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图形化蓝宝石衬底技术综述
被引量:
9
1
作者
汪明刚
杨威风
+2 位作者
胡冬冬
李超波
夏洋
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2012年第8期35-43,共9页
采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述...
采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述,介绍了PSS技术演化、PSS的制作方法与主要的图形结构、PSS上GaN外延层生长机制以及PSS对LED性能的影响。PSS结构对LED的IQE与LEE均有提高,但对二者哪个提高更为有效没有定论,最近的研究结果倾向于以为对LEE提高更为有效。PSS对LED的IQE与LEE提高的机制目前并不是非常清楚,对公开发表的PSS对LEE的提高机制提出了不同看法。不同PSS结构与尺寸对GaN质量以及LED性能的影响方面的研究目前还非常缺乏。
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关键词
材料
图形化蓝宝石衬底
发光二极管
内量子效率
gan外延生长
光析出率
原文传递
题名
图形化蓝宝石衬底技术综述
被引量:
9
1
作者
汪明刚
杨威风
胡冬冬
李超波
夏洋
机构
中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2012年第8期35-43,共9页
基金
国家科技重大专项(2009ZX02037)资助课题
文摘
采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述,介绍了PSS技术演化、PSS的制作方法与主要的图形结构、PSS上GaN外延层生长机制以及PSS对LED性能的影响。PSS结构对LED的IQE与LEE均有提高,但对二者哪个提高更为有效没有定论,最近的研究结果倾向于以为对LEE提高更为有效。PSS对LED的IQE与LEE提高的机制目前并不是非常清楚,对公开发表的PSS对LEE的提高机制提出了不同看法。不同PSS结构与尺寸对GaN质量以及LED性能的影响方面的研究目前还非常缺乏。
关键词
材料
图形化蓝宝石衬底
发光二极管
内量子效率
gan外延生长
光析出率
Keywords
materials
patterned sapphire substrate
light emitting diodes
internal quantum efficiency
gan
epitaxy growth
light extraction efficiency
分类号
O47 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
图形化蓝宝石衬底技术综述
汪明刚
杨威风
胡冬冬
李超波
夏洋
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2012
9
原文传递
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参考文献
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