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Ga_2Se_3:Co^(2+)晶体吸收光谱的研究
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作者 倪超 杜懋陆 黄毅 《内江师范学院学报》 2005年第2期25-27,共3页
Ga2Se3是重要的半导体材料,它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛研究。本文引入平均共价因子,考虑静电相互作用,立方晶场和旋轨耦合相互作用,利用完全对角化方法对Ga2Se3:Co2+晶体的吸收光谱的精细结构进行了重新计算和识别。结果表明... Ga2Se3是重要的半导体材料,它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛研究。本文引入平均共价因子,考虑静电相互作用,立方晶场和旋轨耦合相互作用,利用完全对角化方法对Ga2Se3:Co2+晶体的吸收光谱的精细结构进行了重新计算和识别。结果表明,理论与实验相符,并纠正了Yoon等对此晶体的吸收光谱及其精细结构识别的错误部分。 展开更多
关键词 ga2se3:Co^2+ 晶体 晶场能级 平均共价因子 吸收光谱
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一种制备MexSey(Me=Cu,In,Ga)的简便工艺 被引量:1
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作者 冯海权 李晨辉 +2 位作者 杨腾飞 谭志龙 管伟明 《化学与生物工程》 CAS 2014年第2期38-41,共4页
提出了一种制备太阳能电池靶材CIGS的中间产物Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3的简便工艺。以高纯铜粉、铟块、镓块、硒粉为原料,根据中间产物的化学计量比配制混合粉末,先进行热分析,然后将粉末装入石英管中,在抽真空的状态下用乙炔火焰将石英... 提出了一种制备太阳能电池靶材CIGS的中间产物Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3的简便工艺。以高纯铜粉、铟块、镓块、硒粉为原料,根据中间产物的化学计量比配制混合粉末,先进行热分析,然后将粉末装入石英管中,在抽真空的状态下用乙炔火焰将石英管密封,分别加热到300℃、500℃、650℃和770℃,最后打破石英管取出产物研成粉末,进行XRD分析。结果表明:在升温速率为1℃·min-1、冷却方式为炉冷的条件下,300℃保温3h得到单相的Cu2Se;300℃、500℃和650℃分别保温3h,得到单相的In2Se3;300℃、500℃、650℃和770℃分别保温3h,得到Ga2Se3相和少量的GaSe相。 展开更多
关键词 Cu2Se In2Se3 ga2se3 CIGS靶材
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Cu(In,Ga)Se_2集成电池吸收层的三步共蒸工艺 被引量:5
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作者 张力 孙云 +4 位作者 何青 徐传明 肖建平 薛玉明 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期895-899,共5页
利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生... 利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4.23%、5.16%和7.03%(测试条件为:AM1.5,1000W/cm^2)。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。 展开更多
关键词 CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜 预置层(In0.7Ga0.3)2Se3 集成组件
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Vibration uncoupling of germanium with different valence states lowers thermal conductivity of Cs2Ge3Ga6Se14 被引量:4
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作者 Ni Ma Lin Xiong +1 位作者 Ling Chen Li-Ming Wu 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2019年第12期1788-1797,共10页
The thermal phonon transport is a key matter for heat managing in materials science which is crucial for device miniaturization and power density increase. Herein, we report the synthesis, structure and characterizati... The thermal phonon transport is a key matter for heat managing in materials science which is crucial for device miniaturization and power density increase. Herein, we report the synthesis, structure and characterization of a new compound, Cs2Ge3Ga6Se14, with a unique anisotropic structure simultaneously containing Ge^3+ and Ge^2+ that adopt(Ge1)2^3+ Se6 dimer or(Ge2)^2+Se6 octahedron, respectively. The thermal conductivity was measured to be 0.57–0.48 W m^-1 K^-1 from 323 to 773 K, the lowest value among all the known Ge-containing compounds, approaching its glass limit according to the Cahill’s formulation. More importantly, we discover for the first time that the vibration uncoupling of Ge with different valence states hinders the effective thermal energy transport between the(Ge1)2^3+ Se6 dimer and(Ge2)^2+Se6 octahedron, and consequently lowers the thermal conductivity. In addition, we propose a structure factor f = sin(180) ×d/l(i =A, B)iGe Qi, with which a structure map of the Cs2 Ge3 M6 Q14 family is given. 展开更多
关键词 Cs2Ge3Ga6Se14 mixed valence states compound thermal conductivity phonon transport crystallography analyses
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