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叠合盆地储层油气包裹体GOI成因与应用探讨——以准噶尔盆地莫索湾地区为例 被引量:20
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作者 谢小敏 曹剑 +4 位作者 胡文瑄 张义杰 王绪龙 张越迁 唐勇 《地质学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期834-842,共9页
在准噶尔盆地莫索湾地区选取了5口具有不同油气显示级别的典型探井,通过对48块岩心样品作精细的储层油气包裹体GOI组成分析,尝试探讨了在复杂油气充注情况下,叠合盆地油气包裹体GOI组成的成因。结果表明,含油气流体的充注强度是主因。... 在准噶尔盆地莫索湾地区选取了5口具有不同油气显示级别的典型探井,通过对48块岩心样品作精细的储层油气包裹体GOI组成分析,尝试探讨了在复杂油气充注情况下,叠合盆地油气包裹体GOI组成的成因。结果表明,含油气流体的充注强度是主因。但由于油气成藏的多期复合、油气水界面的多期变迁,决定了我们在研究过程中不可以直接借鉴文献中提出的1%和5%等指标来判断油气水层,而是应该结合地质背景,首先仔细分析其成因,再深入讨论应用。文中利用GOI对莫索湾地区的油气运移进行了讨论,取得了良好效果,表明其在叠合盆地油气运移研究中具有一定应用前景。 展开更多
关键词 油气包裹体 含油包裹体颗粒指数(goi) 油气运移 叠合盆地 准噶尔盆地
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环境参数对GOI法蓝宝石晶体生长影响分析 被引量:5
2
作者 许承海 孟松鹤 +2 位作者 韩杰才 左洪波 张明福 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1020-1024,1037,共6页
利用数值模拟分析的方法,对GOI法(又称泡生法)蓝宝石晶体生长过程进行模拟,分析了系统的环境参数变化对晶体生长的固液界面凸出率和晶体内温度分布、温度梯度的影响.结果表明:热交换器的热对流系数和工作流体的温度变化对晶体生长的... 利用数值模拟分析的方法,对GOI法(又称泡生法)蓝宝石晶体生长过程进行模拟,分析了系统的环境参数变化对晶体生长的固液界面凸出率和晶体内温度分布、温度梯度的影响.结果表明:热交换器的热对流系数和工作流体的温度变化对晶体生长的固液界面凸出率和温度梯度具有相同的影响效果;在晶体长到一定尺寸后,只靠加大热交换器的取热能力,不足使晶体继续生长.通过降低系统的加热能力,减少传入坩埚内的热量,可使晶体继续长大.加热系统的环境温度和组合热对流系数对晶体生长具有相似的影响趋势,但影响效果却不同,环境温度越高时,固液界面凸出率越小. 展开更多
关键词 蓝宝石 数值模拟 环境参数 goi
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GOI法蓝宝石单晶生长温场优化设计与模拟分析 被引量:3
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作者 许承海 孟松鹤 +2 位作者 杜善义 左洪波 张明福 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2006年第5期81-85,共5页
通过对温场的数值模拟计算,发现外加轴向、径向温度梯度能够提高界面稳定性,减小熔体热对流,有利提高晶体的生长质量。根据大尺寸蓝宝石晶体生长的温场要求,对常规的GO I法晶体生长炉进行了改造,并设计了独特的加热体形状和隔热屏结构,... 通过对温场的数值模拟计算,发现外加轴向、径向温度梯度能够提高界面稳定性,减小熔体热对流,有利提高晶体的生长质量。根据大尺寸蓝宝石晶体生长的温场要求,对常规的GO I法晶体生长炉进行了改造,并设计了独特的加热体形状和隔热屏结构,能够为晶体生长系统提供可控的轴向、径向温度梯度。通过试验比较也证明了改造温场后的单晶炉能够生长出性能较好的大尺寸蓝宝石晶体。 展开更多
关键词 温场优化 数值模拟 蓝宝石 goi
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加热温度对GOI法生长蓝宝石晶体影响的数值模拟 被引量:3
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作者 许承海 杜善义 +2 位作者 孟松鹤 左洪波 张明福 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期184-189,211,共7页
利用数值模拟分析方法,模拟了通过调节加热温度促进GOI法蓝宝石晶体生长的过程。分析了加热温度变化对晶体生长的固液界面凸出率、晶体内温度分布、温度梯度的影响;热交换器散热参数与加热温度之间的关系。结果表明,在GOI法蓝宝石晶体... 利用数值模拟分析方法,模拟了通过调节加热温度促进GOI法蓝宝石晶体生长的过程。分析了加热温度变化对晶体生长的固液界面凸出率、晶体内温度分布、温度梯度的影响;热交换器散热参数与加热温度之间的关系。结果表明,在GOI法蓝宝石晶体生长中,合适的降温控制程序有利于提高晶体生长质量,晶体生长速率会随着加热温度的降低而快速增加。在相同降温程序下,较大的热交换器散热能力具有较快的晶体生长速率;低的热交换器散热能力和加热温度有利于降低晶体生长的界面凸出率。 展开更多
关键词 加热温度 数值模拟 蓝宝石 goi
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Using a Modified GOI Index(Effective Grid Containing Oil Inclusions)to Indicate Oil Zones in Carbonate Reservoirs 被引量:1
5
作者 ZHANG Nai PAN Wenlong +3 位作者 TIAN Long YU Xiaoqing JIANG Jing JIN Xu 《Acta Geologica Sinica(English Edition)》 SCIE CAS CSCD 2015年第3期902-910,共9页
