反式二丁烯与氢气流量比对辉光放电等离子体组分与聚合物薄膜表面粗糙度的影响

采用低压等离子体增强化学气相沉积方法(LPPE-CVD),以反式二丁烯(T_2B)和氢气(H_2)为工作气体,改变T_2B/H_2流量比制备不同条件下的碳氢聚合物(GDP)薄膜。利用质谱诊断技术研究了工作气体流量比对薄膜沉积过程中等离子体组分及离化程度的影响规律。同时结合白光干涉和SEM等技术研究了GDP薄膜的表面粗糙度和表面形貌的变化规律。结果表明,随T_2B/H_2流量比的增加,反应腔室中等离子体的离化率呈现先增大后减小的趋势。当T_2B/H_2流量比为0.8∶10时,反应气体的裂解程度最大,等离子体中离子片段的总量也最多。薄膜的表面粗糙度随T_2B/H_2流量比的增加出现先减小后增大的趋势。在0.6∶10的T_2B/H_2流量比条件下,薄膜的均方根粗糙度Rq达到极小值39.1nm。