The sensing performances of multiple networked Ga N nanowire(NW) sensor codecorated with Au and Pt nanoparticles were examined. The pristine Ga N nanowires show responses of approximately 108%-173% to 0.05%-0.25% H2 a...The sensing performances of multiple networked Ga N nanowire(NW) sensor codecorated with Au and Pt nanoparticles were examined. The pristine Ga N nanowires show responses of approximately 108%-173% to 0.05%-0.25% H2 at room temperature. On the other hand, the Ga N nanowires decorated with Au and those decorated with Pt lead to 1.1-1.3 and 1.2-1.6 times,respectively, stronger responses to 0.05%-0.25% H2. In contrast, the Au Pt-codecorated Ga N nanowires show 1.3-2.0 times stronger responses to 0.05%-0.25% H2. In other words, the Ga N nanorods codecorated with Au and Pt nanoparticles show much stronger response to H2 gas than the Au or Pt monometal-decorated counterpart. The underlying mechanism for the enhanced response of the Au Pt-codecorated Ga N nanowire was discussed.展开更多
In this study, we investigate the effects of Ga N cap layer thickness on the two-dimensional electron gas（2DEG）electron density and 2DEG electron mobility of Al N/Ga N heterostructures by using the temperature-depen...In this study, we investigate the effects of Ga N cap layer thickness on the two-dimensional electron gas（2DEG）electron density and 2DEG electron mobility of Al N/Ga N heterostructures by using the temperature-dependent Hall measurement and theoretical fitting method. The results of our analysis clearly indicate that the Ga N cap layer thickness of an Al N/Ga N heterostructure has influences on the 2DEG electron density and the electron mobility. For the Al N/Ga N heterostructures with a 3-nm Al N barrier layer, the optimized thickness of the Ga N cap layer is around 4 nm and the strained a-axis lattice constant of the Al N barrier layer is less than that of Ga N.展开更多
建立了一步式QuEChERS自动提取和净化技术结合气相色谱-串联质谱同时测定风干牦牛肉中15种N-亚硝胺的分析方法。样品水化后,经乙腈提取,加入4.0 g MgSO_(4)和1.0 g NaCl除水,经十八烷基硅烷(C_(18))和N-丙基乙二胺(PSA)填料净化,采用DB-...建立了一步式QuEChERS自动提取和净化技术结合气相色谱-串联质谱同时测定风干牦牛肉中15种N-亚硝胺的分析方法。样品水化后,经乙腈提取,加入4.0 g MgSO_(4)和1.0 g NaCl除水,经十八烷基硅烷(C_(18))和N-丙基乙二胺(PSA)填料净化,采用DB-HeavyWAX色谱柱(30 m×0.25 mm×0.25μm)分离15种N-亚硝胺,在多重反应监测(MRM)模式下进行测定,外标法定量。结果表明,15种N-亚硝胺分离性能良好,在0.1~200μg/L范围内线性关系良好,相关系数(r^(2))≥0.999 0;检出限(LOD)为0.05~0.20μg/kg,定量限(LOQ)为0.10~0.50μg/kg;在1倍、2倍和10倍LOQ 3个添加水平下的平均回收率分别为79.4%~102.1%、80.6%~109.5%、83.0%~110.6%,相对标准偏差(RSD)为0.8%~16.0%。应用建立的方法检测2种不同加工工艺的市售样品,其中7种N-亚硝胺类化合物(N-亚硝基二甲胺、N-亚硝基二异丁胺、N-亚硝基二正丁胺、N-亚硝基甲基苯胺、N-亚硝基乙基苯胺、N-亚硝基吡咯烷、N-亚硝基二苯胺)均有不同程度检出,平均含量为0.08~20.18μg/kg,且熟制风干牦牛肉中N-亚硝胺的检出率和平均含量均高于传统生制风干牦牛肉。该方法实现了前处理的自动化,相较于其他传统方法,操作简单,实验效率高,人为影响因素小,检测灵敏度高,适用于风干牦牛肉中15种N-亚硝胺的快速测定,为研究肉制品中N-亚硝胺的测定提供了方法支持。展开更多
氮化镓高电子迁移率晶体管(Gallium Nitride high electron mobility transistor,GaN HEMT)自商业化以来一直被认为是一种极具潜力的功率半导体器件,与传统的Si基半导体晶体管相比,具有更快的开关速度和更低的导通电阻与开关损耗。但是...氮化镓高电子迁移率晶体管(Gallium Nitride high electron mobility transistor,GaN HEMT)自商业化以来一直被认为是一种极具潜力的功率半导体器件,与传统的Si基半导体晶体管相比,具有更快的开关速度和更低的导通电阻与开关损耗。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感容易产生高频振荡等问题。为了评估GaNHEMT的开关特性,基于双脉冲测试电路,该文提出了一种基于GaN HEMT的开关特性分析模型,该模型考虑了寄生电感,非线性寄生电容与非线性跨导等因素的影响,并详细推导了开通与关断周期中每一阶段的建模过程及其等效电路。将基于分析模型计算得到的开关波形与实验测试结果和LTspice软件仿真结果进行对比,验证了此分析模型的准确性。最后基于该分析模型,研究了当栅极电阻,寄生电感和寄生电容等参数变化时对开关特性的影响,为实际应用中对GaN HEMT的开关特性改善提供有益的理论支撑。展开更多
