低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料

报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数，较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料（简称GBBLC）。材料的有效介电常数高达37×10^4，损耗可控制在4％，晶粒5μm左右，△C/C<±3％（20－150℃），频率色散较小，且制备工艺简单。