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GaAsP混晶中Fe杂质能级的无序分裂
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作者 黄启圣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期553-555,共3页
GaAsP混晶中Fe杂质基态与激发态的光离化截面的幅度比S(x)随组分x有规律地变化,本文提出一种理论估算,认为它是Fe能级无序分裂的结果.
关键词 gaaap 混晶半导体 杂质能级
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