利用具备亚微米量级空间分辨率和纳秒级时间分辨率的热反射测温技术对工作在脉冲偏置条件下的CGH4006P型Ga N HEMT进行了瞬态温度检测。测量了Ga N器件表面栅极、漏极和源极金属各部位在20μs内的瞬态温度幅度、分布及变化速度等数据。...利用具备亚微米量级空间分辨率和纳秒级时间分辨率的热反射测温技术对工作在脉冲偏置条件下的CGH4006P型Ga N HEMT进行了瞬态温度检测。测量了Ga N器件表面栅极、漏极和源极金属各部位在20μs内的瞬态温度幅度、分布及变化速度等数据。栅极、漏极和源极的温度幅度有着非常明显的差距,器件表面以栅为中心呈现较大的温度分布梯度。器件表面栅金属温度变化幅度最高、变化速度最快,其主要温度变化发生在5μs之内。经过仔细分析,器件各部位温度差异的主要原因是器件的传热方向、不同区域与发热点的距离。展开更多
首先介绍了LLC谐振变换器的工作原理,详细分析了基于增强型氮化镓(e Ga N)场效应晶体管的LLC谐振变换器的开关过程。分析结果表明,通过调节死区时间可以避免Ga N晶体管的反向导通,从而减小损耗;通过减小高频功率回路电感可以减小功率回...首先介绍了LLC谐振变换器的工作原理,详细分析了基于增强型氮化镓(e Ga N)场效应晶体管的LLC谐振变换器的开关过程。分析结果表明,通过调节死区时间可以避免Ga N晶体管的反向导通,从而减小损耗;通过减小高频功率回路电感可以减小功率回路的振荡。再对死区时间和功率回路布线分别进行了优化,由于Ga N晶体管栅源电压安全裕量很小,为确保器件安全,对驱动回路布线进行优化;最后设计了1台输入电压为48 V、输出电压为12 V、输出功率为100 W、开关频率为1 MHz的LLC实验样机,并进行了实验验证。实验结果表明,高频功率回路电感从5.6 n H降为0.4 n H时,下管关断时的漏源电压超调由15%下降到6.7%,另外驱动功率回路采用单层布线带屏蔽层的布线方式后,开关管的驱动电压几乎没有振荡。展开更多
采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载...采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载流子浓度ns下降造成了沟道串联电阻的增加和异质结构阈值电压(VTH)的正向漂移。分析认为,辐照感生类受主缺陷是造成ns下降和阈值电压漂移的原因。原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)的测试结果表明,辐照后材料的表面形貌有所恶化,材料应变基本不变,而材料的螺位错和刃位错密度辐照后都略有增加。此外,实验结果还表明初始材料质量越好,辐照退化越小。展开更多
基金Project(2010-0020163)supported by Basic Science Research Program through the National Research Foundation(NRF)funded by the Ministry of Education of Korea
文摘The sensing performances of multiple networked Ga N nanowire(NW) sensor codecorated with Au and Pt nanoparticles were examined. The pristine Ga N nanowires show responses of approximately 108%-173% to 0.05%-0.25% H2 at room temperature. On the other hand, the Ga N nanowires decorated with Au and those decorated with Pt lead to 1.1-1.3 and 1.2-1.6 times,respectively, stronger responses to 0.05%-0.25% H2. In contrast, the Au Pt-codecorated Ga N nanowires show 1.3-2.0 times stronger responses to 0.05%-0.25% H2. In other words, the Ga N nanorods codecorated with Au and Pt nanoparticles show much stronger response to H2 gas than the Au or Pt monometal-decorated counterpart. The underlying mechanism for the enhanced response of the Au Pt-codecorated Ga N nanowire was discussed.
基金Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11174182 and 61306113)the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education,China(Grant No.20110131110005)
文摘In this study, we investigate the effects of Ga N cap layer thickness on the two-dimensional electron gas（2DEG）electron density and 2DEG electron mobility of Al N/Ga N heterostructures by using the temperature-dependent Hall measurement and theoretical fitting method. The results of our analysis clearly indicate that the Ga N cap layer thickness of an Al N/Ga N heterostructure has influences on the 2DEG electron density and the electron mobility. For the Al N/Ga N heterostructures with a 3-nm Al N barrier layer, the optimized thickness of the Ga N cap layer is around 4 nm and the strained a-axis lattice constant of the Al N barrier layer is less than that of Ga N.
