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Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究
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作者 徐传明 许小亮 +5 位作者 谢家纯 徐军 杨晓杰 冯叶 黄文浩 刘洪图 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期53-56,70,共5页
讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变... 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响. 展开更多
关键词 Cu(In ga)3se5 有序缺陷化合物 XRD 四方结构扭曲
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Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究 被引量：2
2
作者 徐传明 许小亮 +6 位作者 徐军 杨晓杰 左健 党学明 冯叶 黄文浩 刘洪图 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1423-1427,共5页
讨论了 Ga含量对四元有序缺陷化合物 Cu(In,Ga) 3Se5薄膜的晶格振动模式的影响 ,室温下 Cu In3Se5与 Cu-Ga3Se5A1 模式峰位分别位于 15 3cm- 1 和 16 4 cm- 1 ,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子 Se位移参数的增加 ,相应改变了 Cu... 讨论了 Ga含量对四元有序缺陷化合物 Cu(In,Ga) 3Se5薄膜的晶格振动模式的影响 ,室温下 Cu In3Se5与 Cu-Ga3Se5A1 模式峰位分别位于 15 3cm- 1 和 16 4 cm- 1 ,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子 Se位移参数的增加 ,相应改变了 Cu- Se以及 In/ Ga- Se的键长及其键拉伸力学常数 ,从而影响了 A1 展开更多
关键词 Cu(In ga)3se5 有序缺陷化合物 晶格振动 RAMAN散射
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