一种测量GaAs-GaAlAs行波激光放大器增益特性的实验方法

本文报导了一种测量光耦合效率η的新实验方法。这个方法是建立于p-n结短路光电流原理上的。 本文推导出适合于行波激光放大器的光耦合效率的公式。短路光电流用一检流计测量,利用公式获得光耦合效率的实验值。 利用实验所测光耦合效率,测量了行波激光放大器的增益随注入电流变化的规律,其结果和实验符合。 另外本文还介绍了在脉冲注入电流条件下测行波半导体激光放大器增益的实验方法。

GaAs-AaAlAs多量子阱界面特性的光学研究

本文用光荧光光谱和激发光谱研究了分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱结构的界面特性。在极弱激发条件下,与界面相关的光谱特性可以分为三类:当样品界面较为平整时,光谱结构上出现明显的本征发光和杂质发光竞争现象;当样品界面起伏较大时,界面缺陷可成为激子束缚中心,阻止载流子向杂质能级扩散,光谱中只表现出较宽的本征发光峰;还有一种情况是界面缺陷使杂质在界面富集,光谱中出现较强的界面杂质发光。