GaAs IC“与或非”逻辑DCFL单元模拟器及优化设计

报道了高速GaAsIC“与或非”逻辑直接耦合逻辑（DCFL）单元电路特性模拟器及应用贪心算法进行电路工艺及几何尺寸优化设计。模拟器及优化设计方法对于研制大规模GaAsIC具有意义。

GaAs DCFL电路研究

给出了对ＤＣＦＬ电路单元的研究，包括电路设计和用先进的Ｐ埋层自对准栅工艺制作电路的实验结果。表明它可以适用于大规模ＧａＡｓＤＣＦＬ电路的设计和制造。

GaAs IC虚拟实验室

本文介绍一个用来设计及研究GaAs器件及其IC,且具有良好的图形交互界面的IC-CAD软件,它可以完成诸如示波、扫频、频谱、阻抗与电平测量、信号源发生等传统实验室中的各种硬件功能,对GaAs器件及其各类微波集成电路的分析、设计与开发有着重要意义.

GaAs IC CAD及其在通信电路中的应用技术

介绍了自主开发的多个完整实用的 Ga As IC CAD软件 ,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波 IC CAD、光电集成电路 CAD、 Ga As VHSIC CAD、微波高速 MCM CAD等 ,并简要介绍了针对 Ga As工艺线的建库工作。以上软件和库已用于多个通信电路的设计。

GaAs、InP集成电路技术的发展——1992年IEEE GaAs IC讨论会评述

本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况,并依据这次国际会议所发表的论文,以GaAs、InP集成电路的技术路线为主线,介绍和评述了GaAs基PHEMT,HBT,MESFET以及InP基HEMT、HBT等集成电路的现状与发展。

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。

GaAs IC CAD发展现状与趋势

简述了ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用的现状及发展趋势，提出了我国在ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用方面的建议。

GaAs IC阈值电压均匀性的计算机模拟分析

本文在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟的基础上设计了一套ＧａＡｓＩＣ对阈值电压均匀性要求的计算方法，并计算三种不同ＧａＡｓＩＣ对阈值对电压均匀性的要求，结果表明，ＳＤＦＬ对阈值电压均匀性的要求较低，σＶｔｈ为２１８ｍＶ，ＤＣＦＬ和ＢＤＣＦＬ对阈值电压均匀性要求较高，σＶｔｈ分别为３８ｍＶ和３５ｍＶ．模拟计算还提出：优化和未优化的电路对阈值电压均匀性的要求不同；工艺不同，电路对阈值电压均匀性的要求也不同．这些理论计算分析的结果对ＧａＡｓＩＣ的电路设计和工艺选择均有重要指导意义．

自对准钨栅GaAs MESFET IC工艺

为了制备耐高温肖特基势垒,已采用RF或DC磁控溅射法在n^+n型GaAs衬底上溅射淀积钨(W)膜。这种膜具有良好的力学及电学性质。膜的可蚀性及肖特基势垒的热稳定性能够满足自对准栅IC的要求。新颖的自对准结构及用W栅制成的自对准离子注入GaAs MESFET初步特性能说明W栅工艺适用于GaAs IC。

GaAs MMIC放大器单元微波参量特性研究

采用微波参量分析方法能有效地分析高速 Ｇａ Ａｓ Ｉ Ｃ在微波域内的频响特性。文中根据电路特性和工艺技术，给出了已报导的一种 Ｇａ Ａｓ 放大器单元电路的一组特定参数，并进行了微波参量特性研究。

2004年GaAs IC销售额预计达39亿美元

美国分析家公司——情报网络公司的一份报告指出,2003年GaAs IC销售额几乎增长了33%,达到28.6亿美元。该报告称,今年GaAs IC的销售增长将更为迅猛,销售总额预计达39亿美元。虽然美元疲软无疑对GaAs IC销售增长起到作用,但情报网络公司总裁认为,美元市价的影响仅占GaAs IC销售增长的10%。

新系列宽带塑封和裸片GaAs MMIC器件

新产品包括4个塑封低噪声放大器（LNA）MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3;一个宽带功率放大器（PA）芯片MMA053AA；以及两个塑封开关MMS006PP3和MMS008PP3。新封装的放大器包括两个新的分布式LNA（MMA040PP5和MMA041PP5），在从DC至27GHz的更宽频率的表现优于竞争器件，具有17dB的更高增益，OIP3为35dBm。

微波器件及IC用SI－GaAs材料现状及展望

本文介绍了国内外ＳＩ－ＧａＡｓ材料的市场现状及应用，简述了ＳＩ－ＧａＡｓ材料制备新工艺和提高质量水平的途径，指出ＳＩ－ＧａＡｓ材料的发展方向及市场前景，并对我国ＳＩ－ＧａＡｓ材料与国外相比所存在的差距作了分析，提出今后发展的方向。

一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器

微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。

GaAs MIM电容模型

阐述了无源元件在MMIC设计中的重要性及MIM电容模型参数提取的几种方法。以简化的MIM电容等效电路为基础,通过IC-CAP建模软件,建立平板电容的等效模型模拟其电学特性。根据实测数据提取相关模型参数,同时与实际测试的MIM电容值进行对比,对ADS元件库中电容模型的关键参数做了修改和验证。经过在GaAs工艺线实际流片统计、验证,该模型在40 GHz以下实测的S参数与电磁仿真结果基本吻合,平板电容的误差控制在3%以内,可用于40 GHz以下GaAs MMIC的电路设计和仿真。

GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。

高速激光驱动器GaAs集成电路

介绍了用于高速光纤通信系统的具有ＮＲＺ／ＲＺ变换选择的激光二极管驱动器ＧａＡｓ集成电路设计。

SZ541和SZ551型GaAs高速分频器

本文叙述了SZ541和SZ551分频器工作原理、电路设计和制作工艺技术。电路采用全离子注入平面工艺,L_g为0.6～0.8μm.SZ541GaAs静态分频器可从DC到3GHz工作。SZ551GaAs动态分频器工作带宽为0.5～4.5GHz。