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E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC
1
作者
陈长友
刘会东
崔璐
《现代信息科技》
2023年第9期60-62,67,共4页
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍...
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍频器芯片在输入功率5dBm时,输出66~88GHz频率范围内,输出功率大于13dBm,谐波抑制20dBc,功耗600 mW,芯片尺寸为3.0 mm×1.4 mm×0.07 mm。
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关键词
gaas
赝配高电子迁移率晶体管
单片微波集成电路
E波段
有源六倍频器
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职称材料
0.8~2.7GHz GaAs PHEMT高线性驱动放大器
被引量:
6
2
作者
张欢
张昭阳
+1 位作者
张晓朋
高博
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期850-855,885,共7页
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~2.7 GHz的高线性驱动放大器。电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构实现,与传统的有...
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~2.7 GHz的高线性驱动放大器。电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构实现,与传统的有源偏置结构相比,引入一个负反馈系统,提高了驱动能力,使电路更加稳定。电路采用+5 V电源供电,静态工作电流为130 mA。该放大器在860~960 MHz、2.1~2.2 GHz和2.3~2.7 GHz性能良好,在2.6 GHz处的小信号增益为14.3 dB,1 dB压缩点输出功率(Po(1 dB))为28.4 dBm,Po(1 dB)处的功率附加效率为41.6%,输出三阶交调点为37.5 dBm。采用片外匹配,不仅节省芯片面积,还可以通过调整输入和输出匹配网络,满足5G基站等移动通信系统不同频段的应用需求。
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关键词
驱动放大器
gaas
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
高线性
有源偏置电路
低损耗功分网络
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职称材料
非掺杂半绝缘LECGaAs中深施主缺陷对注入硅激活率的影响
3
作者
杨瑞霞
贾晓华
+1 位作者
付浚
李光平
《河北工业大学学报》
CAS
1999年第1期52-54,共3页
通过测量GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)的饱和漏-源电流分布研究了深施主缺陷EL2对半绝缘(SI)LECGaAs中注入硅(Si)激活率的影响,发现激活率随EL2浓度的增加而增加,讨论了EL2影响硅注入激...
通过测量GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)的饱和漏-源电流分布研究了深施主缺陷EL2对半绝缘(SI)LECGaAs中注入硅(Si)激活率的影响,发现激活率随EL2浓度的增加而增加,讨论了EL2影响硅注入激活率的机理.
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关键词
砷化镓
离子注入
深施主缺陷
硅
场效应晶体管
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职称材料
题名
E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC
1
作者
陈长友
刘会东
崔璐
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《现代信息科技》
2023年第9期60-62,67,共4页
文摘
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍频器芯片在输入功率5dBm时,输出66~88GHz频率范围内,输出功率大于13dBm,谐波抑制20dBc,功耗600 mW,芯片尺寸为3.0 mm×1.4 mm×0.07 mm。
关键词
gaas
赝配高电子迁移率晶体管
单片微波集成电路
E波段
有源六倍频器
Keywords
gaas
Pseudomorphic High Electron Mobility
transistor
Monolithic Microwave Integrated Circuit
E-band
active sextupler
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
0.8~2.7GHz GaAs PHEMT高线性驱动放大器
被引量:
6
2
作者
张欢
张昭阳
张晓朋
高博
机构
河北新华北集成电路有限公司
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期850-855,885,共7页
文摘
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~2.7 GHz的高线性驱动放大器。电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构实现,与传统的有源偏置结构相比,引入一个负反馈系统,提高了驱动能力,使电路更加稳定。电路采用+5 V电源供电,静态工作电流为130 mA。该放大器在860~960 MHz、2.1~2.2 GHz和2.3~2.7 GHz性能良好,在2.6 GHz处的小信号增益为14.3 dB,1 dB压缩点输出功率(Po(1 dB))为28.4 dBm,Po(1 dB)处的功率附加效率为41.6%,输出三阶交调点为37.5 dBm。采用片外匹配,不仅节省芯片面积,还可以通过调整输入和输出匹配网络,满足5G基站等移动通信系统不同频段的应用需求。
关键词
驱动放大器
gaas
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
高线性
有源偏置电路
低损耗功分网络
Keywords
driver amplifier
gaas
pseudomorphic high electron mobility
transistor
(PHEMT)
high linearity
active bias circuit
low loss power divider network
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
非掺杂半绝缘LECGaAs中深施主缺陷对注入硅激活率的影响
3
作者
杨瑞霞
贾晓华
付浚
李光平
机构
河北工业大学电气信息学院
天津市红桥区职工大学
天津电子材料研究所
出处
《河北工业大学学报》
CAS
1999年第1期52-54,共3页
基金
国防科工委预研项目
文摘
通过测量GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)的饱和漏-源电流分布研究了深施主缺陷EL2对半绝缘(SI)LECGaAs中注入硅(Si)激活率的影响,发现激活率随EL2浓度的增加而增加,讨论了EL2影响硅注入激活率的机理.
关键词
砷化镓
离子注入
深施主缺陷
硅
场效应晶体管
Keywords
gaas
,
activation
,
fieldeffect transistor
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC
陈长友
刘会东
崔璐
《现代信息科技》
2023
0
下载PDF
职称材料
2
0.8~2.7GHz GaAs PHEMT高线性驱动放大器
张欢
张昭阳
张晓朋
高博
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
6
下载PDF
职称材料
3
非掺杂半绝缘LECGaAs中深施主缺陷对注入硅激活率的影响
杨瑞霞
贾晓华
付浚
李光平
《河北工业大学学报》
CAS
1999
0
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职称材料
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