The GOI(grains containing oil inclusions) index is used to distinguish oil zones,oil-water zones and water zones in sandstone oil reservoirs.However,this method cannot be directly applied to carbonate rocks that may... The GOI(grains containing oil inclusions) index is used to distinguish oil zones,oil-water zones and water zones in sandstone oil reservoirs.However,this method cannot be directly applied to carbonate rocks that may not have clear granular textures.In this paper we propose the Effective Grid Containing Oil Inclusions(EGOI) method for carbonate reservoirs.A microscopic view under10× ocular and 10 x objective is divided into 10×10 grids,each with an area of 0.0625 mm×0.0625 mm.An effective grid is defined as one that is cut(touched) by a stylolite,a healed fracture,a vein,or a pore-filling material.EGOI is defined as the number of effective grids containing oil inclusions divided by the total number of effective grids multiplied by 100%.Based on data from the Tarim Basin,the EGOI values indicative of the paleo-oil zones,oil-water zones,and water zones are 〉5%,1%-5%,and 〈1%,respectively.However,the oil zones in young reservoirs(charged in the Himalayan) generally have lower EGOI values,typically 3%-5%. 展开更多
关键词 goi Egoi ancient oil reservoirs late accumulation carbonate reservoirs
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智能剥离制备GOI材料 被引量:2
6
作者 赖淑妹 毛丹枫 +3 位作者 陈松岩 李成 黄巍 汤丁亮 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期441-449,共9页
绝缘体上锗(Germanium-on-Insulator,GOI)结合了Ge材料及SOI(Silicon-on-Insulator)结构的优点,是一种极具吸引力的Si基新型材料.GOI材料不仅具有高的电子和空穴迁移率,同时其独特的全介质隔离结构可以避免短沟道效应,降低寄生电容和结... 绝缘体上锗(Germanium-on-Insulator,GOI)结合了Ge材料及SOI(Silicon-on-Insulator)结构的优点,是一种极具吸引力的Si基新型材料.GOI材料不仅具有高的电子和空穴迁移率,同时其独特的全介质隔离结构可以避免短沟道效应,降低寄生电容和结漏电流.首先研究不同表面处理方法对体Ge与SiO2/Si晶片键合强度的影响,实验结果显示采用N2等离子体活化处理结合氨水溶液(NH4OH∶H2O=1∶10)亲水性处理,所得到的体Ge与SiO2/Si晶片的键合效果较好,其键合强度>3.8 MPa.利用智能剥离技术(Smart-Cut TM)制备了绝缘体上锗材料.SEM测试显示GOI材料键合质量良好,界面清晰平整,并且Ge层大部分面积无空洞.实验分析得到GOI材料的压应力及XRD(004)摇摆曲线中Ge峰的不对称是由GOI表面的注氢损伤层引起的.真空500℃退火30min对于注入损伤层的应力具有释放作用,但无法修复注入损伤.用溶液(NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶1∶10)腐蚀去除注入损伤层后,应力层被去除,并且获得Ge峰半高宽仅为70.4arc sec的GOI材料. 展开更多
关键词 晶片键合 智能剥离 绝缘体上锗(goi) 退火 腐蚀 半高宽
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巴西Gois Goinia地区人群发生于下肢的皮肤鳞状细胞癌
7
作者 Quinteiro Ribeiro A.M. Curado M.P +1 位作者 Benevides Santana Filho J. 董平 《世界核心医学期刊文摘(皮肤病学分册)》 2006年第12期23-23,共1页
Background: Cutaneous squamous cell carcinoma is a common malignant neoplasm that affects areas that are exposed to the sun in fair-skinned people. It occurs less frequently on the lower limbs where other etiological ... Background: Cutaneous squamous cell carcinoma is a common malignant neoplasm that affects areas that are exposed to the sun in fair-skinned people. It occurs less frequently on the lower limbs where other