两个子带占据的In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中填充因子的变化规律

研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即ΔE21=kωc(其中k为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即ΔE21=(2k+1)ωc/2,填充因子出现奇数.

生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响

利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证实了在同一组分下,薄膜生长厚度的改变并不剧烈影响薄膜的重构,然而,随着生长厚度的增加,外延层的表面拉伸应力进一步增大,平台平均尺寸逐渐减小,表面应力的累积使表面台阶数目逐渐增多,台面产生更多扭折,原子在具有各向异性的择优扩散机制与表面应力的共同作用下,In0.86Ga0.14As/InAs薄膜锯齿状的台阶边缘越明显,表面越粗糙化。

InP/InGaAs/InP红外光电阴极时间响应特性的模拟研究

文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性，光谱响应范围1.0～1.7μm。在场助偏压的作用下，模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明，光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而加快；随光吸收层厚度的增大而减慢；随光吸收层掺杂浓度的增大，光电阴极的响应速度变慢。发射层厚度及掺杂浓度的增大都会使得阴极的响应时间加长。经过对阴极结构参数和掺杂浓度的优化，得到在吸收层和发射层厚度分别为2μm、0.5μm，掺杂浓度分别为1.5×1015 cm-3、1.0×1016 cm-3时，在适当场助偏压下光电阴极的响应时间可优于100 ps。

基于La_(0.9)Sr_(0.1)Ga_(0.8)Mg_(0.2)O_(2.85)固体电解质小孔极限电流型氧传感器的研究

本文制备了以中温固体氧离子导体—La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O2.85的流延片为小孔扩散障层和氧泵层材料的小孔极限电流型氧传感器,并对其在600℃和650℃两个温度点下的氧敏特性进行了测试。从测试的结果中可以看出:在氧浓度为0.1%～3%的范围内出现较好的极限电流平台,而且极限电流与氧浓度呈现良好的线性关系。此外,当温度为650℃时,使氧浓度在0.5%与3%之间来回跳变,测得传感器的响应时间曲线,从曲线图可读出上升和下降响应时间均为15s左右。

La_(0.7)Sr_(0.3)Ga_(0.6)Fe_(0.4)O_(3-δ)氧离子导体材料的制备与表征

以相应的金属氧化物和盐为原料,通过甘氨酸-硝酸盐法(GNP)合成出La_(0.7)Sr_(0.3)Ga_(0.6)Fe_(0.4)O_(3-δ)(LSGF)粉末,经压制、烧结后,得到LSGF烧结体试样。采用X射线衍射仪(XRD)对所得前驱体及其煅烧后粉体的相组成进行分析;采用扫描电镜(SEM)及X射线冠电子能谱仪(EDS)对烧结体的微观组织和成分进行了观察,还对烧结体的致密度、电导率和热膨胀系数等进行了测试分析。实验结果表明,甘氨酸-硝酸盐法所制备的前驱体粉末在700℃煅烧5 h后可获得具有单一钙钛矿结构的LSGF粉末,其晶粒尺寸在45 nm左右,所制备的LSGF烧结体在400～900℃范围的电导率在3.97～4.42 S·cm^(-1)之间,热膨胀系数在9.2×10^(-6)~11.12×10^(-6)K^(-1)之间。

基于InP衬底的晶格失配In_(0.68)Ga_(0.32)As的MOCVD生长及其特性研究

采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配的InAsxP1-x'虚拟'衬底,通过对缓冲层厚度的优化,使应力能够在'虚拟'衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明,这种释放应力的方法能够有效提高In0.68Ga0.32As外延层的晶体质量.

针刺结合中药治疗顽固性呃逆

高淑红主任认为,顽固性呃逆的病因多为饮食不当、情志不舒和正气亏虚等,其病机为胃失和降,胃气上逆。病情顽固者责之体虚与痰湿,体虚难以驱邪速愈,湿性黏滞,病情辗转难愈。且呃逆日久,久病入络,临证需辨证施治,久病需考虑祛瘀活血之法,针药并用,以求速愈。

In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP(001)薄膜表面重构的研究

通过扫描隧道显微镜(STM)以及反射式高能电子衍射(RHEED)对在不同As4等效束流压强(As4BEP)下生长的In0.53Ga0.47As薄膜表面重构进行研究。研究发现在两种As4BEP条件下,样品表面重构都以(4×3)/(n×3)为主,并存在c(6×4)、β2(2×4)以及α2(2×4)三种重构类型。和低As4BEP条件相比,高As4BEP条件下反射式高能电子衍射仪图像更加清晰,高分辨率的STM扫描图片也能够分辨出各种重构类型。对高分辨率的STM扫描图像进行进一步分析得到,随着As4BEP的升高,β2(2×4)重构类型明显减少,这是由于高As4BEP减少In偏析,从而抑制β2(2×4)重构的产生。

AlN/蓝宝石模板上生长的Al_(0.6)Ga_(0.4)N薄膜结构与光学性能研究

采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分Al0.6Ga0.4N薄膜,并采用高分辨率XRD(HRXRD)及阴极荧光(CL)方法对其进行了表征.结果表明,AlGaN薄膜产生了相分离,其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率.

