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基于GRA-GASA-SVM的煤层瓦斯含量预测方法研究 被引量:3
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作者 田水承 任治鹏 马磊 《煤炭技术》 CAS 2024年第1期114-118,共5页
为提升煤层瓦斯含量预测精度,提出一种采用遗传模拟退火算法混合优化支持向量机(SVM)参数的瓦斯含量预测模型(GRA-GASA-SVM模型)。该模型将GA和SA整合为遗传模拟退火算法协同优化SVM的参数,以解决传统网格寻优算法取值范围无法确定和单... 为提升煤层瓦斯含量预测精度,提出一种采用遗传模拟退火算法混合优化支持向量机(SVM)参数的瓦斯含量预测模型(GRA-GASA-SVM模型)。该模型将GA和SA整合为遗传模拟退火算法协同优化SVM的参数,以解决传统网格寻优算法取值范围无法确定和单一智能算法优化程度有限等问题。利用灰色关联分析(GRA)压缩数据集维度,建立瓦斯含量预测参数体系并作为GASA-SVM的输入数据集。结果表明:SVM模型、GA-SVM模型和GASA-SVM模型10折交叉验证瓦斯含量预测总平均相对误差分别为15.98%、13.55%和10.58%。相比SVM模型和GA-SVM模型,GASA-SVM模型预测稳定性更优、预测精准度更高且对新样本泛化能力更强。 展开更多
关键词 遗传算法(ga) 模拟退火算法(SA) 支持向量机(SVM) 煤层瓦斯含量 灰色关联分析(GRA)
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透射式GaAs光电阴极性能提高以及结构优化
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作者 吕行 富容国 +2 位作者 常本康 郭欣 王芝 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期266-272,共7页
为了提高透射式GaAs光电阴极性能,将国内与美国ITT公司的透射式GaAs光电阴极量子效率曲线进行对比,可知我国透射式光电阴极积分灵敏度已经达到2130μA/lm,美国ITT达到了2330μA/lm.利用修正后的量子效率、光学性能以及积分灵敏度的理论... 为了提高透射式GaAs光电阴极性能,将国内与美国ITT公司的透射式GaAs光电阴极量子效率曲线进行对比,可知我国透射式光电阴极积分灵敏度已经达到2130μA/lm,美国ITT达到了2330μA/lm.利用修正后的量子效率、光学性能以及积分灵敏度的理论模型,分别对两者进行光学结构拟合.结果表明,国内光电阴极在窗口层和发射层的厚度、电子扩散长度以及后界面复合速率等方面均与ITT有一定差距.为了缩短两者的差距,优化阴极结构参数,具体研究了电子扩散长度和发射层厚度对量子效率的影响,结果表明如果均匀掺杂透射式GaAs光电阴极发射层厚度为1.3μm、电子扩散长度为7μm,则积分灵敏度可以达到2800μA/lm以上. 展开更多
关键词 ga as光电阴极 透射式 结构优化 光学性能 光电发射性能
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基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究
3
作者 马玉麟 郭祥 丁召 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第3期77-84,共8页
本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结... 本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,Ga源温度的升高导致Ga的蒸发量增加,进而沉积在Si衬底表面的Ga原子增多,Ga原子自组装成团簇,最终表现为Ga原子团簇的高度升高.第二组对照实验分别在3 s、6 s、10 s、40 s、50 s、60 s的沉积时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,沉积时长增加导致团簇的高度逐渐增加,主要由新吸附原子和竞争效应驱动.第三组对照实验分别在0 s、60 s、300 s的退火时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,退火时长的增加导致团簇的高度下降和团簇内的原子重新排列和分布有关.第四组对照实验分别在420℃、500℃的退火温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,升温至500℃退火会促进Ga原子团簇呈现有序排列,是表面原子的热运动和Ga原子团簇与Si(100)的晶格匹配度的共同作用的结果. 展开更多
关键词 MBE ga原子团簇 ga源温度 沉积时长 退火时长
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Precise and accurate Ga isotope ratio measurements of geological samples by multi-collector inductively coupled plasma mass spectrometry
4
作者 Yuxu Zhang Pan Qiao +2 位作者 Chuanwei Zhu Haifeng Fan Hanjie Wen 《Acta Geochimica》 EI CAS CSCD 2024年第6期1054-1064,共11页
Gallium isotope is a potential geochemical tool for understanding planetary processes,environmental pollution,and ore deposit formation.The reported Ga isotope compositions(δ^(71)Ga NIST994 values)of some internation... Gallium isotope is a potential geochemical tool for understanding planetary processes,environmental pollution,and ore deposit formation.The reported Ga isotope compositions(δ^(71)Ga NIST994 values)of some international geological standards,such as BCR-2 and BHVO-2 basalts,exhibit inconsistencies between diff