etiological factors are involved. Objective: To determine the epidemiological aspects of cutaneous squamous cell carcinoma of the lower limbs in Goinia. Methodology: Forty-three cases of cutaneous squamous cell carcinoma of the lower limbs from the Cancer Registry of the Population Base of Gois, for the period between 1995 and 1999, were included in the study. Results: Among the cases of cutaneous squamous cell carcinoma registered in this 5-year interval, 43 (4.6%) represented cases affecting the lower limbs. Of these individuals, seven (16.3%)were male and 36 (83.7%)-female (P < 0.001). Those in the age group of 60 years and above represented 90.7%of the cases (P < 0.001). None of the patients had metastasis. Conclusion: Cutaneous squamous cell carcinomas on the lower limbs are more frequently seen in women older than 60 years of age, and they rarely metastasize. 展开更多
关键词 皮肤鳞状细胞癌 s goi 患者 goi nia 下肢 四肢
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基于Ge浓缩技术和O_3氧化制备超薄GOI材料
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作者 蓝小凌 林光杨 +6 位作者 池晓伟 陆超 卢启海 李成 陈松岩 黄巍 赖虹凯 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第5期676-679,684,共5页
采用锗(Ge)浓缩技术对绝缘层上锗硅(SGOI)材料进行循环氧化、退火,制备出19nm厚的绝缘层上锗(GOI)材料。然后对该GOI材料在400℃下进行O_3氧化,以进一步减薄GOI的厚度。采用高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线反射(XRR)和原子力显微镜(AFM)... 采用锗(Ge)浓缩技术对绝缘层上锗硅(SGOI)材料进行循环氧化、退火,制备出19nm厚的绝缘层上锗(GOI)材料。然后对该GOI材料在400℃下进行O_3氧化,以进一步减薄GOI的厚度。采用高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线反射(XRR)和原子力显微镜(AFM)等对样品形貌和结构进行表征。测试结果显示,O_3氧化减薄后的GOI晶体质量得到提高,且表面更加平整(厚度减薄2.5nm,粗糙度RMS降低0.26nm)。通过循环的O_3氧化减薄,可获得高质量的超薄(小于10nm)GOI材料,用于制备超薄高迁移率沟道Ge MOSFET。 展开更多
关键词 锗浓缩 超薄goi O3氧化 减薄 粗糙度
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Integrate GOI and composition data of oil inclusions to reconstruct petroleum charge history of gas-condensate reservoirs:example from the Mosuowan area,central Junggar basin(NW China) 被引量:9
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作者 曹剑 金之钧 +3 位作者 胡文瑄 谢小敏 王绪龙 姚素平 《岩石学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期137-144,共8页
The Grains containing Oil Inclusions(GOI)data in currently gas/condensate-beating Jurassic and Cretaceous reservoir sandstones of Well Pen 5(the Mosuowan area of central Junggar Basin,NW China)are generally greater th... The Grains containing Oil Inclusions(GOI)data in currently gas/condensate-beating Jurassic and Cretaceous reservoir sandstones of Well Pen 5(the Mosuowan area of central Junggar Basin,NW China)are generally greater than the empirical threshold line of 5%.This is consistent with the gas-condensate section originally containing a palaeo-oil column.In order to assess the origin of the oil trapped in the oil inclusion and its relationship to the free oil/gas-condensate,a detailed molecular geochemical study