GaAs 薄膜电沉积的机理与工艺研究

报道了电共沉积制备ＧａＡｓ簿膜的原理与工艺。通过优化工艺参数，在不同的基片上成功地得到了成分接近化学计量比的ＧａＡｓ薄膜。

GaAs半导体薄膜电沉积的研究

利用改进试验装置 ,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法 ,电沉积制备出 Ga As薄膜。扫描电镜和 X射线衍射仪测试结果表明 ,薄膜成分更接近化学计量比 1∶ 1,各次试验数值分散性小 ,厚薄均匀。

电化学共沉积法制备GaAs纳米结构薄膜及表征

以含一定比例Ga与As2O3的酸性溶液(pH=2.5)作为前驱溶液,以Pt片为对电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,室温下利用三电极电化学站在Ti衬底上恒压沉积GaAs薄膜。然后对GaAs薄膜进行退火处理。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM),以及荧光光度计(PL)分别对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构,薄膜形貌以及光学性能进行分析表征。结果表明:沉积电压以及退火过程对GaAs薄膜的形貌、晶体结构、薄膜质量有很大影响,所制备的GaAs薄膜退火前晶化程度较低,部分粒子表现出不均匀团聚。光致发光峰为红光发射,且单色性好。退火后的GaAs薄膜为面心立方晶型,呈纳米颗粒状,薄膜的光电性能明显提高。

离子液体添加剂对电沉积氢氧化镁薄膜形貌的影响

以离子液体[MEIM]^+[ES]^-为晶体生长调控剂,采用简便的电化学方法合成了特定形貌的氢氧化镁纳米结构薄膜。对影响电沉积氢氧化镁薄膜的合成参数(如离子液体的含量、沉积电位和沉积时间)进行了研究,并分别用电镜、X射线衍射和热分析技术对所得氢氧化镁薄膜的形貌和热稳定性进行了表征。此外,该电化学过程可望推广到制备其它形貌独特和性能奇特的纳米/介观结构。

电沉积砷化镓薄膜的研究

报道了电沉积法制备多晶砷化镓(GaAs)薄膜的工艺。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、分光光度计和C-V测试仪对薄膜进行了测试,其成分为Ga_(0.91)As_(1.09)。根据Mott-Schottky曲线,计算了薄膜的能带位置。最后测量了Ga_(0.81)As_(0.09)/ 电解液结的光电化学特性。

聚丙二醇烷基醚在阴极电泳涂料中的应用研究

探讨了不同用量的聚丙二醇烷基醚对阴极电泳涂料槽液性能、成膜性能及涂膜性能的影响;选择合适的添加量使阴极电泳涂料在成膜性能上明显提高,同时增强涂膜抗石击、柔韧性等机械性能。