Ga_2Se_3:Co^(2+)晶体吸收光谱的研究

Ga2Se3是重要的半导体材料,它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛研究。本文引入平均共价因子,考虑静电相互作用,立方晶场和旋轨耦合相互作用,利用完全对角化方法对Ga2Se3:Co2+晶体的吸收光谱的精细结构进行了重新计算和识别。结果表明,理论与实验相符,并纠正了Yoon等对此晶体的吸收光谱及其精细结构识别的错误部分。

一种制备MexSey(Me=Cu,In,Ga)的简便工艺

提出了一种制备太阳能电池靶材CIGS的中间产物Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3的简便工艺。以高纯铜粉、铟块、镓块、硒粉为原料,根据中间产物的化学计量比配制混合粉末,先进行热分析,然后将粉末装入石英管中,在抽真空的状态下用乙炔火焰将石英管密封,分别加热到300℃、500℃、650℃和770℃,最后打破石英管取出产物研成粉末,进行XRD分析。结果表明:在升温速率为1℃·min-1、冷却方式为炉冷的条件下,300℃保温3h得到单相的Cu2Se;300℃、500℃和650℃分别保温3h,得到单相的In2Se3;300℃、500℃、650℃和770℃分别保温3h,得到Ga2Se3相和少量的GaSe相。

Cu(In，Ga)Se_2集成电池吸收层的三步共蒸工艺

利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0．7)Ga_(0．3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4．23%、5．16%和7．03%(测试条件为：AM1．5,1000W/cm^2)。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。