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E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC
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作者 陈长友 刘会东 崔璐 《现代信息科技》 2023年第9期60-62,67,共4页
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍... 基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍频器芯片在输入功率5dBm时,输出66~88GHz频率范围内,输出功率大于13dBm,谐波抑制20dBc,功耗600 mW,芯片尺寸为3.0 mm×1.4 mm×0.07 mm。 展开更多
关键词 gaas赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 e波段 有源六倍频器
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GaAsE/DPHEMT正压驱动单片数控衰减器 被引量:6
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作者 白元亮 张晓鹏 +1 位作者 陈凤霞 默立冬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期910-913,923,共5页
采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了... 采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了数控衰减器单片电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺,流片制作了数控衰减器单片电路。测试结果表明,在DC^4 GHz带宽内,插入损耗L i≤2.9 dB,输入输出回波损耗L r≤-15 dB,衰减精度e bit≤±(0.4+3%×Att)dB(Att为衰减量)。电路具有衰减精度高、线性度好和芯片面积小等特点。内置的E/D PHEMT正压控制电路,可减小控制信号布线面积。采用单正压电源供电使电路更易使用。 展开更多
关键词 砷化镓 增强 耗尽型(e D) 赝配高电子迁移率晶体管(PHeMT) 6 bit单片数控衰减器 正压控制电路
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9~15 GHz GaAs E-PHEMT高性能线性功率放大器 被引量:7
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作者 魏碧华 蔡道民 武继斌 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期489-492,498,共5页
基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模... 基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模型实现了最优输入输出阻抗匹配;采用电磁场仿真技术优化设计的MMIC芯片尺寸为2.5 mm×1.1 mm。芯片的在片测试结果表明,静态直流工作点为最大饱和电流的35%、漏压为5 V的条件下,在9~15 GHz频率内,MMIC功率放大器小信号增益大于20 dB,1 dB压缩点输出功率不小于27 dBm,功率附加效率不小于35%,功率回退至19 dBm时三阶交调不大于-37 dBc。 展开更多
关键词 增强型赝配高电子迁移率晶体管(e-PHeMT) 单片微波集成电路(MMIC) 功率放大器 gaas 功率附加效率(PAe)
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GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用
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作者 李兴鳌 桑斌 +3 位作者 肖渊 阮存军 庞文宁 尚仁成 《湖北民族学院学报(自然科学版)》 CAS 2002年第3期30-32,共3页
GaAs半导体光致发射极化电子源是 70年代末在国际上出现的一种新型极化电子源 .它采用GaAs半导体晶片作为光阴极 ,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上 ,以获得负电子亲和势 (NegativeElectronAffinity)表面 ,然后通过用波... GaAs半导体光致发射极化电子源是 70年代末在国际上出现的一种新型极化电子源 .它采用GaAs半导体晶片作为光阴极 ,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上 ,以获得负电子亲和势 (NegativeElectronAffinity)表面 ,然后通过用波长合适的圆偏振激光照射光阴极 ,来获得自旋极化的电子束 .详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程 ,并介绍了极化电子在极化 (e ,2e) 展开更多
关键词 gaas光致发射极化电子源 极化电子束 负电子亲和势 极化(e.2e) 砷化钙半导体 极化电子 碰撞电离
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具有e指数内建电场的透射式GaAs光电阴极响应特性的理论分析
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作者 蔡志鹏 姚军财 +1 位作者 黄文登 何军锋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期661-667,共7页
设计了具有e指数内建电场的透射式GaAs负电子亲和势阴极,利用数值计算方法研究了它的时间响应特性和量子效率特性。结果表明,当吸收区厚度L^0.2~1.5μm时,阴极的响应时间和量子效率均随L的增大而增大;尤其当L^1.1μm时响应时间达到10ps... 设计了具有e指数内建电场的透射式GaAs负电子亲和势阴极,利用数值计算方法研究了它的时间响应特性和量子效率特性。结果表明,当吸收区厚度L^0.2~1.5μm时,阴极的响应时间和量子效率均随L的增大而增大;尤其当L^1.1μm时响应时间达到10ps,量子效率达到12.5%~20%,迄今为止,与其他GaAs光电阴极相比,在相同光谱响应条件下,该响应速度是最高的。另外,在不同L下,获得了平均时间衰减常数τ'的函数分布和能够获得最短响应时间的最优系数因子β分布,为新型高速响应GaAs光电阴极的时间响应和量子效率优化提供了必要的理论基础和数据支持。 展开更多
关键词 gaas光电阴极 e指数内建电场 最优系数因子 时间响应
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GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升 被引量:2
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作者 彭龙新 邹雷 +3 位作者 王朝旭 林罡 徐波 吴礼群 《电子与封装》 2019年第3期30-34,共5页
