反式二丁烯与氢气流量比对辉光放电等离子体组分与聚合物薄膜表面粗糙度的影响

采用低压等离子体增强化学气相沉积方法(LPPE-CVD),以反式二丁烯(T_2B)和氢气(H_2)为工作气体,改变T_2B/H_2流量比制备不同条件下的碳氢聚合物(GDP)薄膜。利用质谱诊断技术研究了工作气体流量比对薄膜沉积过程中等离子体组分及离化程度的影响规律。同时结合白光干涉和SEM等技术研究了GDP薄膜的表面粗糙度和表面形貌的变化规律。结果表明,随T_2B/H_2流量比的增加,反应腔室中等离子体的离化率呈现先增大后减小的趋势。当T_2B/H_2流量比为0.8∶10时,反应气体的裂解程度最大,等离子体中离子片段的总量也最多。薄膜的表面粗糙度随T_2B/H_2流量比的增加出现先减小后增大的趋势。在0.6∶10的T_2B/H_2流量比条件下,薄膜的均方根粗糙度Rq达到极小值39.1nm。

射频功率对氢气与反式二丁烯的低压电感耦合等离子体的影响（英文）

利用等离子体聚合技术制备的GDP壳层是目前ICF靶丸的主要烧蚀层材料。为了了解GDP薄膜沉积过程中的CH等离子体的状态,采用朗缪尔探针和质谱仪对C4H8/H2等离子体的组分和状态参数进行了诊断,并对等离子体的电子能量分布函数、电子密度、电子温度等进行了深入分析。同时讨论了等离子体状态与放电参数之间的关系。研究发现,射频功率对等离子体参数有明显的影响。从10W到35W,电子密度正比于射频功率。随着射频功率的增加,在两步电离机制作用下,电子温度和等离子体电势呈现先减小后增大的变化趋势。另外,在高气压下,质谱诊断中发现了大量的稳定的小质量碎片离子,这表明在高气压下等离子体气相中的离子碎片聚合反应被抑制。