Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究

利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm。这个结果在0.005nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217nm)和Slab模型计算的结果(0.208nm)合理地联系起来。此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫。

GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系 (英文)

研究了在 ＧａＡｓ （１１１）衬底上生长的六角相 ＧａＮ的极性的相关关系。在高 Ⅴ /Ⅲ比的条件下用ＭＯＶＰＥ和ＭＯＭＢＥ方法生长的ＧａＮ的极性和ＧａＡｓ衬底的极性一致；在（１１１）Ａ－Ｇａ表面上的生长层呈现Ｇａ的极性，而在（１１１）Ｂ－Ａｓ表面上的生长层呈现Ｎ的极性。然而，在低的Ⅴ /Ⅲ比，或采用一个ＡＩＮ中间层的条件下，用ＨＶＰＥ和ＭＯＭＢＥ方法在ＧａＡｓ（１１１）Ｂ表面上生长的ＧａＮ呈现出Ｇａ的极性。目前，其原因尚不清楚，但是这些结果表明采用ＨＶＰＥ生长方法或用一高温ＡｌＮ阻挡层可以得到高质量的ＧａＮ。