为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的140... 为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的14000×10-6、40 h提升到30000×10-6、110 h (电流还未出现明显下降),耐氢能力得到了明显提升。为了维护管子的微波性能,增强型E管采用多层Si N钝化,总厚度加厚到600 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间可达到20000×10-6、115 h (电流还未出现明显下降),满足实际应用要求。 展开更多
关键词 gaasTi/Pt/Au栅 耗尽型PHeMT 增强型PHeMT 微波单片集成电路 氢退化 耐氢能力
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基于GaAs PHEMT工艺的60~90GHz功率放大器MMIC
7
作者 孟范忠 薛昊东 方园 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期193-197,共5页
研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测... 研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测试结果表明,在栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,功率放大器MMIC的小信号增益大于13 dB,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,功率放大器的小信号增益均大于15 dB。载体测试结果表明,栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于17.5 dBm,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,其饱和输出功率可达到20 dBm。该功率放大器MMIC尺寸为5.25 mm×2.10 mm。 展开更多
关键词 gaas赝配高电子迁移率晶体管(PHeMT) 功率放大器(PA) 平衡式放大器 单片微波集成电路(MMIC) e波段
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Si^+,Mg^+(隐埋)双注入GaAs MESFET
8
作者 欧海疆 王渭源 +1 位作者 赵崎华 蒋新元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期309-312,共4页
比较了Si^+ 单注入和Si^+ 、Mg^+(隐埋)双注入GaAsMESFET的特性.实验表明,设置高能注入Mg^+隐埋层后,可大大消除衬底背景杂质对有源层的影响,容易制成性能优于Si^+单注入的GaAs E-和D-MESFET,并能提高阈值电压V_(tb)均匀性.
关键词 硅离子 镁离子 双注入 gaas MeSFeT
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GaAs毫米波双路数控衰减器MMIC
9
作者 丁红沙 《现代信息科技》 2023年第11期61-63,68,共4页
基于GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款毫米波双路数控衰减器。芯片上集成了两个4位数控衰减器、一分二功分器和8位数字驱动器。重点介绍了射频电路数控衰减器和功分器的拓扑结构设计。该芯片测试结果显示在2... 基于GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款毫米波双路数控衰减器。芯片上集成了两个4位数控衰减器、一分二功分器和8位数字驱动器。重点介绍了射频电路数控衰减器和功分器的拓扑结构设计。该芯片测试结果显示在26~32 GHz频段内,芯片插入损耗小于6 dB,衰减均方根误差小于0.5 dB,衰减附加相移小于±5°,输入输出电压驻波比小于1.6:1,工作电流小于6 mA。芯片尺寸仅为2.00 mm×2.00 mm×0.07 mm。 展开更多
关键词 gaas e/D赝配高电子迁移率晶体管(PHeMT) 单片微波集成电路(MMIC) 毫米波 双路数控衰减器
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一款应用于Wi-Fi 6E设备的GaAs HBT功率放大器 被引量:2
10
作者 朱海 黄亮 周宏波 《电子产品世界》 2022年第6期50-53,共4页
针对WIFI 6E频段的设备需求,设计了一款工作在5.9 GHz~7.2 GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体管(GaAs HBT)功率放大器。功率放大器为三级放大拓扑结构,采用自适应偏置电路结构解决HBT晶体管在大功率输入下偏置点变化及自热效应引起增益... 针对WIFI 6E频段的设备需求,设计了一款工作在5.9 GHz~7.2 GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体管(GaAs HBT)功率放大器。功率放大器为三级放大拓扑结构,采用自适应偏置电路结构解决HBT晶体管在大功率输入下偏置点变化及自热效应引起增益及线性度恶化的问题。测试结果表明,在5.9 GHz~7.2 GHz频段内,功率放大器增益>27 dB,输出饱和功率>1 W,附加效率>24%,芯片面积:1.24 mm×1.27 mm。 展开更多
关键词 功率放大器 WIFI 6e gaas HBT
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基于GaAs E/D PHEMT工艺的单片集成光接收芯片
11
作者 安亚宁 徐晨 +3 位作者 解意洋 潘冠中 王秋华 董毅博 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期419-424,共6页
设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络(HFC)的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器(TIA)、衰减器(VVA)和输出放大器三部分。跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消... 设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络(HFC)的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器(TIA)、衰减器(VVA)和输出放大器三部分。跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消方式实现信号衰减,输出放大器为芯片补足增益并实现阻抗匹配。使用ADS仿真软件进行电路设计、版图设计、仿真验证,采用GaAs 0.25μm E/D PHEMT工艺进行了流片。测试结果表明,芯片实现了42 d B的最大增益,在0-3 V控制电压下,0-28 dB的连续可调增益范围,工作频率为50 MHz-1 GHz,差分输入单端输出,输出负载为75Ω,芯片面积1 412μm×1 207μm,芯片性能符合设计目标。 展开更多
关键词 光接收芯片 gaas e/D PHeMT工艺 单片集成电路(MIC) 跨阻放大器 衰减器