was carried out for correlation between the free and inclusion oils.The paleo oil is most likely sourced from the Lower Permian Fengeheng Formation,which generated hydrocarbons primarily during Late Triassic and the oils were later secondarily altered and dysmigrated along faults likely during Late Jurassic-Early Cretaceous.In contrast,the current reservoired oil/gas-condensate mainly derived from the Middle Permian Lower Wuerhe Formation,whose peak generation time last from Late Cretaceous even to the present.This paper showed that integrated oil-bearing fluid inclusion analyses have likely allowed a complex multi-phase charge history to be recognized and resolved with a high degree of confidence. 展开更多
关键词 烃类流体包裹体goi 成分 凝析气藏 成藏过程 准噶尔盆地 莫索湾地区
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Investigation of strain effect on the hole mobility in GOI tri-gate pFETs including quantum confinement
10
作者 秦洁宇 杜刚 刘晓彦 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第10期593-596,共4页
The strain impact on hole mobility in the GOI tri-gate pFETs is investigated by simulating the strained Ge with quantum confinement from band structure to electro-static distribution as well as the effective mobility.... The strain impact on hole mobility in the GOI tri-gate pFETs is investigated by simulating the strained Ge with quantum confinement from band structure to electro-static distribution as well as the effective mobility. Lattice mismatch strain induced by HfO2 warps and reshapes the valence subbands, and reduces the hole effective masses. The maximum value of hole density is observed near the top comers of the channel. The hole density is decreased by the lattice mismatch strain. The phonon scattering rate is degraded by strain, which results in higher hole mobility. 展开更多
关键词 STRAIN quantum effect tri-gate goi
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绝缘层上锗(GOI)材料的表征测试
11
作者 阮育娇 《电子世界》 2017年第22期111-113,共3页
晶片键合技术已成为半导体器件制备中的一项重要工艺,目前广泛地应用于SOI(Silicon-on-insulator)、GOI(Germanium-oninsulator)结构以及硅基Ш-V族结构的制备,在硅基光电集成方面具有广阔的应用前景。本文采用键合技术结合智能剥离方... 晶片键合技术已成为半导体器件制备中的一项重要工艺,目前广泛地应用于SOI(Silicon-on-insulator)、GOI(Germanium-oninsulator)结构以及硅基Ш-V族结构的制备,在硅基光电集成方面具有广阔的应用前景。本文采用键合技术结合智能剥离方法制备了绝缘层上锗(GOI)材料,并通过原子力显微镜(AFM)、扫描声学显微镜(SAM)、透射电镜(TEM)、以及X射线衍射(XRD)等对GOI的微结构进行了表征和分析。非破坏性的检测方法在键合质量检测上具有重要的应用价值,键合材料表征技术的进步,必将推动键合技术不断向前发展。 展开更多
关键词 键合技术 goi材料 表征 测试
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协查GOIP,“电波卫士”显神威
12
作者 何靖坤 陈东 +1 位作者 钱俊 张耀 《中国无线电》 2021年第10期53-53,共1页
当前,电信网络诈骗手段不断升级,利用GOIP设备实施的信息网络犯罪,成为电信网络诈骗的"新宠"。GOIP是一种多功能融合通信设备,主要用于连接移动运营商网络与IP网络,广泛应用于虚拟运营、呼叫中心、企业接入短信营销等领域。... 当前,电信网络诈骗手段不断升级,利用GOIP设备实施的信息网络犯罪,成为电信网络诈骗的"新宠"。GOIP是一种多功能融合通信设备,主要用于连接移动运营商网络与IP网络,广泛应用于虚拟运营、呼叫中心、企业接入短信营销等领域。目前一些GOIP设备支持GSM、CDMA、WCDMA、LTE等模式,全网通设备也已出现。 展开更多
