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基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术
被引量:
1
1
作者
吴璟
巩全成
+3 位作者
贾世星
王敏杰
张勇
朱健
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期376-379,共4页
三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术。基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳...
三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术。基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳极键合工艺研究,成功制备了带有通孔的GSG微流体器件。总厚度1360μm,中间硅片厚度60μm,通孔直径100μm,孔间距(圆孔的中心距离)200μm,孔内边缘圆滑无侧蚀。三层结构的键合几率为90%,为探索多层键合技术打下坚实基础。
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关键词
gsg键合
研磨抛光工艺
微流体器件
原文传递
题名
基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术
被引量:
1
1
作者
吴璟
巩全成
贾世星
王敏杰
张勇
朱健
机构
南京电子器件研究所
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期376-379,共4页
基金
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助(No.9140C1405020607)
文摘
三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术。基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳极键合工艺研究,成功制备了带有通孔的GSG微流体器件。总厚度1360μm,中间硅片厚度60μm,通孔直径100μm,孔间距(圆孔的中心距离)200μm,孔内边缘圆滑无侧蚀。三层结构的键合几率为90%,为探索多层键合技术打下坚实基础。
关键词
gsg键合
研磨抛光工艺
微流体器件
Keywords
gsg
bonding
exact grinding and polishing
micro- fluidic device
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术
吴璟
巩全成
贾世星
王敏杰
张勇
朱健
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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