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Positron annihilation study of defects in GaAs irradiated by fission neutron
12
作者 ZhuSheng-Yun QianJia-Yu 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 1997年第1期30-32,共3页
PositronannihilationstudyofdefectsinGaAsirradiatedbyfisionneutronZhuShengYun,LiAnLi,LuoQi,FanZhiGuo,ZhengShe... PositronannihilationstudyofdefectsinGaAsirradiatedbyfisionneutronZhuShengYun,LiAnLi,LuoQi,FanZhiGuo,ZhengShengNanandGouZh... 展开更多
关键词 质子湮没 砷化镓点缺陷 裂变中子辐照
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微型4波段GSM/GPRS功率放大器——该器件的体积为7mm×7mm×1.11mm,采用HIIPA和E模式GaAs技术
13
《今日电子》 2002年第11期72-72,共1页
关键词 4波段 GSM GPRS 功率放大器 HIIPA e模式 gaas技术
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一种超小型7~8.5 GHz GaAs多功能芯片 被引量:4
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作者 谢媛媛 赵子润 +2 位作者 刘文杰 李远鹏 陈凤霞 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第5期281-286,350,共7页
随着微波T/R组件小型化需求的增加,微波单片集成电路(MMIC)向小型化和多功能发展。基于GaAs E/D PHEMT工艺成功研制了一款超小型7~8.5 GHz幅相控制多功能芯片。片上集成了T/R开关、6 bit数字移相器、6 bit数字衰减器、增益放大器和并... 随着微波T/R组件小型化需求的增加,微波单片集成电路(MMIC)向小型化和多功能发展。基于GaAs E/D PHEMT工艺成功研制了一款超小型7~8.5 GHz幅相控制多功能芯片。片上集成了T/R开关、6 bit数字移相器、6 bit数字衰减器、增益放大器和并行驱动器。通过在开关和放大器的匹配电路中较多地使用集总元件以及通过电磁场验证优化版图布局,实现了芯片的小型化。测试结果表明,多功能芯片的接收状态增益大于0dB,1 dB压缩输出功率(P-1)大于12 dBm;发射状态增益大于1 dB,1 dB压缩输出功率大于13 dBm。在接收和发射状态下,移相64态均方根(RMS)误差小于1.5°,衰减64态RMS误差小于0.4 dB,输入输出回波损耗小于-14 dB。裸片尺寸为3.50 mm×2.55 mm×0.07 mm。 展开更多
关键词 多功能芯片(MFC) 超小型 幅相控制 gaas e/D PHeMT 微波单片集成电路(MMIC)
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超高速GaAs微波PIN二极管的研制及其性能分析 被引量:1
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作者 朱健 钱辉作 《现代雷达》 CSCD 北大核心 1998年第2期59-62,共4页
论述了超高速GaAs微波PIN二极管的研制情况。从GaAs高阻外延生长着手,采用垂直台面结构,控制I层浓度为1013~1014/cm3,厚度为2.5~10μm。通过闭管Zn扩散形成P—N结,用Ti-Au及Au-Ge-... 论述了超高速GaAs微波PIN二极管的研制情况。从GaAs高阻外延生长着手,采用垂直台面结构,控制I层浓度为1013~1014/cm3,厚度为2.5~10μm。通过闭管Zn扩散形成P—N结,用Ti-Au及Au-Ge-Ni作上、下欧姆接触,研制出GaAs微波PIN二极管。通过测量其正向特性、容压特性、开关特性以及在典型开关电路中的应用,可以看出该器件在开关速度方面的性能尤其优越。 展开更多
关键词 微波器件 PIN二极管 性能分析 砷化镓
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0.5~2.7 GHz GaAs超宽带多功能MMIC芯片设计 被引量:2
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作者 丁有源 王青松 牛伟东 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期129-133,157,共6页
基于0.25μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片。该芯片的移相器采用磁耦合全通网络(MCAPN)结构,功率分配器则使用集总元件进行集成,不... 基于0.25μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片。该芯片的移相器采用磁耦合全通网络(MCAPN)结构,功率分配器则使用集总元件进行集成,不仅缩小了芯片面积,并且在超宽带下实现了较好的相位精度和幅度一致性。采用微波探针台对芯片进行在片测试,结果表明在0.5~2.7 GHz,芯片性能良好:其小信号RF输入功率为0 dBm,芯片的插入损耗不大于7 dB,幅度波动在±0.8 dB以内,相位差为-98°~-85°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.9∶1,输出VSWR不大于1.9∶1,在-5 V电源下驱动器的静态电流为1 mA,响应速度为25 ns。芯片尺寸为3.4 mm×1.8 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、集成度高等特点,可应用于多波束天线系统中。 展开更多
关键词 gaas 赝配高电子迁移率晶体管(PHeMT) 增强/耗尽型(e/D模) 单片微波集成电路(MMIC) 磁耦合全通网络(MCAPN) 功率分配器 数字驱动器
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Clinical and Genetic Study of Friedreich’s Ataxia and Ataxia with Vitamin E Deficiency in 44 Moroccan Families
17
作者 Fatima Imounan Naima Bouslam +4 位作者 El Hachmia Aitbenhaddou Wafa Regragui Ahmed Bouhouche Ali Benomar Mohammed Yahyaoui 《World Journal of Neuroscience》 2014年第4期299-305,共7页
