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GeS_2-Ga_2S_3-KCl系统玻璃的拉曼光谱研究 被引量:6
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作者 陶海征 赵修建 +1 位作者 敬承斌 佟威 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期44-47,共4页
对GeS2Ga2S3KCl准三元系统玻璃3个系列样品的室温拉曼谱进行了系统的探测和分析。根据准二元系统GeS2KCl和Ga2S3KCl的熔融淬冷产物的观察和拉曼谱的分析,得出了在GeS2Ga2S3KCl系统玻璃中仅Ga2S3和KCl发生了化学反应并产生了新结构单元Ga... 对GeS2Ga2S3KCl准三元系统玻璃3个系列样品的室温拉曼谱进行了系统的探测和分析。根据准二元系统GeS2KCl和Ga2S3KCl的熔融淬冷产物的观察和拉曼谱的分析,得出了在GeS2Ga2S3KCl系统玻璃中仅Ga2S3和KCl发生了化学反应并产生了新结构单元GaS32Cl的结论。根据系列Ⅰ和Ⅲ拉曼谱的演变证实了引入的K+离子是以氯原子为最近邻配位且仅形成单壳层结构。根据K+离子对结构单元GaS32Cl和亚结构单元Ga2S4Cl2影响的分析,成功地解释了GeS2Ga2S3KCl准三元系统玻璃中的拉曼谱演变。 展开更多
关键词 ges2 L系统 新结构 室温 拉曼光谱 探测 单元 变证 K^+ 观察
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氯吡格雷对人胃黏膜上皮细胞株GES-1增殖作用的影响 被引量:11
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作者 孙沂 樊宏伟 +2 位作者 王书奎 何帮顺 张振玉 《世界华人消化杂志》 CAS 北大核心 2010年第4期329-334,共6页
目的:探讨氯吡格雷(Clopidogrel)对人胃黏膜上皮细胞株GES-1增殖的影响.方法:体外培养人胃黏膜上皮细胞株GES-1,将含不同浓度氯吡格雷(0.01、0.1、0.5和1mmol/L)的培养液与GES-1细胞共同培养24、48及72h,采用MTT比色法计算细胞生长抑制... 目的:探讨氯吡格雷(Clopidogrel)对人胃黏膜上皮细胞株GES-1增殖的影响.方法:体外培养人胃黏膜上皮细胞株GES-1,将含不同浓度氯吡格雷(0.01、0.1、0.5和1mmol/L)的培养液与GES-1细胞共同培养24、48及72h,采用MTT比色法计算细胞生长抑制率.以药物不同浓度对GES-1细胞生长抑制率作图,得到剂量反应曲线.依据Bliss法,利用SPSS15.0软件求出氯吡格雷的半数抑制浓度IC50和安全浓度IC90(存活率≥90%的药物浓度).倒置相差显微镜观察各浓度组氯吡格雷与GES-1细胞共同培养24h后细胞形态学变化,用流式细胞术膜联蛋白V-异硫氰酸荧光素-碘化丙啶(Annexin V-FITC/PI)双染法检测各浓度组氯吡格雷与GES-1细胞共同培养24h后对细胞凋亡的影响.结果:氯吡格雷对GES-1细胞的损伤呈浓度依赖性(F=11.546,P=0.002),无时间依赖性(F=13.455,P=0.003).氯吡格雷作用24h、48h和72h的IC50分别为0.36、0.51和0.35mmol/L,IC90分别为0.08、0.16和0.08mmol/L.光镜下可见药物作用后贴壁细胞数量减少,细胞变圆,悬浮,部分细胞核浓缩,细胞损害随药物浓度增加而增大.流式细胞术显示:空白对照组及0.01、0.1、0.5、1mmol/L氯吡格雷组凋亡率为4.7%、5.3%、14.7%、51.0%、60.5%.随着氯吡格雷药物浓度增加,GES-1细胞的凋亡率亦随之增加.结论:氯吡格雷可抑制人胃黏膜上皮细胞的增殖,具有剂量依赖性,诱导细胞发生凋亡. 展开更多
关键词 氯吡格雷 ges—1细胞 MTT法 凋亡
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GeS_2-Ga_2S_3-CsCl系统玻璃的微结构研究 被引量:3
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作者 陶海征 赵修建 +1 位作者 杨慧 敬承斌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期47-52,共6页
