沟道SI－GaAs衬底上正装GaAlAs／GaAs BH激光器的制作

介绍了宽沟道ＳＩ－ＧａＡｓ衬底上的ＢＨ激光器的制作，全部结构由两次外延形成，阈值电流为５５ｍＡ。在Ｉ＝２Ｉｔｈ时，Ｐ－Ｉ曲线仍保持良好的线性关系。

适于单片集成光发射机制作的正装GaAlAs／GaAsBH激光器

本文研究了一种用于单片集成光发射机而制作的正装ＳＩ衬底上的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓＢＨ激光器．其制造工艺简单，全部结构由两次外延形成．目前条宽６～８μｍ，腔长２５０μｍ的ＢＨ激光器已实现了室温连续工作，典型阈值电流为４０～５０ｍＡ，最低阈值电流为２８ｍＡ。