GaAs DCFL电路研究

给出了对ＤＣＦＬ电路单元的研究，包括电路设计和用先进的Ｐ埋层自对准栅工艺制作电路的实验结果。表明它可以适用于大规模ＧａＡｓＤＣＦＬ电路的设计和制造。

PECVD Si_xO_yN_z膜及其在GaAs VHSIC中的应用

采用SiH_4,N_2O和NH_3反应气体生长了Si_xO_yN_z膜,其特性取决于反应气体流量、射频功率、反应室压力和衬底温度。用折射率为1.71的Si_xO_yN_z做GaAs注Si^+包封退火膜,它比SiO_2或Si_3N_4有更高的电激活。该膜作为互连隔离介质已用于GaAs高速电压比较器。实验结果表明:Si_xO_yN_z是一种有希望的介质膜。

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。

GaAs超高速集成电路的发展与展望

概述了ＧａＡｓ超高速集成电路的现状与发展趋势，介绍了门阵列、Ａ／Ｄ（Ｄ／Ａ）转换器、ＭＵＸ／ＤＥＭＵＸ以及异质结器件的发展和应用前景。

GaAs IC CAD发展现状与趋势

简述了ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用的现状及发展趋势，提出了我国在ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用方面的建议。

基于神经网络的GaAs微波及高速集成电路CAD技术

介绍了基于神经网络的 Ga As微波与高速电路 CAD方面的研究与开发工作 ,其中包括用神经网络进行器件与电路建模的原理与方法及这一模型在优化与统计分析中的应用。

GaAs超高速集成电路

本文简要地评述了GaAs VHSIC的特点和发展概况。叙述了GaAs高速器件、基本的逻辑结构和一些重要的制连技术。并对一些新型高速器件、重要的工艺技术和发展前景进行了讨论。

一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器

微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。

砷化镓超高速集成电路布线设计——基于门阵的宏元胞方式

文章研究了在ＧａＡｓ工艺、双层金属布线、基于门阵的宏元胞模式下，采用时间驱动算法布局设计（ＴｉｍｉｎｇＤｒｉｖｅｎＰｌａｃｅｍｅｎｔ）的布线算法。算法以芯片性能得到最大限度的改善，包括芯片关键路径时延最短、互连线总长最短、最长互连线最短、布线密度均匀等为目标，从而达到超高速的目的。

砷化镓集成电路CAD系统

介绍了一个在ＳＵＮ工作站上自主开发的砷化镓集成电路ＣＡＤ系统。该系统可完成微波、毫米波集成电路ＣＡＤ及砷化镓超高速数字集成电路ＣＡＤ。应用该系统已完成１５０余种砷化镓集成电路的优化设计，取得良好效果。