对准三元系统玻璃GeS2-Ga2S3-CsCl中两个系列样品的室温拉曼谱进行了系统的探测和分析.基于Cs+对混合阴离子基团GaS3/2Cl影响的分析,解释了低CsCl含量时样品的拉曼谱演变;基于Cs+对桥式单元Ga2S4Cl2影响的分析,解释了Ga2S3-2CsCl玻璃... 对准三元系统玻璃GeS2-Ga2S3-CsCl中两个系列样品的室温拉曼谱进行了系统的探测和分析.基于Cs+对混合阴离子基团GaS3/2Cl影响的分析,解释了低CsCl含量时样品的拉曼谱演变;基于Cs+对桥式单元Ga2S4Cl2影响的分析,解释了Ga2S3-2CsCl玻璃和二聚物Ga2Cl6熔体拉曼谱相似和变化的原因,并在此基础上解释了高CsCl含量时GeS2-Ga2S3-CsCl系统玻璃样品的拉曼谱演变.根据拉曼谱的微结构起源,GeS2-Ga2S3-CsCl玻璃的微结构被推测是Cs+以氯原子为最近邻配位的单壳层形式均匀地分布在由GeS4/2,GaS3/2Cl,Ga2S4Cl2等结构单元通过桥硫键联接而形成的玻璃网络中. 展开更多
关键词 ges2-一Ga2S3-CsCl系统玻璃 拉曼 微结构
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激光作用下GeS_2非晶半导体薄膜的性能及结构变化 被引量:2
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作者 刘启明 干福熹 顾冬红 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期805-810,共6页
采用514.5石nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析(XRD)、红外光谱分析(IR)、扫描电镜分析(SEM)和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边... 采用514.5石nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析(XRD)、红外光谱分析(IR)、扫描电镜分析(SEM)和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多. 展开更多
关键词 激光辐照 ges2 非晶半导体薄膜 性能 结构 氩离子 光致变化 硫化锗
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中国能源回弹效应:理论模型与经验分析——基于GES模型 被引量:5
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作者 薛曜祖 《统计与信息论坛》 CSSCI 北大核心 2015年第10期37-43,共7页
对能源回弹效应的研究从定义、作用机理和实证检验三方面进行梳理的基础上,基于内生经济增长模型,引入劳动增进型技术进步和物质资本长期变动的假设,通过构建不变替代弹性函数,建立能源回弹效应的理论模型,得出长短期能源回弹效应的测... 对能源回弹效应的研究从定义、作用机理和实证检验三方面进行梳理的基础上,基于内生经济增长模型,引入劳动增进型技术进步和物质资本长期变动的假设,通过构建不变替代弹性函数,建立能源回弹效应的理论模型,得出长短期能源回弹效应的测算公式。随后,利用时变参数状态空间模型对中国1981—2012年的能源回弹效应进行实证分析,结果表明,中国能源回弹效应大部分为部分回弹效应,短期能源回弹效应均值为12.21%,长期能源回弹效应均值为52%。虽然部分潜在能源消费降低量被抵消,但整体来看,以提高能源利用效率为核心的节能减排政策在中国还是可行的。 展开更多
关键词 能源利用效率 能源回弹效应 ges模型 状态空间模型
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原子—分子散射的GES理论与GAN理论
6
作者 张庆刚 林圣路 +1 位作者 张怿慈 任廷琦 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期2928-2934,共7页
本文通过对原子—分子散射的全Green算子的恰当数学处理,推导出了GES和GAN理论的跃迁矩阵元表达式,并对其物理意义加以说明,最后列出了用GES理论对He—H_2体系计算结果。
关键词 分子 原子 散射 能量 ges理论
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Second-harmonic Generation in UV-pulsed Laser Poled Amorphous 80GeS_2-15Ga_2 S_3-5CdS Chalcogenide Film
7
作者 LIU Gang PENG Minhong 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2013年第6期1064-1067,共4页
