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Ga的高斯分布对快速晶闸管电学性能的改善
1
作者
裴素华
黄萍
+1 位作者
张美娜
江玉清
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A03期40-43,共4页
利用开管扩散方式,使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式,用于快速晶闸管的制造。由理论与实践得出:P_1,P_2区Ga的缓变分布及其与N_1区低杂质浓度的匹配,有效保证了快速晶闸管较高的正反向耐压特性;器件结构参数设计与Ga分布的突出特...
利用开管扩散方式,使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式,用于快速晶闸管的制造。由理论与实践得出:P_1,P_2区Ga的缓变分布及其与N_1区低杂质浓度的匹配,有效保证了快速晶闸管较高的正反向耐压特性;器件结构参数设计与Ga分布的突出特点使磷在J_3结处得到一个较大的注入比,同时Ga在短基区获得一个足够高的(?),改善了器件的通态特性和di/dt耐量;使器件dV/dt耐量达到1000 V/μs。可见开管扩Ga是综合提高快速晶闸管器件电学性能及等级合格率的一种新途径。
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关键词
ga高斯函数分布
快速晶闸管
电学性能
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职称材料
题名
Ga的高斯分布对快速晶闸管电学性能的改善
1
作者
裴素华
黄萍
张美娜
江玉清
机构
山东师范大学物理与电子科学学院
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A03期40-43,共4页
基金
国家自然科学基金(69976019)资助项目
文摘
利用开管扩散方式,使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式,用于快速晶闸管的制造。由理论与实践得出:P_1,P_2区Ga的缓变分布及其与N_1区低杂质浓度的匹配,有效保证了快速晶闸管较高的正反向耐压特性;器件结构参数设计与Ga分布的突出特点使磷在J_3结处得到一个较大的注入比,同时Ga在短基区获得一个足够高的(?),改善了器件的通态特性和di/dt耐量;使器件dV/dt耐量达到1000 V/μs。可见开管扩Ga是综合提高快速晶闸管器件电学性能及等级合格率的一种新途径。
关键词
ga高斯函数分布
快速晶闸管
电学性能
Keywords
ga
uss function distribution of
ga
the fast thyristor
electricity properties
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ga的高斯分布对快速晶闸管电学性能的改善
裴素华
黄萍
张美娜
江玉清
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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职称材料
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