文摘建立了一步式QuEChERS自动提取和净化技术结合气相色谱-串联质谱同时测定风干牦牛肉中15种N-亚硝胺的分析方法。样品水化后,经乙腈提取,加入4.0 g MgSO_(4)和1.0 g NaCl除水,经十八烷基硅烷(C_(18))和N-丙基乙二胺(PSA)填料净化,采用DB-HeavyWAX色谱柱(30 m×0.25 mm×0.25μm)分离15种N-亚硝胺,在多重反应监测(MRM)模式下进行测定,外标法定量。结果表明,15种N-亚硝胺分离性能良好,在0.1~200μg/L范围内线性关系良好,相关系数(r^(2))≥0.999 0;检出限(LOD)为0.05~0.20μg/kg,定量限(LOQ)为0.10~0.50μg/kg;在1倍、2倍和10倍LOQ 3个添加水平下的平均回收率分别为79.4%~102.1%、80.6%~109.5%、83.0%~110.6%,相对标准偏差(RSD)为0.8%~16.0%。应用建立的方法检测2种不同加工工艺的市售样品,其中7种N-亚硝胺类化合物(N-亚硝基二甲胺、N-亚硝基二异丁胺、N-亚硝基二正丁胺、N-亚硝基甲基苯胺、N-亚硝基乙基苯胺、N-亚硝基吡咯烷、N-亚硝基二苯胺)均有不同程度检出,平均含量为0.08~20.18μg/kg,且熟制风干牦牛肉中N-亚硝胺的检出率和平均含量均高于传统生制风干牦牛肉。该方法实现了前处理的自动化,相较于其他传统方法,操作简单,实验效率高,人为影响因素小,检测灵敏度高,适用于风干牦牛肉中15种N-亚硝胺的快速测定,为研究肉制品中N-亚硝胺的测定提供了方法支持。
文摘氮化镓高电子迁移率晶体管(Gallium Nitride high electron mobility transistor,GaN HEMT)自商业化以来一直被认为是一种极具潜力的功率半导体器件,与传统的Si基半导体晶体管相比,具有更快的开关速度和更低的导通电阻与开关损耗。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感容易产生高频振荡等问题。为了评估GaNHEMT的开关特性,基于双脉冲测试电路,该文提出了一种基于GaN HEMT的开关特性分析模型,该模型考虑了寄生电感,非线性寄生电容与非线性跨导等因素的影响,并详细推导了开通与关断周期中每一阶段的建模过程及其等效电路。将基于分析模型计算得到的开关波形与实验测试结果和LTspice软件仿真结果进行对比,验证了此分析模型的准确性。最后基于该分析模型,研究了当栅极电阻,寄生电感和寄生电容等参数变化时对开关特性的影响,为实际应用中对GaN HEMT的开关特性改善提供有益的理论支撑。
文摘利用具备亚微米量级空间分辨率和纳秒级时间分辨率的热反射测温技术对工作在脉冲偏置条件下的CGH4006P型Ga N HEMT进行了瞬态温度检测。测量了Ga N器件表面栅极、漏极和源极金属各部位在20μs内的瞬态温度幅度、分布及变化速度等数据。栅极、漏极和源极的温度幅度有着非常明显的差距,器件表面以栅为中心呈现较大的温度分布梯度。器件表面栅金属温度变化幅度最高、变化速度最快,其主要温度变化发生在5μs之内。经过仔细分析,器件各部位温度差异的主要原因是器件的传热方向、不同区域与发热点的距离。
文摘首先介绍了LLC谐振变换器的工作原理,详细分析了基于增强型氮化镓(e Ga N)场效应晶体管的LLC谐振变换器的开关过程。分析结果表明,通过调节死区时间可以避免Ga N晶体管的反向导通,从而减小损耗;通过减小高频功率回路电感可以减小功率回路的振荡。再对死区时间和功率回路布线分别进行了优化,由于Ga N晶体管栅源电压安全裕量很小,为确保器件安全,对驱动回路布线进行优化;最后设计了1台输入电压为48 V、输出电压为12 V、输出功率为100 W、开关频率为1 MHz的LLC实验样机,并进行了实验验证。实验结果表明,高频功率回路电感从5.6 n H降为0.4 n H时,下管关断时的漏源电压超调由15%下降到6.7%,另外驱动功率回路采用单层布线带屏蔽层的布线方式后,开关管的驱动电压几乎没有振荡。
文摘采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载流子浓度ns下降造成了沟道串联电阻的增加和异质结构阈值电压(VTH)的正向漂移。分析认为,辐照感生类受主缺陷是造成ns下降和阈值电压漂移的原因。原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)的测试结果表明,辐照后材料的表面形貌有所恶化,材料应变基本不变,而材料的螺位错和刃位错密度辐照后都略有增加。此外,实验结果还表明初始材料质量越好,辐照退化越小。
