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GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究
被引量:
5
1
作者
许兆鹏
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期56-63,共8页
为研制全集成光开关、微片式激光器等,对GaAs、GaP、InGaAsP、InAIGaAs、AlGaAs等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制InAlGaAs/InAlAs/InAlGaAs微片式激光器,开发了H3P...
为研制全集成光开关、微片式激光器等,对GaAs、GaP、InGaAsP、InAIGaAs、AlGaAs等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制InAlGaAs/InAlAs/InAlGaAs微片式激光器,开发了H3PO4/H2O2/H2O薄层腐蚀液和HCl/H2O选择性腐蚀液;为了研制InGaAsP/InP/InGaAsPTbar型光波导,开发了HCl/H3PO4/H2O2薄层腐蚀液和HCl/H2O2选择性腐蚀液;为了研制GaP、InGaP光波导,开发了HCl/HNO3/H2O薄层腐蚀液。它们都具有稳定、重复性好、速率可控、腐蚀后表面形貌好等特点。除此之外,蚀刻成的GaP光波导侧壁平滑无波纹起伏。此种结果尚未见报导。
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关键词
磷化镓
磷化铟
砷化镓
化学腐蚀
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职称材料
题名
GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究
被引量:
5
1
作者
许兆鹏
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期56-63,共8页
文摘
为研制全集成光开关、微片式激光器等,对GaAs、GaP、InGaAsP、InAIGaAs、AlGaAs等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制InAlGaAs/InAlAs/InAlGaAs微片式激光器,开发了H3PO4/H2O2/H2O薄层腐蚀液和HCl/H2O选择性腐蚀液;为了研制InGaAsP/InP/InGaAsPTbar型光波导,开发了HCl/H3PO4/H2O2薄层腐蚀液和HCl/H2O2选择性腐蚀液;为了研制GaP、InGaP光波导,开发了HCl/HNO3/H2O薄层腐蚀液。它们都具有稳定、重复性好、速率可控、腐蚀后表面形貌好等特点。除此之外,蚀刻成的GaP光波导侧壁平滑无波纹起伏。此种结果尚未见报导。
关键词
磷化镓
磷化铟
砷化镓
化学腐蚀
Keywords
gaas inp gap ingaasp algaas chemical etching
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究
许兆鹏
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996
5
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