灌区最优规划决策方案研究

水资源紧缺严重制约着我国社会经济的发展,如何将有限的水资源合理分配以产生最大的效益成为人们关注的话题。针对灌区水资源利用紧缺,选用BP神经网络对叶尔羌河流域径流进行预测,并利用遗传算法(GA)进行优化,构建了GA-BP径流预测模型,以基流、温度和降雨作为输入条件,进行了月径流模拟和预测。同时构建了基于二次规划方法的叶尔羌河灌区水资源最优规划模型,根据径流预测推算得到保尔水库月出库径流量并将其作为水量约束,选用灌区的春小麦、春玉米、胡麻作为典型研究作物,根据水分生产函数,计算理想条件下典型作物的月水资源分配以达到灌区经济效益最大化。

La_3Ga_(5.5)Ta_(0.5)O_(14)晶体的生长及性能研究

采用提拉法生长出了直径为54 mm的La3Ga5.5Ta0.5O14晶体,晶体透明,无气泡,无包裹体,无条纹。同时对晶体的压电常数、介电常数、透光光谱及其声表面波器件性能进行了测试,并绘制了晶体的极图。实验结果表明La3Ga5.5Ta0.5O14晶体具有优异的压电性能。

反硝化除磷工艺研究进展

反硝化除磷技术的提出与发展为解决城市已建和拟建的污水处理厂的脱氮除磷问题提供技术支持。文章综述了反硝化除磷机理的研究进展,分析了典型的反硝化除磷脱氮工艺即单污泥系统工艺和双污泥系统工艺的流程,阐述了反硝化除磷脱氮的主要影响因素,概述了反硝化除磷的ASM2D数学模型、厌氧缺氧Delft代谢模型及TUDP联合模型的特点,展望了未来生物除磷脱氮工艺的发展前景。

GA615H-190织机吊综改造

通过分析宽幅有梭织机综框在织造中的受力情况,对其进行加大吊综间距、加装乙形限位杆等改造,使织机总效率大幅提高,综框损坏率显著降低。

基于La_(0.9)Sr_(0.1)Ga_(0.8)Mg_(0.2)O_(2.85)新型极限电流型氧传感器的研究

对中温固体氧离子导体———La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O2.85材料分别在1300,1350,1400和1450℃4个温度下烧结4 h,之后对其进行XRD,SEM和阻抗谱等测试。实验结果显示:当烧结温度为1400℃时,样品为单一的La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O2.85晶体相,晶粒排列较为紧密,致密度达到96.6%,且不同温度下的电导率均最高。然后,选取在该温度下烧结的大小不同的两片陶瓷片制作了一种新型结构的电流型氧传感器。改变测试环境中的氧浓度的大小,在600,650和700℃3个温度下对传感器的气敏特性进行了测试。从测试的结果中发现:传感器极限电流与氧浓度并不呈现传统的线性关系。根据Fick第一定律、法拉第定律和Langmuir吸附方程对这种氧传感器的极限电流与氧浓度的关系进行了理论推导,得到了新的关系表达式,实验结果也验证了理论推导出的结果的合理性。此外,在温度为600℃时,对该传感器的响应时间进行了测试,上升和下降响应时间均为10～15 s。

等离子体活化硒对电沉积Cu-In-Ga金属预制层硒化的影响

使用等离子体活化硒源对电沉积制备的Cu-In-Ga金属预制层进行了硒化处理时,发现等离子体功率对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)晶粒的生长有重要影响,当等离子体功率为75W时,制备出单一Cu(In0.7Ga0.3)Se2相的CIGS薄膜.通过对不同衬底温度的等离子体活化硒源硒化的CIGS薄膜进行了研究与分析,并与普通硒化后的薄膜进行对比,发现高活性硒在低温下会促进Ga-Se二元相的生成,从而有利于Cu(In0.7Ga0.3)Se2单相的生长.对等离子体硒化后的CIGS薄膜进行了电池制备,发现单相CIGS薄膜没有显著提高电池性能.通过优化工艺,所制备的CIGS电池效率达到了9.4%.

一种高分辨率SAR影像道路提取方法

针对高分辨率SAR影像中细节信息损坏道路的面特征结构、影响道路提取,基于影像统计特征,给出一种结合区域生长和细节信息识别的道路提取方法。该方法通过区域生长提取呈现面特征的暗目标(道路框架),利用CFAR算法识别细节,通过形态学融合得到最终结果。为降低高分辨率影像区域异质性对提取结果影响,提出了一种自适应CFAR算法,相比之前算法可自适应删除干扰点;并引入有效表征影像统计的GA0分布。利用海南省陵水黎族自治县机载X波段高分辨率SAR数据的幅度影像进行实验,结果表明,该方法能有效提取呈面特征的道路,获得准确的道路宽度和中心线信息。