宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关.芯片尺寸为0.97×1.23mm.在DC—10GHz频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,开关时间小于1ns,在5GHz下的功率处理能力大于20dBm.此开关具有极低的直流功率耗散.

大功率GaAsFET器件的偏置电路

本文的目的是给出为大功率GaAsFET器件提供安全偏置的基本参考。由于器件的千差万别，这些参考并不是完全的，比如放大器的自激振荡等稳定性问题则还需要用一般的标准的方法来分析。

宽带变容管调谐GaAsFET振荡器

美国海军研究所研制了7.4～13.1千兆赫的宽带变容管调谐 GaAsFET 振荡器。振荡器电路做在0.25毫米的杜罗艾德铬合金衬底上。所用 FET 是阿凡蒂克的 M110型器件,其栅长为 0.5微米,栅宽为750微米,在栅和源引线中提供变容管调谐,漏端接地。每个调谐元件由两个分立的超实变结变容管串联构成,以获得所要求的阻抗。

GaAsFET放大器五种基本的偏置设计

不要忘记 GaAsFET 的直流偏置,迄今一直强调 S 参量和增益压缩点的数据表。但是,如果没有合适的无源参量,你就不可能得到这些有源参量的图表。

GaAsFET的表面漏电

GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半导体器件和电路的性能有重要的影响。Na+沾污GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化GaAs场效应管大幅度减少了表面态。本文详细介绍本研究组在GaAsFET表面漏电的研究进展。

微波GaAs FET放大电路灾变现象的仿真研究

任何含有有源器件的微波放大电路在一定情况下都会表现出非线性特性,同时GaAsFET自身存在的内部反馈和电路元器件的电磁辐射可能会导致信号的正反馈,从而引起放大电路的灾变.本文采用GaAsFET的Curtice-3大信号模型,应用电路定律建立微波放大电路的状态方程,并在时域中用龙格-库塔法求解.最后编程模拟了正反馈情况下电路的灾变现象.

4～8GHz倍频程GaAs FET VCO

本文叙述了采用单变容管调谐的4～8GHz共漏反沟道GaAs FET VCO的设计和研究结果。振荡器的直接输出功率大于16.5dBm,功率平坦度为±2dBm,线性度优于3:1(电调灵敏度之比)。并给出了振荡器其他性能。

宽带GaAs FET功率放大器的计算机辅助设计

本文叙述了采用静态法模拟GaAs FET大信号模型和以该大信号模型设计宽带GaAsFRT功率放大器的方法.在分析电路时,提出了一种对非线性电路进行交流大信号稳态分析的有效方法:时一频转换循环迭代法.编写了一个优化设GaAs FET功率放大器的计算机程序GFPA.采用该程序设计制作了一个单级宽带GaAs FET功率放大器.在未作任何调整的情况下,该放大器的实测性能与其理论计算符合较好.

HWADAR华达微波科技有限公司 HWADAR Ka系列低噪声放大器 LKa20000系列Ka波段LNA

介绍 华达微波科技有限公司Ka系列低噪声放大器是专门设计的卫星地球站的接收前端，也可以作为其他通讯系统的接收前端。可以用于固定站中，也可以用于移动站中。这些精心设计的放大器应用最新的HEMT和GaAsFET技术，在其他一些常用的频段，我们拥有更低的噪声温度、以及更高性能的产品。

GaAs FET振荡频率理论研究

本文从设计理上系统地推导和分析了共源、共栅和共漏组态下的GaAsFET振荡频率,并研究了温漂和时漂等问题,理论能较好地解释实验结果。

PECVD SiN及其在GaAs MESFET中的应用——第1部分:PECVD SiN的制备及其组分和键结构

叙述了PECVD SiN的制备、性能及其在GaAs场效应器件中的应用。第一部分叙述PECVD SiN的一般概念、设备及淀积条件,阐明其键结构以及它们与工艺条件的关系。第二部分叙述PECVD SiN性能及其与工艺条件的关系,着重叙述在GaAs器件中的应用和对器件性能的影响。

GaAsMESFET和DHEMT的中子辐射效应研究

本文介绍了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理，分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系，其中，器件参数包括物理参数Ｎ＿Ｄ、Ｎ＿ｓ、Ｖ＿ｓ，μ和电参数Ｉ＿ＤＳ、ｇ＿ｍ、Ｖ＿ｐ、Ｇ等。

FET混频参数的计算

ＧａＡｓＦＥＴ的散射参数与工作状态有关，采用散射参数不能直接求出混频增益．本文介绍一种ＧａＡｓＦＥＴ的混频参数的计算方法．由散射参数求得混频参数，从而求得ＧａＡｓＦＥＴ的混频增益．