HF在Cu(100)和SiO_2(100)晶面吸附的蒙特卡罗模拟

HF同固体表面的相互作用,在腐蚀、催化和电化学等领域都有重要的意义。为了研究在低温低压条件下,HF在Cu和SiO_2晶体表面的吸附情况,本文采用巨正则蒙特卡罗(GCMC)模拟法,计算模拟HF在Cu(100)和SiO_2(100)晶体表面的吸附行为。结果表明:本文所模拟的属于物理吸附。在150K、46.62 Pa以上时,HF可以在Cu晶体表面上发生吸附,如压力降低,则吸附大大降低,在100 K以下、1 Pa以上时,均能发生吸附。在相同条件下,HF与SiO_2比与Cu晶面的吸附能力强,且更易发生物理吸附,在150 K以下,1 Pa以上时,HF均可与SiO_2晶面发生吸附。本文的结果为在低温低压下HF与Cu和SiO_2晶体表面的吸附实验提供一定的理论指导。