关键词 移动运营商 融合通信 goi WCDMA 呼叫中心 GSM IP网络 虚拟运营
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联合查处GOIP,护住群众“钱袋子”
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作者 张丹丹 倪林 《中国无线电》 2022年第3期61-61,共1页
1月19日,广西壮族自治区梧州市无线电监测中心接到梧州市公安局办案协作函,称自2021年11月16日起,岑溪市马路镇有不法分子利用GOIP设备从事诈骗活动,技术体制为GSM、WCDMA、LTE制式。当天,梧州市公安局专程到监测中心通报情况并讨论案... 1月19日,广西壮族自治区梧州市无线电监测中心接到梧州市公安局办案协作函,称自2021年11月16日起,岑溪市马路镇有不法分子利用GOIP设备从事诈骗活动,技术体制为GSM、WCDMA、LTE制式。当天,梧州市公安局专程到监测中心通报情况并讨论案情。负责案件办理的警官表示,不法分子任意切换手机号码拨打诈骗电话,捕获信号的技术难度大,导致案件3个月未能侦破,请求监测中心协助办案。 展开更多
关键词 无线电监测 监测中心 手机号码 诈骗电话 WCDMA goi GSM 岑溪市
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纳米技术时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI
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作者 林成鲁 刘卫丽 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期403-408,共6页
本文综述了纳米时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI,并结合介绍了上海微系统所和上海新傲科技有限公司相关的研究工作。
关键词 高端硅基材料 绝缘体上硅(SOI) 绝缘体上应变硅(sSOI) 绝缘体上锗(goi)
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用smart-cut方法制备GOI材料及研究 被引量:1
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作者 詹达 马小波 +2 位作者 刘卫丽 朱鸣 宋志棠 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期207-212,共6页
研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落。利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge... 研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落。利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge片与热生长SiO2片的键合,通过热处理完成SiO2上的Ge薄膜转移,形成了GOI(Germanium-on-insulator)结构。采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、以及X射线四晶衍射对GOI的微结构进行了表征和分析。研究表明,获得的GOI中顶层Ge具有较好的晶体质量,锗和二氧化硅埋层界面陡直。 展开更多
关键词 goi smart—cut 键合
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GOING LONGER Leading Beijing Rockers Chui Wan Take Their ComplexThird Album on a World Tour
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作者 Erica Martin 《城市漫步(GBA版)》 2017年第9期34-34,共1页
Quintessential American composer Robert Ashley once famously said,"Popular music always ends after three minutes."Chui Wan vocalist Yan Yulong points this out slyly before explaining the extended length of a... Quintessential American composer Robert Ashley once famously said,"Popular music always ends after three minutes."Chui Wan vocalist Yan Yulong points this out slyly before explaining the extended length of all the songs on the celebrated band's intriguing third album,The Landscape the Tropics Never Had."In doing this album,we did not want to do a‘concept album'or an album with a unified'theme,'"he explains."But these six songs have one thing in common:longer length.In the rehearsal room,we wanted to take a song's first idea and develop it as much as possible." 展开更多
关键词 goi POPULAR Complex
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GOING LONGER Beijing Pysch Rockers Chui Wan TakeTheir ComplexThird Album on a World Tour