erent laboratories.During mass spectrometry analysis,we found thatδ^(71)Ga NIST994 values of geological standards with or without the correction of the interference of^(138)Ba^(2+)(mass/charge ratio=69)on 69 Ga show signifi cant isotope off sets,and thus effi cient separation of Ba and correcting the interference of^(138)Ba^(2+)are both crucial to obtain accurateδ^(71)Ga values.By comparingδ^(71)Ga NIST994 values(relative to NIST SRM 994 Ga)of the same geostandards from diff erent laboratories,we suggest that the isotopic heterogeneity from NIST SRM 994 Ga is one of the key reasons for the inconsistencies inδ^(71)Ga NIST994 values of BCR-2 and BHVO-2.To facilitate inter-laboratory comparisons,we measured the Ga isotopic compositions of 11 geological reference materials(including Pb-Zn ore,bauxite,igneous rocks,and loess)and two Ga solution standards(NIST SRM 3119a and Alfa Aesar).Theδ^(71)Ga NIST994 andδ^(71)Ga IPGP values of these reference materials vary from 1.12‰to 2.63‰and−0.13‰to 1.38‰,respectively,and can be used to evaluate the precision and accuracy of Ga isotope data from diff erent laboratories. 展开更多
关键词 ga isotopes MC-ICP-MS Reference materials Chemical purification Ba interference
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The dynamic catalysis of Ga/ZSM-5 catalysts for propane-CO_(2) coupling conversion to aromatics and syngas
5
作者 Yonggui Song Zhong-Pan Hu +12 位作者 Haohao Feng Enze Chen Le Lv Yimo Wu Zhen Liu Yong Jiang Xiaozhi Su Feifei Xu Mingchang Zhu Jingfeng Han Yingxu Wei Svetlana Mintova Zhongmin Liu 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第10期513-519,I0011,共8页
Alkane coupling with CO_(2) by metal-containing zeolites catalysis is found to be a promising way to produce aromatics and syngas in recent years,but the real active sites and the role of CO_(2) are still unclear owin... Alkane coupling with CO_(2) by metal-containing zeolites catalysis is found to be a promising way to produce aromatics and syngas in recent years,but the real active sites and the role of CO_(2) are still unclear owing to the quick evolution of the metallic active sites and the complex reaction processes including direct propane aromatization,CO_(2) hydrogenation,reverse water-gas shift reaction,and propane-CO_(2) coupling aromatization.Herein,Ga/ZSM-5 catalysts were constructed to study the dynamic evolution of the metallic active sites and the role of CO_(2) during the propane and CO_(2) coupling reaction.After optimizing the reaction conditions,a notable propane conversion rate of 97.9%and an impressive aromatics selectivity of 80.6%in hydrocarbons can be achieved at the conditions of 550℃and CO_(2)/C_(3)H_(8) of 4.