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长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器 被引量:1
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作者 晏长岭 秦莉 +5 位作者 张淑敏 宁永强 王青 赵路民 刘云 王立军 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期565-570,共6页
新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3~1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件。本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL... 新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3~1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件。本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL国外和国内的发展状况等方面对长波长GaInNAs VCSEL进行了综合阐述。 展开更多
关键词 激光技术 长波长激光 gmnnas 垂直腔面发射激光器(VCSEL)
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