With the pulsed laser deposition (PLD) method, amorphous 80GeS2-15Ga2S3-5CdS chalcogenide film was deposited on glassy substrate. Obvious second harmonic generation (SHG) was observed in the ultraviolet (UV)-pol... With the pulsed laser deposition (PLD) method, amorphous 80GeS2-15Ga2S3-5CdS chalcogenide film was deposited on glassy substrate. Obvious second harmonic generation (SHG) was observed in the ultraviolet (UV)-polarized film and the SHG intensity increased with the increase in single pulse energy and irradiation time. Through Raman spectra and transmission spectra, the mechanism of SHG was studied. The experimental results demonstrated that effective electron traps and hole traps were generated in the UV- polarized film. The energy of electrons and holes was using up due to the collision with other particles and crystal fields during their movement and finally they were captured by the traps and fixed, which made the electric charge distribution nonuniform in the film and destroyed the spatial isotropy. In the meantime, the center of positive and negative charges separated and a built-in electric field was formed which generated the optical second-order nonlinearity of the film. 展开更多
关键词 amorphous ges2-Ga2S3-CdS chalcogenide film UV-pulsed laser poled second harmonicgeneration maker fringes
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新型二维半导体异质结GeSe/GeS光电性质的理论研究
8
作者 王玉平 《光源与照明》 2022年第4期51-53,共3页
文章将运用基于密度泛函理论的第一性原理方法分析二维GeS和GeSe纳米片结构的稳定性、能带结构和光学性质等,并进一步探讨应变对其能带结构和光电性质的影响,解析物理机理。首先,构建不同构型的GeSe/GeS异质结材料,进行筛选,得到能量最... 文章将运用基于密度泛函理论的第一性原理方法分析二维GeS和GeSe纳米片结构的稳定性、能带结构和光学性质等,并进一步探讨应变对其能带结构和光电性质的影响,解析物理机理。首先,构建不同构型的GeSe/GeS异质结材料,进行筛选,得到能量最稳定的构型进行计算分析。GeSe/GeS异质结为间接带隙二维半导体材料,对于紫外光有较强的吸收效果,对于可见光也有比较好的吸收能力。对材料施加不同程度的应变发现,应变能够改变材料对波长为500 nm的可见光和紫外光的光吸收能力。 展开更多
关键词 二维半导体材料 异质结 gese ges
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GeS/MoS_(2)异质结电子结构及光学性能的第一性原理研究 被引量:1
9
作者 梁志华 谭秋红 +1 位作者 王前进 刘应开 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期459-470,共12页
以MoS_(2)、GeS为代表的二维层状材料在光学、电学等方面表现出优异的物理性能。如何将两者的优良性能结合,同时获得具有新的协同功能的复合材料对电子器件的发展和应用具有重要意义。本文采用密度泛函理论的第一性原理计算方法,对GeS/M... 以MoS_(2)、GeS为代表的二维层状材料在光学、电学等方面表现出优异的物理性能。如何将两者的优良性能结合,同时获得具有新的协同功能的复合材料对电子器件的发展和应用具有重要意义。本文采用密度泛函理论的第一性原理计算方法,对GeS/MoS_(2)异质结的电子结构及光学性质进行了系统研究,并探索了界面间距、应变和电场对异质结电子结构和光学性能的影响。研究结果表明,GeS/MoS_(2)异质结是Ⅱ型能带排列,该能带排列有利于光生电子-空穴对的分离。进一步研究发现,通过应变和电场等手段可以实现对GeS/MoS_(2)异质结能带排列及光吸收系数的有效调控。该研究结果表明GeS/MoS_(2)异质结在光催化、光电器件等领域具有潜在的应用,为设计与制备GeS/MoS_(2)相关的光电器件提供了理论指导。 展开更多