^(13)CO_(2)isotope experiments illustrate that C-atoms of CO_(2) can enter into CO(86.5%)and aromatics(10.8%)during the propane-CO_(2) coupling reaction process.In situ XANES and FTIR spectroscopies at 550℃and H_(2)/C_(3)H_(8) atmosphere reveal that GaO_(x) species can be gradually dispersed into[GaH_(2)]^(+)/[GaH]^(2+)on the Bronsted acid sites of ZSM-5 zeolite during H_(2) and/or C_(3)H_(8) treatment,which are the real active sites for propane-CO_(2) coupling conversion.In situ CO_(2)-FTIR experiments demonstrate that the[GaH_(2)]^(+)/[GaH]^(2+)species can react with CO_(2) and accelerate the propane and CO_(2) coupling process.This work not only presents a cost-effective avenue for CO_(2) utilization,but also contributes to the active site design for improved alkane and CO_(2) activation in coupling reaction system. 展开更多
关键词 Carbon dioxide Propane aromatization ga/ZSM-5 gallium hydride Spectroscopy
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PHUI-GA: GPU-based efficiency evolutionary algorithm for mining high utility itemsets
6
作者 JIANG Haipeng WU Guoqing +3 位作者 SUN Mengdan LI Feng SUN Yunfei FANG Wei 《Journal of Systems Engineering and Electronics》 SCIE CSCD 2024年第4期965-975,共11页
Evolutionary algorithms(EAs)have been used in high utility itemset mining(HUIM)to address the problem of discover-ing high utility itemsets(HUIs)in the exponential search space.EAs have good running and mining perform... Evolutionary algorithms(EAs)have been used in high utility itemset mining(HUIM)to address the problem of discover-ing high utility itemsets(HUIs)in the exponential search space.EAs have good running and mining performance,but they still require huge computational resource and may miss many HUIs.Due to the good combination of EA and graphics processing unit(GPU),we propose a parallel genetic algorithm(GA)based on the platform of GPU for mining HUIM(PHUI-GA).The evolution steps with improvements are performed in central processing unit(CPU)and the CPU intensive steps are sent to GPU to eva-luate with multi-threaded processors.Experiments show that the mining performance of PHUI-GA outperforms the existing EAs.When mining 90%HUIs,the PHUI-GA is up to 188 times better than the existing EAs and up to 36 times better than the CPU parallel approach. 展开更多
关键词 high utility itemset mining(HUIM) graphics process-ing unit(GPU)parallel genetic algorithm(ga) mining perfor-mance
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InP/InGaAs/InP红外光电阴极时间响应特性的模拟研究 被引量:7
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作者 孙巧霞 徐向晏 +6 位作者 安迎波 曹希斌 刘虎林 田进寿 董改云 郭晖 李燕红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第12期3163-3167,共5页
文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性,光谱响应范围1.0~1.7μm。在场助偏压的作用下,模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明,光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而... 文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性,光谱响应范围1.0~1.7μm。在场助偏压的作用下,模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明,光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而加快;随光吸收层厚度的增大而减慢;随光吸收层掺杂浓度的增大,光电阴极的响应速度变慢。发射层厚度及掺杂浓度的增大都会使得阴极的响应时间加长。经过对阴极结构参数和掺杂浓度的优化,得到在吸收层和发射层厚度分别为2μm、0.5μm,掺杂浓度分别为1.5×1015 cm-3、1.0×1016 cm-3时,在适当场助偏压下光电阴极的响应时间可优于100 ps。 展开更多
关键词 红外光电阴极 INP IN0 53ga0 47as INP 时间响应特性
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赤霉素诱导甘蔗GA20-Oxidase基因实时荧光定量PCR分析 被引量:7
