期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术 被引量:1
1
作者 吴璟 巩全成 +3 位作者 贾世星 王敏杰 张勇 朱健 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期376-379,共4页
三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术。基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳... 三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术。基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳极键合工艺研究,成功制备了带有通孔的GSG微流体器件。总厚度1360μm,中间硅片厚度60μm,通孔直径100μm,孔间距(圆孔的中心距离)200μm,孔内边缘圆滑无侧蚀。三层结构的键合几率为90%,为探索多层键合技术打下坚实基础。 展开更多
关键词 gsg键合 研磨抛光工艺 微流体器件
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部