Introduction: Friedreich ataxia (FRDA) is a multi-system autosomal-recessive disease, the most common one of the genetically inherited ataxias. FRDA occurs as a consequence of mutations in the frataxin gene, with an e... Introduction: Friedreich ataxia (FRDA) is a multi-system autosomal-recessive disease, the most common one of the genetically inherited ataxias. FRDA occurs as a consequence of mutations in the frataxin gene, with an expansion of a GAA trinucleotide. Ataxia with vitamin E deficiency (AVED) is characterized clinically by neurological symptoms with often striking resemblance to those of Friedreich’s ataxia (FA) but serum concentrations of vitamin E are low. Aim of study: To study clinical and genetic features of the Friedreich’s ataxia and AVED patients in 44 Moroccan families. Patients and Methods: Retrospective series of 72 Moroccan patients displaying Friedreich’s ataxia syndrome was recruited over a period of 22 years (1987-2009). All patients had a clinical and ophtalmological examinations, 30 patients underwent electromyography, and CT scan was performed in 29 patients. GAA repeats in the frataxin gene and the 744 del A mutation α-TTP gene were performed in all patients. Results: 17 patients (24% of cases) had the 744 del A mutation in the α-TTP gene responsible of ataxia with vitamin E deficiency (AVED) phenotype. 55 patients ?(76% of cases) had GAA expanded allele in the first intron of the frataxin gene. Phenotype-genotype correlation revealed a high frequency of head titubation, decreased visual acuity and slower disease progression in AVED than in Friedreich’s ataxia phenotype (p Our study represents a large series which highlight the clinical and genetic differences between AVED and Friedreich’s ataxia. AVED patients have a better prognosis after alpha-tocopherol treatment. 展开更多
关键词 Friedreich’s ATAXIA ATAXIA with VITAMIN e DeFICIeNCY gaa expansion 744 DeL A Mutation
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E/D型集成电路中MODFET模型
18
作者 赵冷柱 《固体电子学研究与进展》 CAS 1987年第1期32-42,共11页
本文给出了一个E/D型结构集成电路中增强型和耗尽型调制掺杂Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(MODFET)模型,并系统地分析了它们的材料选取和结构参数。便于相容性工艺制造,增强型晶体管用三层结构;耗尽型晶体管用四层... 本文给出了一个E/D型结构集成电路中增强型和耗尽型调制掺杂Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(MODFET)模型,并系统地分析了它们的材料选取和结构参数。便于相容性工艺制造,增强型晶体管用三层结构;耗尽型晶体管用四层结构。计算方法主要应用了二维电子气散射理论,Joyce-Dixon近似,以及泊松方程等。文内给出了主要计算结果。 展开更多
关键词 MODFeT 二维 特性曲线 赫德曲线 e/D gaas 电子气
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Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计 被引量:7
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作者 李富强 赵子润 魏洪涛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期612-616,共5页
基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减... 基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9~18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°~4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。 展开更多
关键词 单片微波集成电路(MMIC) gaas 赝配高电子迁移率晶体管(PHeMT) 增强/耗尽(e/D)型 数字衰减器 数字驱动器
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一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器 被引量:5
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作者 谢媛媛 陈凤霞 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期580-585,共6页
微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设... 微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。 展开更多
关键词 微波单片集成电路(MMIC) 超小型 数字衰减器 gaas e/D PHeMT 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)单元
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