8
作者 吴建明 李杨瑞 +3 位作者 王爱勤 杨柳 杨丽涛 甘崇琨 《分子植物育种》 CAS CSCD 2009年第5期922-927,共6页
本研究以喷清水甘蔗幼茎作为对照(即未处理),经过赤霉素处理后6h、12h、24h和48h的甘蔗幼茎为处理,分别进行取样并提取RNA,反转录获得cDNA作模板,利用SYBR GreenⅠ成功构建了目的基因(GA20-oxidase)和内参基因(GAPDH)的标准品和标准曲... 本研究以喷清水甘蔗幼茎作为对照(即未处理),经过赤霉素处理后6h、12h、24h和48h的甘蔗幼茎为处理,分别进行取样并提取RNA,反转录获得cDNA作模板,利用SYBR GreenⅠ成功构建了目的基因(GA20-oxidase)和内参基因(GAPDH)的标准品和标准曲线。结果表明:内参基因与目的基因的起始模板浓度与Ct之间呈良好线性关系,决定系数分别为r2=0.998、r2=0.995;溶解曲线均显单峰型,证明扩增的特异性比较好,可对基因表达进行相对定量。定量结果表明:目的基因未处理的表达量最大,赤霉素处理后表达量持续下降,在6h达到最低值,12h后逐渐上升,但到48h又明显下降,且所有处理的表达量均低于未处理,6h、12h、24h和48h比对照的表达量分别下降了24.75%、13.18%、10.23%和20.34%。本实验研究GA20-oxidase基因在赤霉素处理后的表达情况,为进一步克隆甘蔗GA20氧化酶基因全长序列、研究该基因在甘蔗节间伸长过程中的表达调控及甘蔗茎间伸长中的作用机理提供理论依据。 展开更多
关键词 甘蔗 ga20-氧化酶 赤霉素 定量PCR 基因表达
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可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器 被引量:5
9
作者 史衍丽 郭骞 +4 位作者 李龙 邓功荣 杨绍培 范明国 刘文波 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期3177-3180,共4页
由于标准InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器的响应波段为0.87~1.7μm,在高性能夜视中具有重要的应用。为了进一步利用夜天光在可见光区间的辐射能量,需要将InP/In0.53Ga0.47As短波探测器的光谱响应拓展到可见光,从而实现包含可见光和短... 由于标准InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器的响应波段为0.87~1.7μm,在高性能夜视中具有重要的应用。为了进一步利用夜天光在可见光区间的辐射能量,需要将InP/In0.53Ga0.47As短波探测器的光谱响应拓展到可见光,从而实现包含可见光和短波波段的宽光谱探测。通过特殊的材料设计和背减薄工艺,成功研制了可见光拓展的320×256 InP/InGaAs宽光谱红外探测器。采用增加滤光片的方法完成了器件在可见光、短波的成像演示,结果表明:目标在可见光、短波波段呈现出不同的特征信息,而不加滤光片的可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器则探测到两个波段的信息,既包含目标的可见光信息同时也具有短波信息,从而实现了可见/短波双波段探测的效果,可显著提升对目标的探测能力。 展开更多
关键词 InP/In0.53ga0.47as 光谱响应 可见光拓展 可见/短波 双波段探测
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GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱红外探测器光谱特性研究 被引量:3
10
作者 胡小英 刘卫国 +2 位作者 段存丽 蔡长龙 关晓 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第8期2305-2308,共4页
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77... 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43μm,8.32μm,与根据薛定谔方程得到器件理论峰值波长8.5μm间误差分别为1.0%,2.1%。实验结果说明MOCVD技术可以满足QWIP生长制备工艺要求,且器件电极压焊点位置与面积大小对器件峰值波长影响不大,而对峰值电流有一定影响。 展开更多
关键词 ga as/Al0.3ga0.7as 量子阱红外探测器 金属有机物化学气相沉积法 光谱特性
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In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究 被引量:3
11
作者 玛丽娅 李豫东 +4 位作者 郭旗 艾尔肯 王海娇 汪波 曾骏哲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第15期244-250,共7页
为获得对In0.53Ga0.47As/In P材料在电子束辐照下的光致发光谱变化规律,开展了1 Me V电子束辐照试验,注量为5×1012—9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,进行了光致发光谱测试,得到了不同结构In0.53Ga0.47As/I... 为获得对In0.53Ga0.47As/In P材料在电子束辐照下的光致发光谱变化规律,开展了1 Me V电子束辐照试验,注量为5×1012—9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,进行了光致发光谱测试,得到了不同结构In0.53Ga0.47As/In P材料在1 Me V电子束辐照下的不同变化规律;对比分析了参数退化的物理机理.结果显示:试验样品的光致发光峰强度随着辐照剂量增大而显著退化.体材料最先出现快速退化,而五层量子阱在注量达到6×1014cm-2时,就已经退化至辐照前的9%.经分析认为原因有:1)电子束进入样品后,与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,致使产生的激子数量减少,光致发光强度降低;电子束辐照在材料中引入缺陷,增加了非辐射复合中心密度,导致载流子迁移率降低.2)量子阱的二维限制作用使载流子运动受限,从而能够降低载流子与非辐射复合中心的复合概率;敏感区域截面积相同条件下,体材料比量子阱材料辐射损伤更为严重.3)量子阱的层数越多,则异质结界面数越多,相应的产生的界面缺陷数量也随之增多,辐射损伤越严重. 展开更多
