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超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究
被引量:
2
1
作者
刘卫东
李志坚
+3 位作者
刘理天
田立林
陈文松
熊大箐
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第7期544-549,共6页
MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏(GIDL)电流指数增强,本文报道N2O中退火SiO2(两步法)生成超薄(5.5nm)氮氧化硅(SiOxNy)栅NMOSFET中的GIDL效应,包括器件尺寸、偏置电压和热载流子效应的影响.发现GIDL在一定的偏置...
MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏(GIDL)电流指数增强,本文报道N2O中退火SiO2(两步法)生成超薄(5.5nm)氮氧化硅(SiOxNy)栅NMOSFET中的GIDL效应,包括器件尺寸、偏置电压和热载流子效应的影响.发现GIDL在一定的偏置下成为主要的泄漏机制,且陷阱电荷和界面态对其具有显著的调制作用.二维器件模拟结果指出,与SiO2栅NMOSFET相比,LDD掺杂结构使SiOxNy栅NMOSFET的GIDL进一步增强.
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关键词
超薄氮氧化硅
gidi效应
NMOSFET
栅介质
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职称材料
题名
超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究
被引量:
2
1
作者
刘卫东
李志坚
刘理天
田立林
陈文松
熊大箐
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第7期544-549,共6页
基金
国家教委博士后基金
国家05攻关资助
文摘
MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏(GIDL)电流指数增强,本文报道N2O中退火SiO2(两步法)生成超薄(5.5nm)氮氧化硅(SiOxNy)栅NMOSFET中的GIDL效应,包括器件尺寸、偏置电压和热载流子效应的影响.发现GIDL在一定的偏置下成为主要的泄漏机制,且陷阱电荷和界面态对其具有显著的调制作用.二维器件模拟结果指出,与SiO2栅NMOSFET相比,LDD掺杂结构使SiOxNy栅NMOSFET的GIDL进一步增强.
关键词
超薄氮氧化硅
gidi效应
NMOSFET
栅介质
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究
刘卫东
李志坚
刘理天
田立林
陈文松
熊大箐
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
2
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