GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究

利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）深度剖析方法对气体源分子束外延（ＧＳ－ＭＢＥ）生长的ＧａＰ／Ｓｉ异质结构进行了详细的分析．其结果表明：（１）外延层内Ｇａ、Ｐ光电子峰与ＧａＰ相相符，且组份分布均匀，为正化学比ＧａＰ．（２）在不同富ＰＨ３流量条件下生长的样品，其表面富Ｐ量稍有不同，而ＧａＰ外延层内的测试结果相同．界面也未见有Ｐ的富集．（３）ＸＰＳ剖析至ＧａＰ／Ｓｉ界面附近，随外延层界面向衬底过渡，Ｓｉ２ｐ光电子峰向高结合能方向移动，且其结合能高于原衬底ｐ型Ｓｉ，接近于ｎ型Ｓｉ．但Ｇａ、Ｐ光电子峰未发现有明显能移．（４）在ＸＰＳ检测限内，外延层内和界面都未见有Ｃ、Ｏ等沾污．这一研究表明：无污染的本底超高真空、相对过剩的富ＰＨ３生长环境、成功的Ｓｉ衬底清洗方法等措施保证了ＧＳ－ＭＢＥ生长出正化学比ＧａＰ／Ｓｉ外延异质结构．