关键词 In0.53ga0.47as/In P 量子阱 电子束辐照 光致发光谱
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集成GASA混合学习策略的BP神经网络优化研究 被引量:3
12
作者 汪璇 谢德体 +1 位作者 吕家恪 武伟 《西南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期168-171,共4页
针对BP算法易于陷入局部极小值且收敛速度慢的缺陷,在BP神经网络训练过程中集合GA并行化群体搜索的特点和SA在局部极小处发生概率突跳的特性.基于GASA混合学习策略对BP神经网络进行优化.优化后的BP神经网络被应用在农作物虫情预测中,实... 针对BP算法易于陷入局部极小值且收敛速度慢的缺陷,在BP神经网络训练过程中集合GA并行化群体搜索的特点和SA在局部极小处发生概率突跳的特性.基于GASA混合学习策略对BP神经网络进行优化.优化后的BP神经网络被应用在农作物虫情预测中,实验结果表明能够较大幅度提高网络学习的收敛性能和收敛速度,并一定程度上减少了算法的复杂性. 展开更多
关键词 遗传算法(ga) 模拟退火算法(SA) 混合学习策略 BP神经网络
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基于GaAs HBT功率放大器效率提升技术 被引量:4
13
作者 杨敏 万晶 +3 位作者 李跃华 贲志红 梁晓新 阎跃鹏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第S2期222-224,共3页
针对GaAs HBT功率放大器件,提出了一种能够提升效率的方法,在分析了功率放大器的工作状态、自适应偏置电路的工作机制及功能缺陷、输出馈电对谐波分量的影响之后,通过改进输入、输出馈电方式,输入端在单一供电模式下能够方便地调整偏置... 针对GaAs HBT功率放大器件,提出了一种能够提升效率的方法,在分析了功率放大器的工作状态、自适应偏置电路的工作机制及功能缺陷、输出馈电对谐波分量的影响之后,通过改进输入、输出馈电方式,输入端在单一供电模式下能够方便地调整偏置状态,输出端馈电通路可同时将二次谐波短接到地,有效地提升该器件的功率附加效率。测试结果表明在不影响输出功率的前提下,效率可提升12.7%左右,而且电路形式简单,操作方便,能够广泛地应用到不同频段要求和不同输出功率的GaAs HBT功率放大器测试过程中。 展开更多
关键词 ga as HBT 效率提升 自适应偏置 馈电方式
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生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响 被引量:3
14
作者 王一 郭祥 +6 位作者 刘珂 黄梦雅 魏文喆 赵振 胡明哲 罗子江 丁召 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期363-366,共4页
利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证... 利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证实了在同一组分下,薄膜生长厚度的改变并不剧烈影响薄膜的重构,然而,随着生长厚度的增加,外延层的表面拉伸应力进一步增大,平台平均尺寸逐渐减小,表面应力的累积使表面台阶数目逐渐增多,台面产生更多扭折,原子在具有各向异性的择优扩散机制与表面应力的共同作用下,In0.86Ga0.14As/InAs薄膜锯齿状的台阶边缘越明显,表面越粗糙化。 展开更多
关键词 分子束外延 IN0 86ga0 14as Inas薄膜扫描隧道显微镜生长厚度
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簇毛麦(Dasypyrum villosum)GA20ox基因的分离和鉴定 被引量:2
15
作者 刘英华 赵桃 +3 位作者 龙海 邓光兵 潘志芬 余懋群 《应用与环境生物学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期479-482,共4页
通过RT-PCR技术克隆了簇毛麦(Dasypyrum villosum)赤霉素生物合成关键酶GA20ox基因的全长序列,命名为DvGA20ox,GenBank登录号为EU142949.该基因全长1080bp,推测编码359个氨基酸的蛋白质,具有植物GA20ox基因的典型保守结构域LPWKET和NYYP... 通过RT-PCR技术克隆了簇毛麦(Dasypyrum villosum)赤霉素生物合成关键酶GA20ox基因的全长序列,命名为DvGA20ox,GenBank登录号为EU142949.该基因全长1080bp,推测编码359个氨基酸的蛋白质,具有植物GA20ox基因的典型保守结构域LPWKET和NYYPXCQKP.该基因推导编码蛋白质与小麦、大麦和黑麦草GA20ox蛋白的同源性分别为98%、97%和91%.该序列重组到原核表达载体pET-32a(+)获得的重组子pET-32a(+)-DvGA20ox转化大肠杆菌BL21pLysS后,IPTG诱导表达,SDS-PAGE分析表明,DvGA20ox基因在大肠杆菌中获得了高效表达,融合蛋白相对分子质量为55×103,与理论值相符.结果为深入研究DvGA20ox蛋白的结构与功能以及该基因与株高发育的关系奠定了基础. 展开更多
关键词 簇毛麦 赤霉素 ga20ox RT-PCR 原核表达
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用于多结叠层太阳电池的GaInAsN材料研究进展 被引量:3
16
作者 张启明 张恒 +2 位作者 刘如彬 唐悦 孙强 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2321-2324,共4页
1.0eV的GaInAsN材料是实现与Ge或GaAs衬底晶格匹配的高效多结叠层太阳电池的理想材料。但是,目前制备高质量的GaInAsN材料较为困难,使得相应电池性能低下,未能达到预想的效果。介绍了几种生长GaInAsN材料的外延工艺,探讨了各种外延方法... 1.0eV的GaInAsN材料是实现与Ge或GaAs衬底晶格匹配的高效多结叠层太阳电池的理想材料。但是,目前制备高质量的GaInAsN材料较为困难,使得相应电池性能低下,未能达到预想的效果。介绍了几种生长GaInAsN材料的外延工艺,探讨了各种外延方法导致材料生长困难的原因和相应的改进工艺,并在总结了GaInAsN太阳电池研究现状的基础上对其未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 ga In as N 多节叠层太阳电池 金属有机气相沉积 分子束外延 化学束外延