关键词 ges/MoS_(2)异质结 二维层状材料 电子结构 光学性能 界面间距 应变 电场 第一性原理
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一种基于准分子激光退火的GeSn合金生长新技术
10
作者 周谦 杨谟华 +2 位作者 王向展 李竞春 罗谦 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期274-277,共4页
针对源漏诱生应变Ge沟道MOSFET的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术。X射线衍射与透射电镜测试结果表明,采用该技术可得到质量优良的GeSn单晶。材料表面平整,无位错缺陷产生,与快速热退火方式相比,晶... 针对源漏诱生应变Ge沟道MOSFET的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术。X射线衍射与透射电镜测试结果表明,采用该技术可得到质量优良的GeSn单晶。材料表面平整,无位错缺陷产生,与快速热退火方式相比,晶体质量有明显提高。Sn注入剂量为8×1015cm-2的样品经退火后,其替位式Sn原子含量为1.7%,可满足应变Ge沟道MOSFET的设计要求。该技术附加工艺少,效率高,在实际生产中具有较大的参考价值。 展开更多
关键词 gesn 应变Ge MOSFET 准分子激光 离子注入
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Microstructural Probing of (1-x) GeS_(2-x)Ga_2S_3 System Glasses By Raman Scattering 被引量:4
11
作者 陶海征 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2005年第3期8-10,共3页
Roman scattering measurement of ( 1 - x ) GeS2-x Ga2S3 system glasses was conducted in order to understand the microstructural change caused by the addition of Ga2S3 . According to the change of Raman spectra with t... Roman scattering measurement of ( 1 - x ) GeS2-x Ga2S3 system glasses was conducted in order to understand the microstructural change caused by the addition of Ga2S3 . According to the change of Raman spectra with the addition of Ga2S3, two main structural transformations were deduced : the gradual enhancement of ethane- like structural units S3 Ge- GeS3 ( 250 cm ^- 1) and S3 Ga- GaS3 (270 cm ^- 1 ) and the appearance of charge imbalanced units [ Ga2 S2 ( S1/2 )4 ]^2- and [Ga( S1/2 )4 ]^- . And this change of structural aspect seems to give as a clue to understanding the cause of the increased rare-earth solubility. 展开更多
关键词 1 - x ges2-x Ga2S3 system glasses Raman microstructure
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GeSi量子点的发光特性研究
12
作者 廖家欣 李西南 周庆华 《长沙电力学院学报(自然科学版)》 2004年第2期80-83,共4页
研究了在Si衬底上自组织生长Ge岛或Ge量子点的光致发光特性.用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)观察Ge岛的大小和密度,经过680℃退火30min,观察到了量子点的光致发光.