17
作者 Erica Martin 《城市漫步(上海版、英文)》 2017年第9期40-41,共2页
Quintessential American composer Robert Ashley once famously said,"Popular music always ends after three minutes."Chui Wan vocalist Yan Yulong points this out slyly before explaining the extended length of a... Quintessential American composer Robert Ashley once famously said,"Popular music always ends after three minutes."Chui Wan vocalist Yan Yulong points this out slyly before explaining the extended length of all the songs on the celebrated band's intriguing third album,The Landscape the Tropics Never Had."In doing this album,we did not want to do a'concept album'or an album with a unified‘theme,'"he says."But these six songs have one thing in common:longer length.In the rehearsal room,we wanted to take a song's first idea and develop it as much as possible." 展开更多
关键词 goi POPULAR Complex
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基于应变锗的金属—半导体—金属光电探测器
18
作者 李鸿翔 张倩 +1 位作者 刘冠宇 薛忠营 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期747-754,共8页
通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和... 通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和大小。利用这一方法,制备出了高性能双轴应变Ge对称型肖特基接触金属-半导体-金属(MSM)光电探测器。经测试,在1 V偏压和入射功率为1 000 nW的863 nm激光下,该探测器具有低至nA量级的暗电流和高达713的电流开/关比。该性能的实现主要是依赖于双轴应变和掺杂对Ge能带的修饰。研究结果展示了应变Ge在光电探测领域的优势,也证明了其在Si兼容光学通信设备中的应用潜力。 展开更多
关键词 绝缘体上锗(goi) 应变锗(Ge) 肖特基接触 光电探测器 金属-半导体-金属(MSM)
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严密部署组织 强化协调联动——2022年各地无管机构“打黑除伪”情况介绍
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《中国无线电》 2023年第2期28-28,共1页
2022年,各地无线电管理机构以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,坚定不移贯彻总体国家安全观,按照国务院打击治理电信网络新型违法犯罪工作部际联席会议办公室统一部署,严密部署组织,强化协调联动,完善技术手段,加强源头治理,联... 2022年,各地无线电管理机构以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,坚定不移贯彻总体国家安全观,按照国务院打击治理电信网络新型违法犯罪工作部际联席会议办公室统一部署,严密部署组织,强化协调联动,完善技术手段,加强源头治理,联合公安、广电等部门持续深入开展打击治理“黑广播”“伪基站”违法犯罪工作。全年共查处“黑广播”违法犯罪案件990起(案件数较2021年下降42%),查处“伪基站”违法犯罪案件5起,协助公安部门侦办“GOIP”电信网络诈骗案件4起;缴获各类“黑广播”“伪基站”“GOIP”等无线电发射设备1008台(套),有效维护了空中电波秩序和人民群众生命财产安全(见图1)。 展开更多
关键词 习近平新时代中国特色社会主义思想 黑广播 伪基站 违法犯罪案件 无线电发射设备 goi 总体国家安全观 源头治理
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含油包裹体丰度指数确定油气运聚范围及应用 被引量:19
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作者 姜福杰 姜振学 +1 位作者 庞雄奇 田丰华 《西南石油学院学报》 CSCD 北大核心 2006年第5期15-18,共4页
GOI(含油流体包裹体丰度指标)是流体包裹体丰富程度的一种指标,其大小决定于储层或圈闭内流体的充注程度;其值及属性变化可以反映出油气的充注历史。利用这一属性,对于一个研究区而言,进行系统的GOI取样和测定,可以确定出该区的油气运... GOI(含油流体包裹体丰度指标)是流体包裹体丰富程度的一种指标,其大小决定于储层或圈闭内流体的充注程度;其值及属性变化可以反映出油气的充注历史。利用这一属性,对于一个研究区而言,进行系统的GOI取样和测定,可以确定出该区的油气运聚的平面和剖面最大范围。阐述了GOI的定义、确定油气运聚范围基本原理、判别标准及操作方法,在松辽盆地滨北地区的应用结果表明,滨北地区浅部储盖组合油气运聚范围平面上主要集中在靠近滨洲铁路线20000km2的范围内,剖面上主要集中分布在1500m^2000m的深度范围内。通过油气显示方法和源控油气藏分布规律方法进行验证,证明该方法行之有效。 展开更多
关键词 goi 流体包裹体 运聚范围 松辽盆地 滨北地区
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