宽度49 nm,高度400 nm,长度402 nm)。另外,通过自对准侧墙转移技术形成了宽度为48 nm的栅,栅顶部还有较厚的SiO_(2)/SiN_(x)/SiO_(2)(ONO)掩膜,内部非晶硅“伪栅”被ONO硬掩膜和侧壁覆盖良好。将该两项技术应用在环栅堆叠硅纳米片金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中,获得栅长(L_(G))为60 nm的器件,在0.7 V栅压时器件的驱动电流高达676μA/μm,比未用该技术的60 nm栅长的器件驱动性能提升了4.02倍,开关比(开态电流(I_(on))/关态电流(I_(off)))为5.7×105。该工作对未来纳米尺寸图形的制备以及先进电子器件研制具有重要的参考意义。

GaAs器件市场

战略分析指出，手机市场仍然是GaAs器件工业的主要驱动力，2003年北美的公司是其主导者。

2018年GaAs射频器件收入将飙升至80亿美元

根据Strategy Analytics高端半导体应用（ASA）电子数据表模型和GaAs器件预测与前景展望报告显示，手机终端中砷化镓的应用仍然是GaAs器件增长的主要驱动力，GaAs器件市场继2014年创下射频器件收入记录后，有望在今年突破70亿美元大关，预计到2019年总收入将飙升至峰值80亿美元。

基于内嵌空腔绝缘体上硅的GAA器件电学表征与分析

全包围环栅(GAA)器件具有极强的栅控能力,但工艺较为复杂,需采用先进工艺节点制备。基于新型内嵌空腔绝缘体上硅(VESOI)衬底,设计并制备了2种结构的GAA器件(纯GAA器件和π-GAA-π器件)和作为对照组的π器件,并进行了电学表征和分析。2种GAA器件均表现出良好的电学性能,开关比均达到108。纯GAA器件表现出更小的亚阈值摆幅(62 mV/dec)、更大的电流密度和更小的漏致势垒降低(DIBL)值,且不受背栅偏压的影响,但其底部栅极与源、漏存在交叠区,加剧了栅致泄漏电流(GIDL)效应;π-GAA-π器件虽然不受GIDL效应的影响,但由于其串联了π沟道,器件电学性能下降。实验结果证明了基于VESOI衬底制备GAA器件的可行性,同时进一步讨论了更高的栅极与空腔对准精度对器件性能的提升,为后续工艺改进提供了参考。

半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析

报道了用 1 0 64nm激光脉冲触发电极间隙为 3mm的横向半绝缘GaAs光导开关的实验结果 对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析 ,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异 。

砷化镓（GaAs）半导体器件、单晶的现状及发展动向

本文从应用角度综合评述了国外近年来砷化镓集成电路、器件和单晶材料领域的进展概况以及目前存在的主要问题，并预测了今后的发展趋势。

GaAs IC虚拟实验室

本文介绍一个用来设计及研究GaAs器件及其IC,且具有良好的图形交互界面的IC-CAD软件,它可以完成诸如示波、扫频、频谱、阻抗与电平测量、信号源发生等传统实验室中的各种硬件功能,对GaAs器件及其各类微波集成电路的分析、设计与开发有着重要意义.

AuGeNi－n型GaAs欧姆接触界面微区结构与接触电阻率的关系

欧姆接触是砷化镓器件中的基本单元，它的电性能极大地影响器件的质量。在众多的欧姆接触系统中，ＡｕＧｅＮｉ系统应用最为广泛。利用扫描俄歇电子微探针对离子注入重掺杂的ｎ型ＧａＡｓ上利用快速热合金制备的ＡｕＧｅＮｉ欧姆接触进行了研究，比较了不同退火温度下欧姆接触的电性能和微区界面结构，对界面微区结构与接触电阻的关系进行了探讨，提出了产生低阻接触的理想微区结构，为工艺参数的选择提供了有益的依据。

第3代半导体材料GaN基微波功率器件研究和应用进展

微波功率器件是指工作频段在300M～300GHz这个微波波段内的电子器件，主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能，是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第l代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第2代半导体材料砷化镓（GaAS）、磷化铟（InP）。20世纪90年代，基于第3代宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）的高频、大功率微波器件开始引起人们的关注，并在近十几年快速发展，尤其是基于GaN材料的高电子迁移率晶体管（HEMT）器件和电路，已经开始在某些领域取代GaAs器件。