关键词 GE量子点 光致发光 PL光谱 RAMAN光谱
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Photo-induced Phenomena in GeS_4 Glasses
13
作者 顾少轩 SHEN Changjun +1 位作者 ZANG Haochun 陶海征 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2014年第3期473-477,共5页
GeS4 bulk glasses were prepared by the melt-quench technique and the samples were irradiated by 532-nm linearly polarized light. After the laser treatment, the photo-induced changes of the samples were investigated by... GeS4 bulk glasses were prepared by the melt-quench technique and the samples were irradiated by 532-nm linearly polarized light. After the laser treatment, the photo-induced changes of the samples were investigated by UV-1601 speetrophotometer and optical second-order nonlinear tester. The results show that the transmittance of the samples around 532 nm obviously decreases and Bragg reflector forms, which is due to the production of photon-generated carriers. With the increase of laser pulse energy or the extension of irradiation duration, the Bragg reflector increases and gradually tends to be stable. These can be ascribed to the excitation- capture process of the carriers. After irradiation, the relaxation phenomenon results from the release of part of the absorbed energy in the glass matrix. And the fitting equation of the relaxation process is consistent with a conventional Kohlrausch stretched exponential function. The origin of the second harmonic generation (SHG) is because of the dipole reorientation caused by the photo-induced anisotropy in the glass. 展开更多
关键词 ges4 chalcogenide glasses photo-induced phenomena structural relaxation SHG
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Synthesis and Properties of New Infrared Nonlinear Optical Li_2Ga_2GeS_6 Crystal
14
作者 宋满 刘启明 +2 位作者 TAN Min CHEN Ruiqi YANG Sanjun 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2015年第3期509-511,共3页
IR Li2Ga2GeS6 nonlinear crystals were directly obtained with the composition of 40GeS2- 30Ga2Ss-30LieS, by the conventional melt-quenching method. The high depth digital image indicated that the obtained LizGa2GeS6 cr... IR Li2Ga2GeS6 nonlinear crystals were directly obtained with the composition of 40GeS2- 30Ga2Ss-30LieS, by the conventional melt-quenching method. The high depth digital image indicated that the obtained LizGa2GeS6 crystals showed a big size of 0.3 × 0.25 × 0.3 mm3. It was shown that the compound was very suscepfive to H20 with second harmonic observation. Besides, the glass-forming region of GeS2-Ga2S3- Li2S system was further studied by the conventional melt-quenching method.GeS2-Ga2S3-Li2S glass-ceramics containing IR Li2Ga2GeS6 nonlinear nanocrystals were obtained at a more carefully controlled heating rate. 展开更多
关键词 IR Li2Ga2ges6 nonlinear crystals glass-forming region SIZE
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东方雨虹盖世涂GES⁃300入选年度大奖
15
《聚氨酯工业》 北大核心 2020年第6期37-37,共1页
近日,东方雨虹自主研发的盖世涂GES⁃300无溶剂单组分聚氨酯防水涂料,获评2020创研优采黑科技年度大奖。2020年2月,东方雨虹推出盖世涂GES⁃300无溶剂单组分聚氨酯防水涂料。该产品具有超优物理性能和环保性能,涂布率高,施工更高效,是行... 近日,东方雨虹自主研发的盖世涂GES⁃300无溶剂单组分聚氨酯防水涂料,获评2020创研优采黑科技年度大奖。2020年2月,东方雨虹推出盖世涂GES⁃300无溶剂单组分聚氨酯防水涂料。该产品具有超优物理性能和环保性能,涂布率高,施工更高效,是行业内首款通过德国EC1plus认证的聚氨酯防水涂料。 展开更多
关键词 单组分聚氨酯防水涂料 东方雨虹 涂布率 无溶剂 环保性能 物理性能 ges
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东方电机GES6630励磁系统在功果桥电站的运行可靠性分析
16
作者 张祺顺 《科技创新与应用》 2014年第29期174-174,共1页
文章以功果桥电站投产以来的励磁系统技术监督资料为基础,对励磁系统运行的可靠性进行了分析。文章主要对励磁系统的历史缺陷进行了梳理分类及分析,并对其运行可靠性做出相应结论。
关键词 功果桥电站 ges6630 励磁系统 可靠性
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The analgesic, anti-inflammatory, and anti-infection effects of Chai Ge fever relief oral liquid
17
作者 Shan-Shan Guo Ya-Xin Wang +2 位作者 Ying-Jie Gao Sai-Wei Lu Xiao-Lan Cui 《Drug Combination Therapy》 2020年第2期45-53,共9页