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MOCVD法生长(Al,Ga)As碳掺杂机理研究 被引量:1
17
作者 黄柏标 刘士文 +2 位作者 徐现刚 任红文 蒋民华 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期192-195,共4页
分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3^-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。... 分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3^-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。在碳掺杂理论模型的基础上讨论了温度、压力、Ⅴ/Ⅲ比、有机源种类对碳掺杂的影响。指出了在引入和不引入掺杂源的情况下,控制碳掺杂的途径。 展开更多
关键词 MOCVD法 (Al ga)as 碳掺杂 机理
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势垒高度对GaAs/Al_xGa_(1-x)As QWIP光谱特性的影响(英文) 被引量:2
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作者 胡小英 刘卫国 +2 位作者 段存丽 蔡长龙 牛小玲 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第10期2995-2999,共5页
为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同Ga As/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛... 为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同Ga As/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛定谔方程得到峰值波长误差为15.6%,4.6%。结果表明:引起量子阱中子带间距离逐渐扩大与峰值响应波长蓝移的根本原因是势垒高度的增加。高分辨透射扫描电镜实验结果表明量子阱材料生长过程精度控制不够及Al Ga As与Ga As晶格不匹配是造成1#样品误差较大的主要原因。说明调节势垒高度可实现QWIP峰值波长微调的目的。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器 高分辨透射扫描电镜 ga as/Alxga1-xas 峰值波长
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生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响 被引量:3
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作者 缪国庆 金亿鑫 +4 位作者 蒋红 周天明 李树玮 元光 宋航 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期465-468,共4页
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料 ,获得表面平整、光亮的In0 53 Ga0 47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高 ,为了保证铟在固相中组分不变 ,必... 利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料 ,获得表面平整、光亮的In0 53 Ga0 47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高 ,为了保证铟在固相中组分不变 ,必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时 ,外延层表面粗糙。生长温度在 6 30℃与 6 5 0℃之间 ,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄 ,高于或低于这个温度区间 ,半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加 ,在 6 30℃为最大值 ,然后随着生长温度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大 ,在生长温度大于 6 展开更多
关键词 IN0.53ga0.47as/INP LPMOCVD 铟镓砷化合物 生长温度 低压金属有机化学气相沉积 半导体材料 磷化铟衬底
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发射层对指数掺杂Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs光阴极性能的影响 被引量:2
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作者 赵静 常本康 +2 位作者 熊雅娟 张益军 张俊举 《电子器件》 CAS 2011年第2期119-124,共6页
为了探索发射层厚度对指数掺杂Ga1-xAlxAs/GaAs光电阴极光学性能与光电发射性能的影响,实验制备了两种发射层厚度不同的阴极样品,并测试得到400μm~1 000 nm内反射率、透射率与光谱响应曲线。实验结果说明发射层2.0μm厚的样品比1.6μ... 为了探索发射层厚度对指数掺杂Ga1-xAlxAs/GaAs光电阴极光学性能与光电发射性能的影响,实验制备了两种发射层厚度不同的阴极样品,并测试得到400μm~1 000 nm内反射率、透射率与光谱响应曲线。实验结果说明发射层2.0μm厚的样品比1.6μm厚的样品性能更好。利用薄膜光学矩阵理论公式计算阴极膜系反射率、透射率、吸收率与发射层厚度的关系公式,并对原有的量子效率公式进行光谱反射率和短波截止限的修正。用修正后的公式仿真不同发射层厚度下光阴极吸收率与光谱响应曲线,指出发射层厚度对阴极光学性能与光电发射性能的不同影响。进一步计算得到指数掺杂的Ga1-xAlxAs/GaAs光电阴极最佳发射层厚度范围是1.8μm~2.4μm。 展开更多
关键词 光学薄膜 ga1-xAxlas/gaas 光电阴极 光学性能 光电发射性能 光谱曲线
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