Backgroud:To explore the analgesic,anti-inflammatory,and anti-infective effects of Chai Ge fever relief oral liquid and provide evidence for clinical application of Chai Ge fever relief oral liquid.Methods:In this stu... Backgroud:To explore the analgesic,anti-inflammatory,and anti-infective effects of Chai Ge fever relief oral liquid and provide evidence for clinical application of Chai Ge fever relief oral liquid.Methods:In this study,four groups of experiments were designed:analgesic,anti-inflammatory,antiviral,and antibacterial.In the mouse pain model,the analgesic effect of Chai Ge fever relief oral liquid was studied by the writhing method and pain threshold;the anti-inflammatory effect by measuring the level of capillary permeability in the abdominal cavity of mice in different dose groups and the weight of cotton ball granuloma formation in rats;the antiviral effect by measuring the lung index of a pneumonia model of mouse infected with influenza virus;and the antibacterial effect by comparing the difference in the death protection ratio between each dose group and the model group result.Results:In the analgesic experiment,the high and medium dose of Chai Ge fever relief oral liquid could significantly reduce the number of writhing in mice caused by acetic acid,and the pain threshold of mice in the high-and medium-dose groups was significantly increased for 1–3 hours.In the anti-inflammatory experiment,the medium-dose group could significantly inhibit the increase of capillary permeability in the abdominal cavity of mice caused by acetic acid,and the low-dose group could significantly reduce the weight of rat cotton ball granuloma.In the antiviral experiment,the high-and medium-doses of Chai Ge fever relief oral liquid could significantly reduce the lung index of normal mouse pneumonia model of influenza virus infection and achieve a higher inhibition rate.In the anti-infective experiment,the death protection rate of the high-dose group was significantly different from that of the model control group.All three dose groups could significantly prolong the survival days of infected mice.Conclusion:These experimental results prove that in addition to its antipyretic effect,Chai Ge fever relief oral liquid also has analgesic,anti-inflammatory,antiviral,and antibacterial effects. 展开更多
关键词 Chai Ge FEVER RELIEF oral liquid ANALgesIA ANTI-INFLAMMATORY Antiviral Antibacterial
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GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管
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作者 王素元 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期364-370,共7页
提出了一种新型GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管(GeSn/Ge-hetero JLTFET)。该器件结合了直接窄带隙材料GeSn与传统JLTFET的优点,利用功函数工程诱导器件本征层感应出空穴(p型)或电子(n型),在无需掺杂的前提下,形成器件的源区、沟道... 提出了一种新型GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管(GeSn/Ge-hetero JLTFET)。该器件结合了直接窄带隙材料GeSn与传统JLTFET的优点,利用功函数工程诱导器件本征层感应出空穴(p型)或电子(n型),在无需掺杂的前提下,形成器件的源区、沟道区和漏区,从而避免了使用复杂的离子注入工艺和引入随机掺杂波动。该器件减小了隧穿路径宽度,提高了开态电流,获得了更陡峭的亚阈值摆幅。仿真结果表明GeSn/Ge-hetero JLTFET的开态电流为7.08×10^-6 A/μm,关态电流为3.62×10^-14 A/μm,亚阈值摆幅为37.77 mV/dec。同时,GeSn/Ge-hetero JLTFET的相关参数(跨导、跨导生成因子、截止频率和增益带宽积)的性能也优于传统器件。 展开更多
关键词 无结型隧穿场效应晶体管(JLTFET) gesn Ge 带带隧穿(BTBT) 亚阈值摆幅
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GES1型和GPL-1型通用实验系统
19
作者 陈西玉 《电气电子教学学报》 2005年第4期116-118,共3页
关键词 L-1型 实验系统 通用 ges 实验教学 理念设计 电工电子 相类似
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GES1型和GPL-1型通用实验系统
20
作者 陈西玉 《电气电子教学学报》 2006年第1期115-117,共3页
关键词 L-1型 实验系统 通用 ges 电工电子 实验教学 理念设计 相类似
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